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国際特許分類[C25D5/54]の内容

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【課題】耐火物の表面にコーティングされた酸化防止剤が、加熱によって膨れ、凝集、剥がれ、または流出することがなく、熱伝導率を向上させることができる黒鉛含有耐火物を提供する。
【解決手段】本発明の黒鉛含有耐火物1は、耐火物の表面に金属コーティング層2を形成した黒鉛含有耐火物である。耐火物の表面に金属コーティング層2が形成されていることにより、酸化防止剤が、加熱によって膨れ、凝集、剥がれ、または流出することがなく、熱伝導率が高くなり溶融時間の短縮等の効果を奏する。 (もっと読む)


【課題】導電性長繊維の繊維束を芯線とする被覆電線において、軽量で導電性に優れ、柔軟性に優れかつ繊維束の収束性が良好で端部のストリッピングされた部分でケバ立ちを生じにくい被覆電線を提供しようとする。
【課題を解決するための手段】導電性長繊維の繊維束を芯線とする被覆電線であって、前記導電性長繊維が、非金属線の表面に無電解メッキ層が形成されさらに該無電解メッキ層の表面に電解メッキ層が形成されてなり、前記芯線中で互いに隣接の導電性長繊維同士が前記電解メッキ層を形成する金属を介して部分的に結合された連接部を有し、前記繊維束の断面で観察される前記連接部で結合された導電性長繊維の平均本数が、前記繊維束を構成する導電性長繊維の総本数の10〜80%である被覆電線である。 (もっと読む)


【課題】電極の構成およびその製造方法が従来よりも、低コストで導電性能が低下せず、多数の製造工程を必要としない電極形成基板およびその製造方法および同電極形成基板を提供する。
【解決手段】ガラス基板2と、ガラス基板2上全体に成膜されたITO3膜と、電極形状に形成された金属めっき膜5と、を有する電極形成基板1であって、ITO膜3上には、パターニングされたストライクめっき膜4を備え、ストライクめっき膜4を介して、ITO膜3と金属めっき膜5とは、密着し、ストライクめっき膜4上にのみ金属めっき膜5を形成し、金属めっき膜5は、電解めっきを用いて形成されている。 (もっと読む)


【目的】高分子繊維材料の強度(強力)を低下させずに密着性を向上させ、これにより、めっき皮膜の導電性の低下を防止するともに、導電性のバラツキを減少させることができる高分子繊維材料のめっき方法等を提供すること。
【解決手段】本発明に係るめっき方法は、(1)高分子繊維材料をラジカル処理するラジカル処理工程と、(2)ラジカル処理工程を経た高分子繊維材料Aをカチオン系界面活性剤溶液に浸漬するカチオン処理工程と、(3)カチオン処理工程を経た高分子繊維材料BをPdとSnのコロイド溶液に浸漬するSn−Pd触媒浸漬工程と、(4)Sn−Pd触媒浸漬工程を経た高分子繊維材料Cを酸溶液に浸漬するアクセレーター処理工程とを備える。更に、Sn−Pd処理工程を経た高分子繊維材料Dを無電解めっき又は電気めっきするめっき工程を備えるとよい。 (もっと読む)


【課題】リチウムイオン電池、キャパシタ、燃料電池等の二次電池の集電体や、各種フィルタ、触媒担持体等に適し、その切断面においても高耐食性を有する金属多孔体とその製造方法の提供。
【解決手段】少なくともNiとCrとを含む合金からなる3次元網目状構造を有する金属多孔体であって、該金属多孔体の骨格が中空の芯部と外殻とからなり、該外殻の断面を厚み方向に均等に外側、中央部、内側に3分割して、外側部分、中央部部分、内側部分におけるCrの重量パーセント濃度をそれぞれa、b、cとしたとき、該a、b、cが式(1)の関係を満たすことを特徴とする金属多孔体。
|(a+c)/2−b|÷(a+b+c)/3 < 0.20 (1) (もっと読む)


【課題】切断時のバリの発生、あるいは、切断面からのダスト発生を招くことなく、形状の制約なしに、基板上に、めっき加工によって高精度の回路パターンを有する回路基板を形成する。
【解決手段】本発明の回路基板の製造方法は、少なくとも表面が絶縁性を呈する、個片状の絶縁性基体を用意する工程と、絶縁性基体表面に下地層を形成する工程と、下地層のうち、回路部と、給電用のパッド領域を残して、回路部の絶縁部となる非回路部の境界領域を選択的に除去し、輪郭を形成する輪郭形成工程と、パッド領域の下地層を給電部としてめっきを行い、めっき層を形成するめっき工程と、表面に露呈する前記下地層を選択的に除去する工程とを含み、前記回路部および前記給電用のパッド領域の端面が、前記絶縁性基体の端面から所定の距離を隔てて形成され、前記回路部及び前記給電用のパッド領域において、前記下地層表面全体が前記めっき層で被覆されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】反りが低減し、機械的強度が高くなり、平坦性が向上する金属充填微細構造体、および、その製造方法の提供。
【解決手段】1×106〜1×1010/mm2の密度で、孔径10〜5000nm、深さ50〜1000μmの貫通孔を有する絶縁性基材からなる貫通構造体の貫通孔内部に、貫通孔の深さの80%以上の深さまで金属が充填されている金属充填微細構造体とその製造方法。 (もっと読む)


先端の集積回路にみられる切欠構造(206,207,208,209,211,213,264,275a,275b)において、長尺のルテニウム金属膜(214)に多段階で銅鍍金を行う方法である。長尺のルテニウム金属膜 (214)を利用すると、銅金属がトレンチ(266)及びビア(268)のような高アスペクト比の切欠構造(206,207,208,209,264,275a,275b)を充填するあいだ、不要な微細気泡が形成を防ぎ、前記ルテニウム金属膜(214)上に長尺の銅金属層(228)を含むサイズの大きい銅粒(233)が鍍金形成される。銅粒(233)は銅が充填された切欠構造(206,207,208,209,211,213,275a,275b)の電気抵抗を低下させ、集積回路の信頼性を向上させる。
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【解決手段】絶縁性部分を含む被めっき物の該絶縁性部分にめっきを施すための触媒付与溶液であって、水溶性パラジウム化合物、還元剤、分散剤、カテコール、銅酸化防止剤、及び緩衝剤を含有し、pHが4以上であることを特徴とする触媒付与溶液。
【効果】Pd−Snコロイド溶液と比べると、Snを含有しないPd単独のコロイド溶液であるので、プレディップ処理やSn除去処理が不要となり、触媒付与処理が簡略化できる、pHが4以上であるため、ハローイングが生じない、触媒付与溶液中の還元剤により還元雰囲気にあるので、銅表面が酸化されず、銅溶解が生じないことから、パラジウム置換反応が起こらない、といった利点がある。 (もっと読む)


本発明は、金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドの製造方法であって、ホウ素ドープダイヤモンド前面に金属ナノ粒子を沈着させる前にホウ素ドープダイヤモンド前面を酸処理することで強酸化剤を生成する工程を含む、方法に関する。酸洗浄により得られた金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドは、酸素終端化された前面を有する。金属ナノ粒子改質ホウ素ドープダイヤモンドは、酸素センサーとして電極中に用いられ得、この電極は、ホウ素ドープダイヤモンド柱を製造し;この柱の前面のみが露出するように柱を絶縁し;柱の前面を研磨し;柱の前面を酸処理し;柱の前面に金属ナノ粒子を沈着させることで作製され得る。 (もっと読む)


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