処理剤を用いる製品Ｌの電解処理用装置は、板形状をした製品の処理をより均一にするために用いられる。この装置は、上記装置内で製品Ｌを保持するための機械装置４０、４２と、一つ又は複数の流量装置１０であって、各々少なくとも一つのノズル１５を有しており且つ製品Ｌに向かい合った位置に置かれる流量装置１０と、一つ又は複数の対向電極３０であって、処理剤に不活性であり且つ少なくとも一つの処理表面と平行に置かれる対向電極３０と、一方では製品Ｌと他方では流量装置１０及び／又は対向電極３０との間において処理表面に対して平行な少なくとも一方向に相対運動を発生するための手段４４とを有する。製品Ｌは処理中処理剤内に浸漬され得る。
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【課題】導電性微細物に効率よく電解めっき膜を形成することができる、電解めっき膜形成微細物の製造方法およびそれに用いる製造装置を提供する。
【解決手段】電解めっき液５に導電性微細物６を分散させた混合液を循環流路に流して循環させるとともに、その循環流路の一部に上記混合液の流れる方向に沿って設けられた、対向する陽極３１と陰極３２の間に電圧を印加することにより、上記導電性微細物６が上記陰極３２に接触した際に、その導電性微細物６に電解めっき膜が形成されるようにした。 （もっと読む）

【課題】高速めっきにおいても、プリント回路のような微細なスルーホールの内部にも十分にめっきを施すことができると同時に、不均一めっきや焦げめっきの発生を抑制することが可能な、電気めっき装置を提供する。
【解決手段】めっき槽５の内部に、アノード３およびカソード１が配置され、前記アノード３と前記カソード１の間に電流分散用遮蔽板６が配置され、前記カソードと前記電流分散用遮蔽板６の間に、板状ブレード７が配置されており、さらに、前記板状ブレード７を、前記カソードに対して略平行に往復運動させる運動機構を備えると共に、前記板状ブレード７が前記往復運動することにより、前記めっき液に前記カソード方向の流速を与えるように、前記板状ブレード７が前記カソードに対して傾斜して配置されていることを特徴とする電気めっき装置。 （もっと読む）

【解決手段】図（ｃ）に示すように、パレット１２に載ったままの円筒部材１１に、めっき液噴射管１７を上から挿入し、このめっき液噴射管１７から噴射しためっき液で円筒部材１１の内部をめっき処理する。用済みのめっき液は、下部排液路１５を介して下へ排出すると共に、上部排液路１８を介して上へ排出する。
【効果】めっき処理中に噴射後のめっき液は上と下とに排出される。この結果、円筒部材１１の上部と下部のめっき膜厚は、同一になる。また、めっき処理後は、下部開口閉塞部材１４の上面からめっき液を抜くため、排出中のめっき液がパレット１２やシリンダブロックのスカート２２に付着する心配が無く、めっき液の無駄使いを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】基板とアノードとの間に抵抗体を設置したFace Down方式のめっき装置であっても、基板の被めっき面に気泡が入り込むことなく被めっき面全体を確実にめっき液に接触させて均一なめっきが行えるめっき方法及びめっき装置を提供すること。
【解決手段】下向きにした基板Ｗの被めっき面Ｗ１と、基板Ｗの下方に設置したアノード２０との間にめっき液Ｑを介在した状態で基板Ｗとアノード２０間に電圧を印加することで、被めっき面Ｗ１にめっきを行う。アノード２０の上部に抵抗体３０を設置して抵抗体３０の上までめっき液Ｑを満たし、抵抗体３０の上面に沿って抵抗体３０の外周から中心の方向へ向かってめっき液Ｑを流すことにより抵抗体３０上面の中央にめっき液Ｑの盛り上がりを作り、この状態で下向きにした基板Ｗを降下させることによりめっき液Ｑに浸漬させて、被めっき面Ｗ１と抵抗体３０上面の間の隙間をめっき液で満たす。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウエハ下に電解メッキにより形成される柱状電極の高さのばらつきを軽減する。
【解決手段】 カップ状のめっき槽１の周壁上部の等間隔で離間する４領域には第１〜第４のめっき液流出ノズル９ａ〜９ｄが設けられている。そして、めっき槽１内の下部中央部に設けられためっき液噴出ノズル６からめっき液４をめっき槽１内に噴出させるとともに、第１〜第４のめっき液流出ノズル９ａ〜９ｄから順次めっき液４を水平に流出させる。これにより、半導体ウエハ１８の下面に対するめっき液４の主な流れ方向が順次変化し、半導体ウエハ１８の下面全体に対するめっき液４の流れが均一化され、めっきの均一性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】めっき槽内の電流密度分布を均一に調整し且つめっき液の流れを調整してめっき膜厚均一性とめっき表面の均一性を高めるめっき装置及びめっき方法を提供する。
【解決手段】めっきユニット３０内に保持されるめっき液Ｑをアノード１０側と基板Ｗ側に遮断するように設置され抵抗体Ｒを保持する抵抗体ホルダ６０と、抵抗体Ｒを経由しない電気経路を遮断するシール１７０と、基板Ｗと抵抗体Ｒとの間の隙間Ｓ１にめっき液を噴射して流通させるめっき液噴射口１８３Ａ，Ｂと、抵抗体Ｒ及び抵抗体ホルダ６０で区画されたアノード領域Ａ２及び基板領域Ａ１内にそれぞれめっき液を循環させるめっき液循環系２５０，２６０とを具備する。オーバーフロー槽４０に、基板領域Ａ１とアノード領域Ａ２からそれぞれオーバーフローするめっき液を遮断する仕切り部材を設ける。 （もっと読む）

【課題】シールローラによって基材を挟持せずに、処理槽に形成された開口からの処理液の流出を抑制するシール機構を備えた基材処理装置を提供する。
【解決手段】内部に処理液が収容された処理槽１を有し、処理槽の対向側面１ｂに、それぞれ帯幅方向が上下方向に向けて配設されて搬送される帯状の基材ｗを通過させる細長状の開口１０が形成され、開口の周囲にそれぞれ処理液の流出を抑制するシール機構２が備えられた基材処理装置とした。シール機構には、処理液の液面下の開口側に向けて液体を噴出させる液体噴出ノズル２０を設けた。また、対向側面の外部には、当該対向側面を一側面として開口を囲繞する有底筒状の回収槽２２を設け、この液体噴出ノズルを回収槽内であって、かつ開口を間に挟む両側にそれぞれ設け、各々処理液を記開口を通過する基材の搬送方向に交差する方向に向けて液体を噴出するように配設した。 （もっと読む）

【課題】 チップ状電子部品の外部電極上に任意で均一な厚みのめっき膜を形成することが可能なめっき方法を提供する。
【解決手段】 めっき液吹き付けノズル２５内に陽極２９を配置し、チップ状電子部品１１の表面の少なくとも一つの外部電極１４にノズルが対向するようにかつ電子部品の表面の下側半分をめっき液２３からマスキングした状態に保持手段２０で保持し、電子部品の前記外部電極の表面の一部に陰極プローブ２６を接触させ、陽極とプローブとの間に電圧を印加しながらノズルから外部電極にめっき液を吹き付けてめっきし、その後、外部電極の表面の前記と異なる位置に陰極プローブを接触させて再びめっきする。このため、チップ状電子部品の外部電極の表面のうち先の陰極プローブの接触位置の近傍にめっき膜の未着部分が生じるのを防止でき、任意で均一な厚みのめっき膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】適切な成膜処理が出来るメッキ処理装置を提供する。
【解決手段】基板（７）に浸漬させるメッキ液を貯留するメッキ処理槽（１２）と、基板（１）を水平面内に回転可能に保持する基板保持部（１１）とを具備するメッキ処理装置（１）を構成する。ここで、メッキ処理槽（１２）は、メッキ処理槽内部に構成されたアノード電極（１５）を含むものとする。また、基板保持部（１１）は、基板（７）に接触して電圧を印加するカソード電極を含むものとする。
そのメッキ処理装置（１）は、メッキ処理槽（１２）から、第１排出部を介して排出されるメッキ液を、メッキ処理槽に循環させるメッキ液循環流路（８）と、アノード電極（１５）上を流れ、第２排出部を介して排出されるメッキ液を、メッキ液循環流路（８）に提供する第２流路（１４）と、メッキ液循環流路（８）と第２流路（１４）との間に設けられ、第２流路（１４）からのメッキ液の流量を制御する流量制御バルブ（６）とを具備する。 （もっと読む）