【課題】Ａｕめっき浴中に浸漬した保液部材に被めっき部材の凸部を接触させてその凸部頂面部に選択的に電解めっきを施す方法において、凸部頂面部領域に、より集中してめっき層を形成できるようにする。
【解決手段】電解めっきを、従来よりも高い電流値のパルス電流、すなわち、最大電流密度２０〜２６０Ａ／ｄｍ^２、平均電流密度５〜２６Ａ／ｄｍ^２のパルス電流を用いて行うことにより、凸部頂面部２に電流を集中させることができ、凸部頂面部２にＡｕめっき層が優先的に形成される。 （もっと読む）

【課題】凹部の側壁部側からのめっきの成長を抑制して、ボイドの発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、表面に凹部１ａを有するウェハＷの少なくとも凹部１ａの底部１ｂおよび側壁部１ｃに、シード膜３を形成する工程と、シード膜３上に、少なくとも凹部１ａの底部１ｂに位置するシード膜３の部分３ａが露出しかつ凹部１ａの側壁部１ｃに位置するシード膜３の部分３ｂを覆うようにめっき抑制膜４を形成する工程と、シード膜３に電流を供給して、めっき抑制膜４の形成された凹部１ａに埋め込まれるように電解めっき法によりめっき膜５を形成する工程と、めっき膜５に熱処理を施す工程とを備え、めっき抑制膜４が、シード膜３の構成材料より抵抗率が高くかつめっき膜５の構成材料と異なる材料から構成されることを特徴とする、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ミクロンオーダー面積のバンプを電気めっき法により安定して形成する金属構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】基板１の表面に、それぞれの面積がミクロンオーダーの複数の開口部３Ａを有し、全ての開口部３Ａの合計面積が基板１の面積の０．０１％以下の、めっきマクス膜３を形成するマスク膜形成ステップと、基板１の外周部に、開口部３Ａの合計面積の３０００倍以上の面積を有する外部電極６を形成する外部電極形成ステップと、基板１の開口部３Ａおよび外部電極６を陰極として電気めっき法によりバンプを成膜する電気めっきステップと、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体上のバックグラウンドめっきを抑制する方法を提供する。
【解決手段】方法は、高い光透過性を有する相変換レジストを誘電体上に選択的に堆積させてパターンを形成すること、そのレジストで覆われていない誘電体の部分をエッチング除去すること、並びにその誘電体のエッチングされた部分上に金属シード層を堆積させることを含む。次いで、光誘導めっきによって、その金属シード層上に金属層が堆積させられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加工精度の高い凸状部を低コストで形成することができる電解加工装置、電解加工方法、および構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】電源と、電解加工液を収納する電解槽と、前記電解槽の内部に設けられ、被加工物を載置する載置台と、軸方向の一方の端面を前記載置台に対向させて設けられた電解部と、前記電解部と前記載置台との少なくともいずれかを移動させる移動手段と、を備え、前記電解部の前記軸方向と略直交する方向の面上には、絶縁性を有する絶縁部が設けられていること、を特徴とする電解加工装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】シリンダブロックのシリンダ内へ電極が挿入または退出する場合であっても、流路を形成する電極周りのシール性を確保できること。
【解決手段】シリンダブロックのシリンダにおけるシリンダ内周面のクランクケース面側端部をシール治具１３によりシールして、シリンダ内周面に処理液を導き、このシリンダ内周面に対向配置された電極１２の作用で、シリンダ内周面をめっき前処理またはめっき処理するシリンダブロックめっき処理装置であって、電極１２と、この電極を支持する電極支持部２０と、これらの電極及び電極支持部と共に処理液のための流路を形成する流路構成ブロック６６とが一体化されて、電極をシリンダ内へ挿入または退出するよう電極用シリンダ１７によって移動可能に構成されたものである。 （もっと読む）

【課題】めっき工程の品質を高めた接触マスク又は接着マスクめっき或いは電気化学的加工製法又は装置を提供する。
【解決手段】構造を製造するための適合接触マスキング方法であって、（Ａ）所定の層の少なくとも一部を形成中に、予め形成されたマスク８を供給する工程と、（Ｂ）所定の層の少なくとも一部を、基板６に選択的に堆積する工程とを備える。選択的堆積工程は、ｉ）基板６と上記予め形成された上記マスク８とを接触させる工程と、ｉｉ）選択された堆積材料が上記基板６に堆積し、所定の層を形成するように、めっき液の存在の下で、上記選択されたマスク８内の開口部を介して陽極と陰極との間に電流を供給する工程と、ｉｉｉ）上記選択され予め形成されたマスクを基板から分離する工程とを備えており、ある層の形成中に上記陽極と上記陰極との間の電圧を測定する。 （もっと読む）

【課題】被処理材の表面に、部分的に所望の箇所にめっき被膜を効率的に形成することができるめっき処理装置を提供する。
【解決手段】上面に開口部が形成されためっき液収容槽と、開口部から周面の一部が露呈するようにめっき液収容槽の内部に配置されためっき用ローラ３０と、めっき用ローラ３０に対して開口部を挟んで並設された通電用ローラと、通電用ローラに負極を接続し、めっき用ローラ３０に正極を接続した電源と、を備え、めっき用ローラ３０と通電用ローラとの間に被処理材を搬送してめっき処理する装置であって、めっき用ローラ３０は、その周面３１の一部に、電源からの電流の通電を妨げる非通電部３３Ａ，３３Ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】メッキ剥離用治具の反りや歪みを防止することで、各接地電極について所定範囲に形成されたメッキ層をより確実に除去することができる一方で、主体金具等の表面に形成されたメッキ層の剥離をより確実に防止することができ、ひいては着火性や耐食性の低下をより確実に防止することができる。
【解決手段】メッキ除去装置４１は、複数の保持孔５２を有するメッキ剥離用治具５１を有する。また、メッキ除去装置４１は、接地電極２７が接合された主体金具３を保持孔５２に挿通した状態で、メッキ剥離用治具５１にて保持しつつ、接地電極２７の少なくとも先端部を酸性剥離液ＬＩに浸漬することで接地電極２７の表面に形成された亜鉛メッキ被膜を除去し、亜鉛メッキ層３７を形成する。加えて、メッキ剥離用治具５１は、Ｔｉ又はＴｉを主成分とする合金によって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 先端に整列したナノ構造を提供する。
【解決手段】 先端に整列したカーボンナノチューブを製造する技術が提供される。一実施形態において、先端に整列したカーボンナノチューブを製造する方法は、ナノ構造を先端に形成し、先端を流れる流体を用いて、ナノ構造を先端に整列することを含む。 （もっと読む）