【課題】基板を保持、移送し陽極化成槽の一部とする機構を有する、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置と、多孔質層を形成した半導体基板を提供する。
【解決手段】左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９で複数枚の基板Ｗを保持した状態で処理位置に移動させ、上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と連結させ、貯留槽１１の内部で複数枚の基板Ｗの全周面が電解質溶液に対して液密にされる。この状態で化成反応処理を行った後、基板Ｗが貯留槽１１から搬出される。従って、左側ホルダ部６７及び右側ホルダ部６９が上側ホルダ部７１及び下部ホルダ３９と協働して基板Ｗを液密に保持可能な構成とし、複数枚の基板Ｗを搬送し、多孔質層を形成でき、自動化及びバッチ処理に好適な陽極化成装置１を実現でき又、表裏、両表面に効率良く、かつ均一に形成された多孔質層を具備する半導体基板を本装置により提供可能となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、微細加工、高アスペクト比加工あるいは深穴加工に対応可能な電解液ジェット加工の技術を提供するためのものである。
【解決手段】電解液ノズル１は、工作物Ｗに向けて電解液１２を放出する。気体ノズル２は、電解液１２と同軸となる方向において、工作物Ｗに向けて気体１３を吹きつける。電源３は、電解液と工作物との間に電流を流すことができる構成となっている。 （もっと読む）

【課題】ステンレス加工物の表面の溶接焼けを、電気分解機器と、アース、並びに自動給液ホルダーを介して、焼付け箇所に、電解液の給液と中和剤の噴射とで、表面の溶接焼けを除去する方法において、廃液をそのまま下水に流すことができる組成物を提供する。またこの組成物を利用したステンレス加工物の表面の溶接焼けの除去方法を提供する。
【解決手段】弱酸と食酢、及びミネラル、並びにアルコール分を含む薬酒を原料とした組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】蒸着マスクに強固に付着した付着物を、蒸着マスクにダメージを与えるおそれを低減しつつ、効率よく除去する蒸着マスク洗浄装置、蒸着マスク洗浄システムおよび蒸着マスク洗浄方法を提供する。
【解決手段】有機ＥＬデバイスの製造工程に用いられる蒸着マスク１６を洗浄するための蒸着マスク洗浄装置としての電解洗浄装置１３は、蒸着マスク１６を収容する洗浄槽としての電解槽２０と、電解槽２０にアルカリ性の電解液を供給するポンプ２１および貯留槽２２からなる電解液供給部と、洗浄槽内に設けられている陽極電極２３および陰極電極２４の電極と、陽極電極２３および陰極電極２４の電極間に通電する通電部２６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】拡面処理される箔、とくに電解コンデンサ用電極に用いられる箔のピット形成位置を高密度に配列させ、単位体積当たりの拡面率の大きい、箔及びその製造方法を煩雑な装置を用いることなく安価に提供する。
【解決手段】所定の開口を有するマスクを作製し、この予め作製されたマスクを箔の少なくとも一面に設置して密着させ、該マスクの開口部で箔をエッチングし、箔にピットを形成することにより、箔に拡面処理を施すことを特徴とする、拡面処理された箔の製造方法、およびその方法により製造された箔。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム支持体に形成されるピットを分散させ効率良く粗面化し、より低コストでアルミニウム支持体を製造する。
【解決手段】帯状の金属板を酸性電解液の中で搬送しつつ交番波形電圧の印加により電解粗面化処理する電解粗面化処理方法において、少なくとも１回、前記交番波形電圧の印加の間に、前記金属板が負になるように該金属板に対して負電圧を印加する工程を有するようにする。 （もっと読む）

【課題】 簡易な機構でありつつ、均一な研磨を行える電解研磨装置を提供する。
【解決手段】 電解研磨装置３９は、対になったアノード２４を複数有し、それら対になったアノード２４同士を、可逆的に接近または乖離させる可動部１９を含むことで、電解研磨中に、ステント４９に対して接触していたアノード２４を、例えばアノード２４Ａおよびアノード２４Ｂからアノード２４Ｃおよびアノード２４Ｄに替える。 （もっと読む）

【課題】広範囲に適用可能で良好な研磨結果を得られるＳｉＣ半導体の製造方法の提供。
【解決手段】ＳｉＣウェハを電解研磨するＳｉＣウェハの製造方法において、
前記電解溶液のＨＦ濃度が０．００１〜１０ｗｔ％であり、
印加電圧と発生電流密度の関係から最大電流密度Ｉmaxとそのときの印加電圧Ｖ₀を予め求めておき、電解研磨中の電流密度Ｉと印加電圧Ｖが
Ｖ＜Ｖ₀ のときは ０．５Imax≦Ｉ≦Ｉmax、
Ｖ≧Ｖ₀のときは ０．８Imax≦Ｉ≦Ｉmaxとなるように電圧を印加することを特徴とするＳｉＣウェハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】金属被覆されたウエハのレベリング方法を提供する。
【解決手段】固体のイオン伝導性材料を有する工具１が、少なくとも部分的に、シリコンウエハ表面として形成された基体表面２と接触されており、前記工具は陰イオン伝導体として形成されており、かつ前記工具に電位が印加されることにより、陰イオン伝導体から陰イオンが出て、前記陰イオンがシリコンウエハ表面で、シリコンウエハ表面と反応する化合物へと変化し、ならびに、シリコンと反応可能な前記化合物が、シリコンウエハ表面で気体状の化合物を遊離し、これによりシリコンウエハ表面が局所的に除去される。 （もっと読む）

【課題】導電性の基体表面内にミクロ構造およびナノ構造を施す方法を提供する。
【解決手段】導電性の基体表面２の表面処理方法であって、固体のイオン伝導性材料を有する工具１が、少なくとも部分的に基体表面２と接触されており、この工具１は基体表面２の金属イオンを伝導することができ、かつ、基体表面２と工具１の間に電位勾配が生じ、金属イオンが工具１を通って基体表面２から引き離されるか、または基体表面２上に析出されるように、この工具１に電位Ｕが印加される。 （もっと読む）