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国際特許分類[C25D7/12]の内容

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【課題】基板の所定位置に高い位置精度で処理液を供給し、当該基板を適切に処理する。
【解決手段】ウェハWのアライメント領域13上に純水Pを供給する(図9(a))。テンプレート20をウェハWの上方に配置する(図9(b))。純水PによってウェハWの処理領域12の上方にテンプレート20のめっき液流通路30が位置するように、テンプレート20とウェハWを位置調整する(図9(c))。テンプレート20を下方に移動させる(図9(d))。めっき液流通路30にめっき液Mを供給する(図9(e))。テンプレート20の第1の親水領域41と処理領域12との間にめっき液Mを充填する(図9(f))。めっき処理を行い、ウェハWの貫通電極10上にバンプ110を形成する(図9(g))。 (もっと読む)


【課題】本発明は、めっき膜が形成された半導体基板の吸着不良及び搬送ミスを抑制可能であると共に、コンタクトシール部材の交換頻度を少なくすることの可能な半導体装置の製造方法、及びめっき装置を提供することを課題とする。
【解決手段】半導体基板11の表面11a(主面)に形成されためっき用レジスト膜25の表面のうち、外周部分と接触し、該めっき用レジスト25の表面側にめっき液32を保持するコンタクトシール部材35を用いて、めっき膜47を形成する工程を含む半導体装置の製造方法であって、コンタクトシール部材35のうち、めっき用レジスト膜25と接触する第1の部分41の材料として、コンタクトシール部材35を洗浄する薬液及びめっき液32に対して耐性を有した材料を用いる。 (もっと読む)


【課題】表面電極にめっき層を形成する際に、裏面電極に不必要なめっき層が形成されることによる裏面電極の電気抵抗の影響を抑制しつつ、表面電極にめっき層を欠陥無く形成できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面1aに半導体素子の表面電極2が形成され、裏面1bに半導体素子の裏面電極が形成された半導体ウェハ1を用意する工程と、半導体ウェハ1の表面電極2にめっき層3を形成するめっき工程とを有する半導体装置の製造方法において、めっき工程では、表面電極2と半導体ウェハ1の側面1cとを露出した状態とし、かつ、半導体ウェハの裏面1bの全域を被覆した状態として、半導体ウェハ1をめっき液に浸してめっき層を形成する。 (もっと読む)


【課題】電気めっき装置のハードウェアトラブルを低減しながら、銅めっき膜の均一性を保つ。
【解決手段】自動分析器14は、電極16,17間に印加されている電圧を検出し、その電圧値が設定電圧範囲内であるか否かを判断する。検出した電圧値が、設定電圧範囲の下限値よりも低い場合、自動分析器14は、検出した電圧値に基づいて、基本液の不足量を算出し、バルブ11を制御して不足分の基本液を補充した後、めっき液タンク6内のめっき液が規定量を保つようにバルブ13の動作制御を行い、めっき液を廃液する。また、検出した電圧値が設定電圧範囲の上限値よりも高い場合、検出した電圧値に基づいて基本液の超過量を算出し、バルブ12を制御して基本液の濃度が規定範囲内となるように純水をめっき液タンク6に補充してめっき液を薄めた後、バルブ13を制御して規定量を保つようめっき液を廃液する。 (もっと読む)


【課題】気泡の抜けが比較的よく、広い設置面積を必要としないディップ方式を採用し、しかもアノードとして強磁性体を使用したとしても、磁気異方性の均一性に影響を与えることを極力防止しつつ、基板表面に磁性体膜を形成することができるようにする。
【解決手段】めっき槽302と、めっき時にめっき電源の陽極に接続されるアノード318と、基板を保持してアノードと対向する位置に位置させる基板ホルダ26と、めっき槽の周囲に配置され、基板ホルダで保持してアノードと対峙した位置に位置させた基板の周囲に基板に平行な鉛直方向の磁界を発生させる、筒状の電磁石からなる磁界発生装置306を有し、磁界発生装置は、鉛直方向に配置され、独立した電流を流すことで、鉛直方向に強さの異なる磁界を発生させる複数のコイル332a,332b,332cを有する。 (もっと読む)


【課題】X線位相コントラストイメージング用の高アスペクト比グリッドの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板306に高アスペクト比の凹部302を形成すると共に、凹部底表面にメッキ金属の初期成長サイトの生成を凹部側表面よりも促進するための表面プロファイル特徴部を形成する。その後、メッキにより金属を凹部に充填する。金属が充填された高アスペクト比の凹部を、X線位相コントラストイメージング装置においてX線格子として用いることができる。 (もっと読む)


【課題】角形基板のめっき処理にカップ方式のめっき法を使っても、均一なめっき厚さを得ることができるめっき装置を提供する。
【解決手段】本発明のめっき装置100は、底面にめっき液噴出口130が形成されためっき槽110と、めっき液噴出口130の上部に位置し、スリット155が形成された陽極部150と、めっき槽110の上部に位置する陰極部120とを含む。 (もっと読む)


【課題】処理液の流れ方向を自在に切替えることができ、かつ処理液の流れ方向を切替える際に、処理液の全体的な流量の変化や流れの不均一を生じさせることのないようにする。
【解決手段】処理槽20に接続され、該処理槽20内に方向が異なる処理液の流れが形成されるように切替えて使用される複数の入口配管26a,26b及び出口配管28a,28bと、入口配管26a,26b及び出口配管28a.28bを通して処理槽20内に処理液を供給し循環させるポンプ30を備え、入口配管26a、26b及び出口配管28a,2/8bには、切替えて使用される時に、内部を流れる処理液の流量が時間ととも変化するように制御部48で制御される流量制御装置44a,44b、46a,46bがそれぞれ設けられている。 (もっと読む)


【課題】半導体基板の表面との間で封止を形成して、基板の外周領域に電解質が入らないようにするエラストマーリップシール、および封止および電気接続のためのコンタクト部を備える電気メッキ用クラムシェルを提供する。
【解決手段】可撓性のコンタクト部404は、エラストマーリップシール402に一体化されており、エラストマーリップシールの上面にコンフォーマルに配置されており、屈曲して、基板406と適合するコンフォーマルなコンタクト面を形成する。エラストマーリップシールの一部は、クラムシェルにおいて基板を支持、位置合わせおよび封止する。 (もっと読む)


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