国際特許分類[C25D5/02]の内容

国際特許分類[C25D5/02]に分類される特許

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【課題】金属または金属酸化物からなる微細構造体を容易に、導電性基板上に規則的に配列させて作製できる微細構造体の製造方法および該製造方法を用いて得られる複合体の提供。
【解決手段】導電性基板13上に有機膜12を形成し、該有機膜12上に、特定一般式(1)で表されるブロック共重合体(1)を溶媒に溶解した溶液を塗布して両親媒性ブロック共重合体膜11を形成する。次に、有機膜12および両親媒性ブロック共重合体膜11が形成された導電性基板13に対して熱処理を行って、該両親媒性ブロック共重合体膜11内を、親水相と疎水相とに相分離させ、相分離構造膜14とする。その後、導電性基板12に対して電解メッキ処理を行う。これにより、相分離構造膜14の親水相15の位置に金属または金属酸化物からなる微細構造体16が形成される。電解メッキ処理の後、さらに、相分離構造膜14のみを除去する工程を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】所定の構造部材に、締結部材による締付応力に起因して生じるウィスカーの成長を抑制し、隣接する他の構造部材のウィスカーとの接触を防止して短絡を防ぐことができる、複数の構造部材からなる組付体及び構造部材又は締結部材の製造方法を提供する。
【解決手段】この組立体10は、複数の構造部材20,30が互いに接触して、締結部材50を介して組付けられてなり、構造部材20,30どうしの接触部C1の周縁、或いは、構造部材20,30と締結部材50との接触部C2,C3の周縁に、少なくとも一方の部材に設けた段差部27,37,52,56により、隙間を介して対向する内面が設けられており、隙間を介して対向する内面の少なくとも一方に、相手部材よりも標準電極電位の高い金属膜28,38,53,57が、相手部材に接触しないように形成されている。 (もっと読む)


【課題】基板上に光架橋性樹脂層を形成し、パターンの露光工程、現像工程を経て、めっきレジスト層を形成した後にめっき工程を行う金属パターンの作製方法において、膜厚が薄く、均一な光架橋性樹脂層を用いて、微細なめっきレジスト層を形成する方法を提供する。
【解決手段】めっき法による金属パターンの作製方法において、(a)基板2上に光架橋性樹脂層3を形成する工程、(b)光架橋性樹脂層3を薄膜化する工程、(c)パターンの露光工程、(d)現像工程、(e)めっき工程をこの順に含む金属パターンの作製方法。 (もっと読む)


【課題】安定的に貫通孔内にめっきを行うことができる電解めっき装置およびめっき方法を提供すること。
【解決手段】電解めっき装置は、陽極21と、導電層12に接続される陰極(図示略)と、基材1の絶縁層11の他面を、電解めっき液Lを挟んで陽極21と対向させ、貫通孔111から露出する導電層12の一部に電解めっき液Lを接触させながら、陽極21上および電解めっき液L上で基材1を搬送する搬送部20とを備える。搬送部20は、少なくとも基材1の導電層12の周縁部の一部が上方側に反るように、前記基材1を保持しながら基材1を搬送するように構成されている (もっと読む)


【課題】めっき部形成時におけるレジストマスクの形成・剥離が不要であり、めっき漏れを抑制でき、めっき部の厚さのバラつきを低減し、かつ、めっきロスの少ない支持枠付回路基板の提供。
【解決手段】支持枠11の内部開口領域12で回路基板10および支持枠11が一体化している支持枠付回路基板であって、回路基板10は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された配線層3と、配線層3および絶縁層2を覆うカバー層4と、カバー層4に覆われていない配線層3の表面上に形成されためっき部6とを有し、上記支持枠11は、金属支持基板1と、金属支持基板1上に形成された絶縁層2と、絶縁層2上に形成された導体層7と、導体層7上に形成され、カバー層4と同一の材料から構成される保護層8とを有することを特徴とする支持枠付回路基板。 (もっと読む)


【課題】保護シート(特にメッキマスキング用保護シート)としての性能と作業性とを高度なレベルで両立させた保護シートを提供すること。
【解決手段】
本発明の保護シートは、基材と該基材の片面に設けられた粘着剤層とを備える。前記粘着剤層は、架橋剤と架橋促進剤とを含むアクリル系粘着剤組成物から形成される。前記保護シートの温度80℃におけるMDについての曲げ剛性値DM80、およびTDについての曲げ剛性値DT80の合計値DS80は、0.1×10−6〜1.2×10−6Pa・mである。前記粘着剤層につき、周波数1Hzで測定される100℃における貯蔵弾性率G’は0.230×10Pa〜10×10Paである。 (もっと読む)


【課題】基板の所定の位置に高い位置精度で膜を形成する。
【解決手段】電極形成用テンプレート112の表面112aには、ウェハWの貫通孔に対応する位置に開口部115が複数形成されている。電極形成用テンプレート112は、開口部115に連通する膜形成用液の流通路116を備えている。この電極形成用テンプレート112とウェハWを密着させた後、この状態のまま、めっき液供給口117から流通路116を介して開口部115からウェハWの貫通孔に対してめっき液を供給することで、ウェハWの貫通孔に電極を形成する。 (もっと読む)


【課題】簡易かつ迅速で安価に貫通穴内表面のみにめっき処理を施すことができる貫通穴めっき方法及びこれを用いて製造された基板を提供する。
【解決手段】絶縁層6を貫通した貫通穴7を有する基板中間体4と、前記貫通穴7に対応した位置に開口部を有する2枚の導電性マスク5とを用い、前記開口部の位置を前記貫通穴7に合わせて前記基板中間体4の表裏両面の全域を前記各導電性マスク5で覆い、前記基板中間体4の表裏両面の少なくとも一部に、それぞれの前記導電性マスク5を密着させて被めっき処理体2を形成し、該被めっき処理体2をめっき液3に浸漬し、前記貫通穴7の内面を含んだ前記被めっき処理体2の表面全体に金属を付着させてめっき処理し、前記基板中間体4から前記導電性マスク5を除去する。 (もっと読む)


【課題】 高アスペクト比な金属微細構造体を高精度で容易に得ることができる微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】 微細構造体の製造方法は、Si基板に第1の絶縁膜を形成する第1工程と、第1の絶縁膜の一部を除去してSi表面を露出する第2工程と、露出されたSi表面からSi基板をエッチングして凹部を形成する第3工程と、凹部の側壁及び底部に第2の絶縁膜を形成する第4工程と、凹部の底部に形成された第2の絶縁膜の少なくとも一部を除去してSiの露出面を形成する第5工程と、Siの露出面より凹部に金属を電解めっきにより充填する第6工程とを有する。 (もっと読む)


【課題】安定的に所望のめっき膜を形成することができるめっき方法、電解めっき装置を提供すること。
【解決手段】電解めっき装置2は、導電層12に接続される陰極20と、基材1の搬送方向に沿って配置されるとともに、離間配置された複数の陽極21と、陽極21の上方で、基材1の前記絶縁層11の他面を前記陽極21と対向させながら、基材1を搬送する搬送手段と、基材1の絶縁層11の他面と、各陽極21との間に電解めっきを流す電解めっき液供給部23とを備える。当該電解めっき装置2は、電解めっき液供給部23により、絶縁層11の他面と陽極21との間に電解めっき液Lを流すとともに、絶縁層11の他面と、陽極21との間の前記電解めっき液Lを前記絶縁層11の他面よりも下方に排出するように構成される。また、電解めっき装置2は、各陽極21と、陰極20との間に流れる電流量を制御する制御部を備える。 (もっと読む)


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