国際特許分類[C25D5/02]の内容

国際特許分類[C25D5/02]に分類される特許

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本発明は、重合体を含む犠牲材料を使用した製造方法を提供する。ある実施形態における重合体は、製造プロセスで使用される、少なくとも1つの溶媒(例えば、水溶液)に対する溶解度を変更するために処理され得る。犠牲材料の調製は、迅速かつ簡易であり、犠牲材料の溶解は、穏やかな環境で実行され得る。本発明の犠牲材料は、選択された対応する物理的構造のために犠牲層が使用される、表面マイクロ加工、バルクマイクロ加工および他のマイクロ加工プロセスに役立つ。
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【課題】 装飾感を向上させることができるとともに、その装飾感を容易に変化させることができる装飾板の製造方法を提供する。
【解決手段】 装飾板は次の手順に従って製造される。基板11の表面及び裏面に板面方向に位置が異なる外周側位置ずれ部12a及び内周側位置ずれ部12bを生ずるようにマスキング材により表面側マスキング層13a及び裏面側マスキング層13bを形成する。その後、基板11の表面及び裏面からそれぞれ基板11の厚さ方向の中央部に達するまでハーフエッチングを行なう。そして、前記位置ずれ部12に段差部を形成し、その段差部にメッキを施した後、前記マスキング層13を剥離することによって装飾板が製造される。 (もっと読む)


【課題】 電解めっきにより基板に配線パターンを形成する際に、配線パターンの不要部分による信号の反射やノイズを防止して電気的特性を改善し、配線パターンの配置の高密度化を図る。
【解決手段】 金属箔付き絶縁基板に第1無電解めっき層とその上の第1めっきレジストを形成;第1無電解めっき層に給電してレジスト開口内の第1無電解めっき層上に第1電解めっき層を形成;第1めっきレジストを除去;露出した第1無電解めっき層と金属箔を除去して絶縁基板を露出;基板露出部と配線パターン上に第2無電解めっき層を形成;その上に第2めっきレジストを形成;レジスト開口部の第2無電解めっき層を除去;第2めっきレジスト下の第2無電解めっき層に給電してレジスト開口部の配線パターン上に第2電解めっき層を形成;第2めっきレジストを除去;露出した第2無電解めっき層を除去。 (もっと読む)


【課題】広幅、厚板の金属条であっても、1回の通板で、金属条の両面を無理なく部分めっきすることが可能で、疵、折れの発生を防止した、コンパクトで安価な、部分めっきラインを提供する。
【解決手段】回転ドラム101を備えた第1めっき装置10aと第2めっき装置10bを備え、第1めっき装置10aの導出案内ロール3aから導出された第1面が部分めっきされた金属条1aを、水平方向に隣接して配置した第2めっき装置10bの導入案内ロール2bへと搬送案内するために、第1めっき装置10aの導出案内ロール3aから導出された金属条1aを、案内ロール4によりそのパスラインを転向して搬送案内する。 (もっと読む)


【課題】めっき位置精度を向上させ、かつ、キャリア穴が支持体ドラムの突起部から外れるといったトラブルの発生を防止し、高品質の部分めっきを可能とするスポットめっき装置を提供する。
【解決手段】スポットめっき装置において、支持体ドラム10は、金属又はセラミックにて作製した、複数の突起部13aと複数のめっき孔13bとを外周部に有した円筒状のドラム本体13と、ドラム本体13を装置本体に設けた回転支持軸に回転自在に装着するための軸受け部12と、を有する。また、支持体ドラム10を駆動ロール18にて当接駆動する。 (もっと読む)


【課題】 断線等の不具合の発生を抑制し、CMP工程に要する時間を適正な範囲に抑え、めっき工程終了時点及びCMP工程で十分な平坦化ができ、余剰な金属を余すことなく除去でき、シード層、バリア層、絶縁層等の間に剥離を生じることなく、且つディシングやエロージョンを生じることもないような金属めっき膜を電解めっきにより基板に形成して基板配線を形成する基板配線形成方法、装置,及びめっき抑制物質転写スタンプを提供すること。
【解決手段】 基板10に形成された配線溝やコンタクトホール等の凹部11を電解めっきにより銅13で埋め込み配線を形成する基板配線形成方法において、基板の凹部11内表面を除く該基板10の最表面にめっきを抑制するめっき抑制物質(インク4)を付着させる工程、電解めっきを行う工程、めっき抑制物質(インク4)を離脱させる工程、さらに電解めっきを行う工程を備えた。 (もっと読む)


【課題】 低コストで容易且つ大面積に柱状構造体を形成することができるナノ構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板11上に設けられた細孔22内へめっき法により金属を充填するナノ構造体の製造方法において、少なくともめっき用の金属イオンを含み還元剤を含まない溶液I(27)および少なくとも還元剤を含みめっき用の金属イオンを含まない溶液II(26)を用意する工程、該溶液I(27)を基板の細孔内に充填する工程、溶液Iを充填した基板を溶液II(26)に浸漬し、溶液Iの金属イオンと溶液IIの還元剤による無電解めっきにより細孔内に金属28を析出する工程を有するナノ構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】 複雑な形状に加工された基体に対しても、加熱による損傷などを与えることなく、所望の部分にめっきを施すことのできる表面処理方法を提供する。
【解決手段】 基体14の長手状部分7の全表面に電着塗装によってレジスト層15を形成した後、低濡れ性領域形成予定部23に形成されたレジスト層15を長手状部分7の周方向全周にわたって露光して現像することによってレジストパターン16を形成し、基体14の長手状部分7のレジスト層15で覆われていない部分22にめっきを施す。これによって、複雑な形状に加工された基体14に対しても、また基体14のピッチTが0.1mm程度と狭い場合であっても、基体14の長手状部分7の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができるので、長手状部分7の周方向全周にわたって、はんだ接合部とコネクタ嵌合部との間に低濡れ性領域が形成されたコネクタピンなどの接点部品を容易に製造することができる。 (もっと読む)


【課題】 半導体基板の配線若しくはバンプ、又は、磁気ヘッド基板の磁極部等の金属膜パターンを所望のパターンどおりに得ることができる金属膜パターンの形成方法をを提供する。
【解決手段】 基板上に所定のパターンでレジストパターンを形成するレジストパターン形成工程と、この基板の少なくともレジストパターンが形成されている面を、水に対しオゾンが1ppm以上30ppm以下含有されたオゾン水に接触させるオゾン水処理工程と、この基板のレジストが形成された面側に金属をめっきするめっき工程と、この基板からレジストパターンを除去するレジストパターン除去工程とを有する金属膜パターンの形成方法により、上記課題を解決した。 (もっと読む)


【課題】本発明は、ナノホールへ合金めっきを充填した後に合金から結晶性を有する分離相を相分離させてマトリクス中に機能性を有する分離相を形成する分離相の形成方法を提供するものである。特に、分離相の特性を利用するナノ構造素子及びこれを基板上に多数規則配列したナノ構造体を製造する方法を提供するものである。
【解決手段】複数の金属の析出電位を制御する電気めっきを行うことにより形成した合金めっきを行った後、熱処理等により第一成分の非磁性金属としてのCu等と第二成分の強磁性体又は反強磁性体とに分離して第二成分からなる分離相を形成することができる。ナノホール内に形成した前記合金めっきを、相分離により形成した分離相の磁性、電気抵抗、熱伝導等の特性を利用したナノ構造素子が得られ、これを利用してナノ構造体を製造することができる。 (もっと読む)


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