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国際特許分類[C25D5/08]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 電気分解または電気泳動方法;そのための装置 (15,555) | 電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳 (10,553) | 方法に特徴のある電気鍍金;加工品の前処理または後処理 (2,143) | 電解液の移動による電気鍍金,例.ジェット噴射電気鍍金 (77)

国際特許分類[C25D5/08]に分類される特許

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【課題】FPC等の基板に対して、10A/dmを超える大きな電流密度で、基板のスルーホール内部にまで銅イオンを拡散させ均一で良好な高速めっきを行うことができる高速連続めっき処理装置を提供する。
【解決手段】10A/dmを超える電流密度で基板10へのめっきを行う高速連続めっき処理装置であって、めっき元液に酸化銅粉を溶解してめっき液を調製する酸化銅粉溶解槽91を備えた銅イオン供給部90、めっき液をめっき槽70に供給する噴流ポンプ82と、噴流ポンプの先端に接続されて噴流ポンプにより加圧されためっき液を基板面に向けて噴出させる噴流ノズル83とを備えた銅イオン噴流部80、不溶性陽極部60および給電部51、52を有し、噴流ノズルは前記噴流ポンプとの接続部側よりも先端部側が幅広い形状を有すると共に先端面には複数のノズル孔が設けられており、銅イオン噴流部は基板面に対向して交互に配置されている。 (もっと読む)


【課題】めっき膜における膜厚の均一性を向上させることができるめっき装置およびめっき方法、ならびに配線不良を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、基板Wの被めっき面W1が上向きとなるように基板Wを保持しつつ基板Wを回転させるホルダ3と、ホルダ3で保持された基板Wの周縁部W2に接触するカソード4と、ホルダ3で保持された基板Wの中央部W3に向けてめっき液Lを吐出し、かつアノードとしても機能するノズル6とを具備することを特徴とする、めっき装置1が提供される。 (もっと読む)


【課題】通電ロールと陽極電極との距離を従来よりも短くし、電気めっきを行う導電性帯状板の電圧損失を抑制することで、電源容量抑制による電源設備コストの削減並びに電気的エネルギーのランニングコストの削減を実現できる横型電気めっき装置を提供する。
【解決手段】導電性帯状板11を搬送する通電ロール12及び押圧ロール13と、導電性帯状板11表面に隙間を有して配置される陽極電極14、15を有し、導電性帯状板11と陽極電極14、15の間にめっき液16を供給して、導電性帯状板11に電気めっきを行う横型電気めっき装置10において、通電ロール12は、その軸方向両側の通電部21、22の外径Dが通電ロール12の他の部分の外径dよりも大きく、通電部21、22が導電性帯状板11の表面に当接し、通電部21、22の内側で通電ロール12と導電性帯状板11の表面とで形成される空間部23に、隙間を有して陽極電極14を配置した。 (もっと読む)


【課題】めっき皮膜の剥離、特にめっき皮膜の端部の剥離を確実に防止できるシリンダブロックのめっき処理方法及び装置を提供すること。
【解決手段】シリンダブロック1におけるシリンダ内周面3の一端(クランクケース面5側)を、シール治具13を用いてシールして処理液を循環させ、シリンダ内周面3をめっき前処理またはめっき処理し、シール治具13によるめっき処理時のシール位置を、めっき前処理が施された箇所に設定するものである。 (もっと読む)


【課題】被処理面へのシール位置の位置決め精度を向上できること。
【解決手段】シリンダブロック1の被処理面であるシリンダ内周面3に処理液を導く際に、シリンダ内周面に接触してこのシリンダ内周面をシールするシール治具13において、伸縮自在な材料にて構成され、浮き輪形状のシール部材33と、このシール部材の下側面33Cを支持するシール下板34と、このシール下板に対向して配置され、シール部材の上側面33Bを支持するシールベース35とを有し、シール部材33は、エアが内部に導入されたときに、シール下板34とシールベース35により規制されて半径方向のみに拡張され、シリンダ内周面3に接触可能に構成されたものである。 (もっと読む)


【解決手段】本発明は、それぞれが少なくとも一面に導電性材料を備えるシリコン含有ガラス質基板を準備するステップと、電解槽内に存在する電解液を通して各基板の少なくとも一部を連続的に搬送するステップと、電解槽を通した基板の搬送中に導電性材料を陰極として接続し、搬送中に導電性材料上に電解液からの材料を電着するステップと、を含み、搬送中に基板がコンベヤー要素から懸架され基板が搬送方向に延在することを特徴とする太陽電池の製造方法を提供する。本発明は、さらに太陽電池製造装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】めっき槽内でのめっき液の対流攪拌を阻害することなく、スラッジを除去する。
【解決手段】めっき液が貯留されるめっき槽1と、該めっき槽1の上部開口位置で被処理基板Sをめっき液に接触させつつカソード電極6に接続状態に支持する基板支持部3と、めっき槽1内に配置されたアノード電極9と、めっき槽1内にめっき液を供給する液供給手段4と、めっき槽1の上部からめっき液を外部に排出する液排出手段5とを具備するめっき装置であって、液供給手段4はめっき槽1の底部からめっき液を上方に向かって噴出する噴出口11aを有しており、該噴出口11aよりも半径方向外方位置に、めっき槽1中のスラッジGを排出するスラッジ排出口22が形成されている。 (もっと読む)


【課題】めっき処理した半導体基板のめっき膜の形成ばらつきを抑えることができる半導体装置の製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】めっき処理槽1内に設置されたアノード電極設置槽2に設けられたフィルタ(C)8の表面に滞在する気泡を、フィルタ(C)8を振動させることによって離脱させ、電界めっき膜の形成に大きく影響を及ぼす電界の変化を抑制する。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェハ等の被めっき体(基板)にめっきを行う場合に、高電流密度の条件であっても平坦な先端形状のバンプを形成したり、良好な面内均一性を有する金属膜を形成したりする方法を提供する。
【解決手段】めっき液Qを保持するめっき槽10と、めっき槽内のめっき液に浸漬させて配置されるアノード26と、被めっき体Wを保持しアノードと対向する位置に配置するホルダ24と、アノードとホルダで保持した被めっき体との間に配置され、該被めっき体と平行に往復移動してめっき液を攪拌するパドル32と、パドルを駆動するパドル駆動部を制御する制御部を有し、制御部は、パドルの移動速度の絶対値の平均が70〜100cm/secとなるようにパドル駆動部を制御する。 (もっと読む)


【課題】マスクベルトのようなマスク部材を使用して被めっき材の一部にめっきを施す場合にめっき膜厚の均一性を向上させることができる、めっき方法およびその装置を提供する。
【解決手段】搬送される被めっき材としての帯板状の条材20の両面のめっきを施さない部分(非めっき領域)に一対の無端環状マスクベルト22を順次密着させて覆いながら、連続的に条材20に向けてめっき液を流して、条材20の一部にめっきを施す際に、条材20の搬送方向と逆方向に所定の角度だけ傾けて、好ましくは条材の搬送方向と逆方向から15°〜50°だけ傾けて、条材20に向けてめっき液を流す。 (もっと読む)


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