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国際特許分類[C25D5/18]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 電気分解または電気泳動方法;そのための装置 (15,555) | 電気分解または電気泳動による被覆方法;電鋳 (10,553) | 方法に特徴のある電気鍍金;加工品の前処理または後処理 (2,143) | 変調電流,パルス電流または逆電流を使用する電気鍍金 (112)

国際特許分類[C25D5/18]に分類される特許

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【課題】 袋状の微細管の内壁面に対しても、貫通孔を設けることなく均一なメッキ膜を形成することが可能な方法及びシステムを提供する。
【解決手段】 本方法は、真空雰囲気内に配置された微細管にプラズマを照射することにより、内外壁面の不純物を除去するプラズマ洗浄工程と、不純物が除去され内空間に空気が残留していない状態の真空雰囲気内の微細管を脱脂液に浸漬させ、真空雰囲気を大気圧雰囲気に置換することにより、微細管の内空間の全体に脱脂液を注入し、微細管の内壁及び外壁の脱脂処理を行う脱脂工程とを含む。本方法は、さらに、脱脂された微細管の少なくとも内空間に空気が入らないようにしながら脱脂液を洗浄液に置換し、微細管を洗浄する脱脂液洗浄工程と、洗浄された微細管の少なくとも内空間に空気が入らないようにしながら洗浄液をメッキ液に置換し、微細管にパルスリバース電気メッキ処理を行うメッキ工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】電気的接続の信頼性を損なうことなく電気抵抗率を従来よりも低減できる埋め込み配線を有する半導体装置用基板および半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明は、上記目的を達成するため、埋め込み配線を有する半導体装置用基板であって、前記埋め込み配線は、金属多結晶体からなり、平均結晶粒径が異なる少なくとも2層の領域を前記基板の厚さ方向に有し、前記埋め込み配線の開口面を含む層の平均結晶粒径が、前記埋め込み配線の他の層の平均結晶粒径よりも小さいことを特徴とする半導体装置用基板を提供する。また、本発明は、上記半導体装置用基板を用いたことを特徴とする半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】高硬度かつ低抵抗のめっき膜、前記めっき膜を電気接点とする電子部品、前記めっき膜を成膜可能なめっき液、および、前記めっき膜の製造方法を提供する。
【解決手段】めっき膜10は、Au(100−x−y)−M−Cからなる。ただし、MはAu以外の金属元素であり、1≦x≦22、かつ、3≦y≦30、かつ、4≦(x+y)≦40である。めっき液50は、Auイオンと、Niイオンと、くえん酸(Cit)イオンと、CNイオンと、を含む。 (もっと読む)


【課題】電気亜鉛めっき形成の前後に特別な処理を必要とすることなく、リン酸塩処理性に優れた電気亜鉛めっき鋼板を提供することにある。
【解決手段】被処理鋼板の上に、亜鉛めっき表面の三次元粗さパラメータのスキューネス(Ssk)が0.34以上であり、該Sskの算出の際のスプラインハイパスフィルター処理のカットオフ波長(λ)が10μmである電気亜鉛めっき層を具えることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】めっき時における平均電流値をより高くした効率的なめっきによるめっき膜の埋込みを行ってめっき時間を短縮し、しかも理想的なめっき膜の埋込みを行うことができるようにする。
【解決手段】内部にスルーホールを形成した基板をめっき液中に浸漬させてめっき槽内に配置し、めっき槽内に配置される基板の表面及び裏面にそれぞれ対向する位置にアノードをめっき槽内のめっき液中に浸漬させて配置し、基板の表面と該表面と対向する位置に配置されるアノードとの間、及び基板の裏面と該裏面と対向する位置に配置されるアノードとの間に、パルス電流を供給して基板の表裏両面に所定時間のめっきを行うめっき処理を複数回に亘って行い、基板の表面と該表面と対向する位置に配置されるアノードとの間、及び基板の裏面と該裏面と対向する位置に配置されるアノードとの間に、めっき時とは逆方向の電流をそれぞれ供給する逆電解処理をめっき処理の間に行う。 (もっと読む)


【課題】アスペクト比が高く、埋込み深さの深いビアの内部に、ボトムアップ成長を促進させながら、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に効率よく埋込むことができるようにする。
【解決手段】ビアが形成された基板の表面とアノードとを互いに対向させつつ、めっき槽内のめっき液中に基板とアノードとを浸漬させて配置し、前記基板と前記アノードとの間に、電流値を一定としためっき電流を、供給と停止とを断続的に繰返しながら、めっき電流が流れる時間の占める割合がめっきの進行に伴って大きくなるように変化させて、前記ビア内にめっき金属を埋込む。 (もっと読む)


【課題】たとえ銅シード層に比べて誘電率の低いRu等からなる補助金属層に覆われたビアホールや、Ru等からなる補助金属層が一部に露出したビアホールであっても、ビアホールの内部に、内部にボイド等の欠陥を生じさせることなく、銅等のめっき金属を確実に埋込むことができるようにする。
【解決手段】表面にビアホールが形成された基板を前処理液に浸漬させて前処理を行い、基板とアノードとの間に電圧を印加することなく、基板をめっき液に浸漬させてビアホール内の前処理液をめっき液に置換し、基板とアノードとの間に印加される電圧を、ビアホール内にめっき金属を埋込むのに適した電流が基板とアノードとの間を安定して流れるのに必要な電圧または該電圧より高い電圧に制御して第1段電気めっきを行い、基板とアノードとの間を流れる電流を、ビアホール内にめっき金属を埋込むのに適した電流に制御して第2段電気めっきを行う。 (もっと読む)


【課題】シリンダ内周面における潤滑油の保持性を高めてシリンダ内周面とピストンとのフリクションを低減すると共に、シリンダの生産性を向上すること。
【解決手段】ピストン11が収容されるボア12を画成するシリンダ内周面13にめっき皮膜14が形成された内燃機関のシリンダ製造方法であって、シリンダ内周面13にボーリング加工を施して複数本の線状のボーリング加工凸部29Aを形成し、次に、シリンダ内周面13にめっき処理を施して、ボーリング加工凸部29Aに沿ってめっき用金属が粒成長するめっき凸部31Aとこのめっき凸部間のめっき凹部31Bとを備えるめっき層31を形成し、次に、めっき凹部31Bを残すようにめっき凸部31Aをホーニング加工してめっき皮膜33を形成し、このめっき皮膜に平滑なプラトー面28を形成すると共に、めっき凹部31Bを、不規則に延び且つ潤滑油35を保持可能なオイルポケット27として機能させる。 (もっと読む)


【課題】絶縁性基材に設けられた微細孔への金属の充填率が高く、かつ、金属充填に伴う残留応力によって微細構造体に反りが発生することを防止することができる金属充填微細構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基材に設けられた貫通孔101,102等の平均開孔径が10〜5000nmであり、平均深さが10〜1000μmであり、前記貫通孔の密度が1×106〜1×1010個/mm2である絶縁性基材に、前記貫通孔への金属の仮想充填率が100%よりも大きくなるように、電解めっき処理により前記貫通孔へ金属を充填する工程、絶縁性基材の表面に付着した金属を研磨処理により除去する工程を有し、前記貫通孔内部に充填される金属の結晶粒子径と、前記絶縁性基材の表面に付着する金属の結晶粒子径と、の差が20nm以下となるように前記電解めっき処理を実施することを特徴とする金属充填微細構造体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】表裏両面が均一な形状で特にリチウムイオン二次電池のケイ素系活物質の特性を充分に発揮させて該二次電池の高容量と充放電の長寿命を同時に達成できる負極集電体用銅箔を提供し、該銅箔を用いた負極電極を提供することを課題とする。
【解決手段】無酸素銅からなる未処理圧延銅箔の表面にパルス陰極電解粗化処理で金属銅からなる第一粗化処理層が設けられ、該第一粗化処理層表面に平滑銅メッキ処理による第二銅メッキ層が設けられているリチウムイオン二次電池の負極集電体用銅箔、その製造方法である。 (もっと読む)


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