本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】短時間でめっき処理前の状態に戻すことができる錫めっき処理材の被膜剥離方法を提供する。
【解決手段】基材の表面に形成される下地層とその下地層の表面に形成される錫合金表面層とを有する錫めっき処理材の被膜を剥離する方法は、以下の段階を含む。まず、フッ素またはフッ素化合物を含む酸性溶液またはアルカリ性溶液である表面層溶解溶液５０に錫合金めっき処理材を浸漬し、通電用電極板６１と６２との間に電圧を印加し通電し、下地層が少なくとも部分的に露出する程度に錫合金表面層を溶解する。次に、下地層が部分的に露出した錫めっき処理材を下地層溶解溶液に浸漬する。すると、下地層は下地層溶解溶液に溶解し、錫めっき処理材に残存する錫合金表面層は下地層から剥離する。このような方法によると錫合金表面層の全てを溶解することがないため、短時間でめっき処理前の状態に戻すことができる。 （もっと読む）

【解決課題】 金属板の表面に残存した、例えば、金、銀、クロム、ニッケル等で構成される多種・多層の金属層を、金属基板を痛めることなく一度に短時間で剥離する方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、金又は銀からなる少なくとも１層の第１の金属層と、クロム又はニッケルからなる少なくとも１層の第２の金属層とが交互に積層した金属板から、前記第１の金属層及び前記第２の金属層を剥離する方法であって、前記金属板をシアン系アルカリ溶液に浸漬すると共に、前記金属板を陽極として通電と無通電とを交互に繰り返すパルス電解をかける工程を備える金属基板からの金属剥離方法である。ここで、パルス電解の通電時の電流値および電圧は、１ｍＡ／ｃｍ^２〜１Ａ／ｃｍ^２、１Ｖ〜１００Ｖとすると共に、通電時間は０．１秒〜６０秒、無通電時間は１秒〜１０分とするのが好ましい。 （もっと読む）

液体に少なくとも部分的に沈められているウェハーに電力を供給するための方法及び装置。装置は、液体に満たされた容器と、液体を通して少なくとも部分的に沈められているウェハーを輸送するためのウェハー運搬装置を含む輸送装置と、ウェハーに電力を供給するための電力供給装置を備える。
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【課題】簡単な構成で電解生成物を除去する効果的な電解液の流れを形成して高速電解剥離を持続させることが可能な電解剥離用陰電極構造体を提供する。
【解決手段】陽極として作動する平板状被加工物１１との間に電解液を介在させて通電し、平板状被加工物１１の表層部を電解剥離する電解剥離用陰電極構造体１０において、平板状被加工物１１の幅方向に隙間を有して配置され、平板状被加工物１１の幅方向に渡って電解液を噴出する溝形の電解液ノズル１２が底部中央に設けられた保持ブロック１３を備え、保持ブロック１３の電解液ノズル１２の前後方向片側又は両側には陽極と対となる陰極１４が形成され、更に、電解液供給路１５から、電解液ノズル１２に幅方向に均一に電解液を供給する複数の電解液流入路１６を有する。 （もっと読む）

【課題】硬質材層を除去する
【解決手段】硬質合金製工作物上に布設された硬質材層の除去が電気分解による不動態化によって行われ、その際、層除去プロセスの始めには、少なくとも０．０１Ａ／ｃｍ²の最大電流密度が工作物において設定される。これによって、その下にある硬質合金材料が重大な損傷を受けることなく、硬質材層が一気に剥落する。 （もっと読む）

【課題】金属基材、例えば超合金部品からの低アルミニウム（Ａｌ）含有の皮膜を基材から選択的に除去する方法を提供する。
【解決手段】アルミニウムを皮膜内部に拡散させる。この皮膜を、式Ｈ_ｘＡＦ_６を有する１種以上の酸及びこの酸の前駆体を含む水性組成物と接触させる。式中のＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択され、ｘは１〜６である。除去される皮膜はＭｃｒＡｌ（Ｘ）材料であることが多い。基材は金属、通常超合金である。 （もっと読む）

部材から金属被覆を電気化学的に取り除くための方法。本発明は、部材（４、１２０、１３０）から金属被覆を電気化学的に取り除くための方法であって、部材（４、１２０、１３０）が電解質溶液（２）に浸漬され、電解質（２）に接触した補助電極（３）と部材（４、１２０、１３０）とに電流が通されるものに関する。＞１０〜＜９０％のデューティサイクルと５ｍＡ／ｃｍ²〜１０００ｍＡ／ｃｍ²の２つの電流密度と５Ｈｚ〜１０００Ｈｚの周波数とを有するルーチンで電流はパルス化されている。 （もっと読む）

【課題】痕や応力変形などを残さずに導電性金属酸化物薄膜を除去する方法と装置を提供する。
【解決手段】基材１１の表面に形成された導電性金属酸化物薄膜１２に対向すべく、正電極１３と負電極１４を交互に複数対配置する。その後、これらの正電極１３、負電極１４と導電性金属酸化物薄膜１２の間に電解液１５を介在させた状態で、両電極１３，１４に電源１６から電圧を印加する。このような操作によって、基材１１表面の導電性金属酸化物薄膜１２を還元反応により除去する。
【効果】疵や応力変形を生じさせずに導電性金属酸化物薄膜を基材の端部まで効率良く除去でき、高価な機能性ガラス基板などの再生利用が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 基材に擦過痕などを残さず、基材に形成された導電性金属酸化物薄膜を除去する方法と装置を提供する。
【解決手段】 保持手段１７によって導電性金属酸化物薄膜１２を有する基材１３を電解液１１の界面近傍に位置させる。電解液１１に第１電極１４の一端側を浸漬させる。基材１３の導電性金属酸化物薄膜１２と対向状に、第２電極１５の一端を電解液１１の界面と間隔を存して配置する。電解液供給手段１８により第２電極１５に沿わせて電解液１１を供給しつつ、第１電極１４が負極、第２電極１５が正極となるように電源１６より電圧を印加し、第２電極１５の一端側と、供給する電解液１１の界面との間に発生させる放電現象によって導電性金属酸化物薄膜１２を除去する。
【効果】 基材に形成された導電性金属酸化物薄膜を効率良く除去でき、半導体分野で用いられる高価な機能性ガラス基板などの再生利用が可能になる。 （もっと読む）