【課題】従来にない極めて高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び原料供給管６を坩堝２内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣ９を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料として、ＳｉＣ粒子、ＳｉＯ₂粒子及びカーボン粒子の原料３成分を供給する。 （もっと読む）

【課題】高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに連続成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその製造装置並びにその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４’が固定されたサセプタ５’及び不活性ガス供給管６’を坩堝２’内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２’内に単結晶ＳｉＣ製造用原料７’を不活性ガスＡと共にＳｉＣ種結晶４’上に供給して単結晶ＳｉＣ８’を成長させる成長工程を含み、単結晶ＳｉＣ製造用原料７’がＳｉＣ粒子である単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】多結晶ドメインの混在のない高品質な単結晶ＳｉＣを安定してエピタキシャルに成長させることが可能な単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び単結晶ＳｉＣ製造用原料を供給するための原料供給管６を坩堝内に配置する配置工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性ガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる成長工程を含み、成長工程において、ＳｉＯ₂粒子と、カーボン（Ｃ）粒子と、少なくとも１つの特定粒子とを供給し、特定粒子は、融点及び／又は昇華点が９００℃以上２，４００℃以下である単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）

【課題】単結晶炭化珪素の製造に適したカーボン及びシリカの一次粒子を含むスラリ、球状二次粒子、及び単結晶炭化珪素の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン及びシリカを分散媒に添加して混合物とする混合工程、及び、得られた混合物を湿式ジェットミル処理する分散工程を含むカーボン・シリカ含有スラリの製造方法、引き続いて、得られたスラリを噴霧乾燥する噴霧工程を含むカーボン・シリカ含有略球状二次粒子の製造方法、引き続いて、高温雰囲気とした坩堝３２内に原料供給管３６、３６’を通して二次粒子を種結晶３４表面上に供給する結晶成長工程を含む単結晶炭化珪素の製造方法。 （もっと読む）

【課題】安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良された単結晶ＳｉＣ製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５及び単結晶ＳｉＣ９製造用原料を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、並びに、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ９製造用原料を不活性ガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣ９を成長させる工程を含み、単結晶ＳｉＣ９製造用原料が、ＳｉＯ粒子及びカーボン粒子である単結晶ＳｉＣ９の製造方法、及びこの製造方法により得られる単結晶ＳｉＣ９。 （もっと読む）

【課題】サファイア等単結晶α−Ａｌ_２Ｏ_３基板表面から内部に向かってアルミナ成分を窒化アルミニウムに変換して単結晶窒化アルミニウム膜を生成する単結晶窒化アルミニウム積層基板の製造方法においてその製造効率が改善される方法を提供する。
【解決手段】１６００〜１７５０℃の温度条件で単結晶α−Ａｌ_２Ｏ_３基板を窒化処理して単結晶窒化アルミニウム膜を生成し、単結晶窒化アルミニウム積層基板を製造する方法であって、窒化処理の前段階において８００〜１４００℃のＨ_２雰囲気下で単結晶α−Ａｌ_２Ｏ_３基板表面を活性化処理することを特徴とする。この活性化処理により、その後に行われる窒化反応の反応速度が著しく向上するため、単結晶窒化アルミニウム積層基板の製造効率を飛躍的に改善させることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】長時間安定して単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる改良方法及びその結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種結晶４が固定されたサセプタ５並びに単結晶ＳｉＣ製造用原料であるＳｉＯ₂粒子及びカーボン（Ｃ）粒子を供給するための原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、及び、高温雰囲気とした坩堝２内に単結晶ＳｉＣ製造用原料を不活性キャリアガスＡと共に原料供給管６を通してＳｉＣ種結晶４上に供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、原料のＳｉＯ₂とＣの供給モル比が、ＳｉＯ₂：Ｃ＝１．０５：３．０〜２．０：３．０である単結晶ＳｉＣの製造方法、及びこの製造方法により製造された単結晶ＳｉＣ。 （もっと読む）

【課題】種結晶表面の分解及び／又はエッチングを防止して、転位や多結晶の発生を防止しながら、マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な単結晶炭化珪素及びその製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素種結晶４が固定されたサセプタ５及び外部から単結晶炭化珪素製造用原料を供給するための原料供給管を坩堝２の中に配置する配置工程、坩堝２を外部加熱して昇温する際に炭化珪素種結晶４表面の分解及び／又はエッチングを防止する分解防止工程、並びに、坩堝２内を単結晶成長温度にまで更に昇温しこの単結晶成長温度を維持して炭化珪素種結晶４表面に炭化珪素製造用原料の供給を継続して単結晶炭化珪素を成長させる成長工程、を含む単結晶炭化珪素の製造方法、及びこの製造方法により製造された炭化珪素。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ種単結晶上に目詰まりすることなく良好に輸送可能な単結晶ＳｉＣ製造用原料と、その製造方法を提供し、また、その原料を用いて高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる方法、及び、その結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】シリカとカーボンの各１次粒子から実質的になる２次粒子であって、２次粒子形状が直径１〜９０μｍの略球形である単結晶ＳｉＣ製造用原料、並びに、シリカ粒子、カーボン粒子及び溶媒からなるスラリを製造する工程、及び、蒸発装置内でスラリを噴霧乾燥造粒させてシリカとカーボンを含有する２次粒子を製造するスプレードライ工程を含む、単結晶ＳｉＣ製造用原料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】成長速度が速く、マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な長尺、大口径の単結晶ＳｉＣの製造方法及び製造方法に好適に使用可能な製造装置を提供する。
【解決手段】ＳｉＣ種単結晶４が固定されたサセプタ５及び原料供給管６を坩堝２内に配置する工程、加熱保持されたＳｉＣ種単結晶４に、原料供給管６を通して単結晶ＳｉＣ製造用原料を外部から供給する工程、及び、ＳｉＣ種単結晶４上に単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、坩堝２が鉛直方向上部に開口部を有する単結晶ＳｉＣの製造方法。 （もっと読む）