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国際特許分類[C30B1/02]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 固相からの直接単結晶成長 (80) | 熱処理によるもの,例.歪焼鈍 (46)

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【課題】従来の中空のナノ粒子集合体に比べて光学的・電子的・光電的性質に優れ、光増感型太陽電池の光散乱層として用いることで、光吸収によって効率的にキャリアを生成させることができる単結晶の酸化チタン球状中空粒子、および、その製造技術を提供する。
【解決手段】液相中に、アナターゼ相からなるチタン原料粉末を分散させ、この液相中の原料粉末にパルスレーザー光を照射し、原料粒子を溶融及び急冷することにより、粒子の内部に単一の空隙を有する平均粒径10〜1000nmのルチル相からなる酸化チタン球状粒子を形成する。 (もっと読む)


【課題】 金属酸化物からなる板状単結晶体、それを用いた金属酸化物薄膜、それらの製造方法、および、それらを用いた抵抗変化型素子を提供すること。
【解決手段】 本発明による板状単結晶体は、MOまたはM(ここで、Mは、Co、Fe、Ni、ZnおよびCuからなる群から少なくとも1つ選択される金属元素である)で表される金属酸化物からなり、その形状は、六角形状であり、そのアスペクト比は、10〜500であり、平面方向の面は、(111)結晶面である。 (もっと読む)


【課題】光学特性が材料中で連続的に変化している透光性多結晶材料を製造する。
【解決手段】磁場内に置くと力を受ける単結晶粒子群を含むスラリーを磁束密度が空間に対して変化している磁場内で固定化してから焼結する。例えば、Erを添加したYAGの単結晶粒子群と希土類を添加しないYAGの単結晶粒子群を含むスラリーを、磁場強度が不均一に分布している磁場内で固定化すると、強磁場の位置では、Erを添加したYAGがリッチで結晶方向が揃っているレーザ発振領域となり、弱磁場の位置では、希土類が添加されていないYAGがリッチで光を透光する領域となる。レーザ発振するコアと、コアの周辺にあって励起光をコアに導くガイドを併せ持った多結晶材料を同時に製造できる。 (もっと読む)


【課題】単結晶ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層又はグラフェンナノリボンを形成する方法及びそれにより得られたグラフェン・ダイヤモンド積層体の提供を目的とする。
【解決手段】ダイヤモンド基板上にグラフェンを積層した、又はダイヤモンド基板上にグラフェンのナノリボン膜を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】低温で結晶半導体を形成可能な結晶半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】80〜240nmの膜厚を有するa−Ge膜2が基板1上に形成される(工程(b)参照)。そして、約10nmの膜厚を有するSiO膜3がa−Ge膜2上に形成される(工程(c)参照)。その後、約90nmの膜厚を有するPt薄膜4がスパッタリングまたは蒸着によってSiO膜3上に形成される(工程(d)参照)。そして、Pt薄膜4は、水素リモートプラズマによって処理される(工程(e)参照)。 (もっと読む)


【課題】 数μmから数十μm程度の大きさの軟磁性フェライト粒子は、レーザーコピーで使用されるキャリア粉、電波吸収体や圧粉磁芯といった用途に需要がある。しかしこの大きさの軟磁性フェライトは、粉砕法で作製するには小さすぎ、成長法で作製するには大きすぎる。また、粉体の形状も一定にできなかった。
【解決手段】 材料となるフェライトと塩化鉄を混合し、900℃以上1300℃以下で焼成することで、フェライトが液相の塩化鉄中で結晶成長し、数十μmの大きさの八面体の粒子を得る。 (もっと読む)


【課題】単結晶ナノ構造を基板の上に成長させる方法を提供する。
【解決手段】基板1の主表面上にパターン2を最初に形成する工程であって、パターン2は基板1の表面まで延びた開口部を有する工程と、パターン2の開口部中の、露出した主表面の上に、金属3を供給する工程と、開口部をアモルファス材料4で、少なくとも部分的に埋める工程と、アモルファス材料4と金属化合物3とを、300℃と1000℃の間の温度でアニールし、金属媒介結晶化により、アモルファス材料4を単結晶材料5に変える工程と、を含む。 (もっと読む)


【課題】 液相法によって所要機能を有するペロブスカイト酸化物薄膜を製造する方法、及びペロブスカイト酸化物薄膜を提供する。
【解決手段】 成膜対象のペロブスカイト酸化物を主成分とし、平均直径が略5nm以上略15nm以下の適宜直径のナノ結晶粒子を所定溶媒中に分散させた分散液を調製し(ステップS1)、この分散液中に、対象電極としての所定材料の基板と対向電極とを浸漬させ、両電極間に所定の電圧を印加することによって前記基板の表面に前記ナノ結晶粒子を、乾燥時の厚さが数十nm〜数百nmとなるように堆積させる(ステップS2)。そして、この基板を略400℃以上略800℃以下の適宜温度で焼成する(ステップS3)。 (もっと読む)


本発明は、太陽光モジュールの製造において高純度シリコンを製作するためにカーボン/カーボン複合材料を使用するなどして、高温の非酸化雰囲気中において大型のセラミック部材を支持および操作するためのシステムおよび使用方法に関する。本発明の高温装置は、1つまたは複数の支持肋材と、1つまたは複数の支持肋材と組み合わさった1つまたは複数の交差支柱と、1つまたは複数の支持肋材および1つまたは複数の交差支柱の上に配置可能である成形支持ライナーとを含む。
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【課題】超高密度記録を達成可能な六方晶フェライト磁性粉末および上記六方晶フェライト磁性粉末を用いた高密度記録に適した磁気記録媒体を提供すること。
【解決手段】B23成分を含むガラス形成成分および六方晶フェライト形成成分を含み、かつ上記B23成分をB23換算で15〜27モル%含む原料混合物を溶融し溶融物を得ること、上記溶融物を急冷し、飽和磁化量が0.6A・m2/kg以下である固化物を得ること、ならびに、上記固化物を600〜690℃の温度域まで加熱し該温度域に保持することにより平均板径が15〜25nmの六方晶フェライト磁性粉末を析出させること、を含む六方晶フェライト磁性粉末の製造方法。非磁性支持体上に、上記方法により製造された六方晶フェライト磁性粉末と結合剤とを含む磁性層を有する磁気記録媒体。上記方法を含む磁気記録媒体の製造方法。 (もっと読む)


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