【課題】ＳｉＣ種単結晶上に目詰まりすることなく良好に輸送可能な単結晶ＳｉＣ製造用原料と、その製造方法を提供し、また、その原料を用いて高品質な単結晶ＳｉＣをエピタキシャルに成長させる方法、及び、その結果得られる高品質な単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】シリカとカーボンの各１次粒子から実質的になる２次粒子であって、２次粒子形状が直径１〜９０μｍの略球形である単結晶ＳｉＣ製造用原料、並びに、シリカ粒子、カーボン粒子及び溶媒からなるスラリを製造する工程、及び、蒸発装置内でスラリを噴霧乾燥造粒させてシリカとカーボンを含有する２次粒子を製造するスプレードライ工程を含む、単結晶ＳｉＣ製造用原料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なＡｌＮ単結晶膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】窒素元素含有ガスを主成分とし、これに水分（水蒸気ガス）あるいはＯ₂ガスなどの酸化性の酸素元素含有ガスを添加した混合ガス雰囲気の下で、サファイア基板を少なくとも１３００℃以上に加熱することで、サファイア基板の主面上に窒化物であるＡｌＮを反応生成させる。酸化性の酸素元素含有ガスの添加を行うことで、ＡｌＮの生成速度を適度に抑制して、表面平坦性が良好なＡｌＮ単結晶膜を形成することができる。酸素元素含有ガスの添加は、窒化処理装置１００の内部にさや１０２などの酸化物固体を載置し、サファイア基板ともどもこれを加熱することで行う。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な長尺、大口径の単結晶ＳｉＣを提供する。
【解決手段】単結晶ＳｉＣを製造する方法であって、ＳｉＣ種単結晶ウエハ４をサセプタ５に固定する工程、及び、外部より単結晶ＳｉＣ製造用原料をＳｉＣ種結晶ウエハ４上に連続供給して単結晶ＳｉＣを成長させる工程を含み、サセプタ５、ＳｉＣ種単結晶４並びに成長と共に厚みを増した単結晶ＳｉＣの、サセプタの鉛直方向１０（長手方向）の平均温度勾配を０．５℃／ｍｍ以上９℃／ｍｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したｃ軸傾斜ＡｌＮ単結晶積層基板を提供する。
【解決手段】｛１ −１ ０ ０｝面と直交し且つ｛１ １ −２ ０｝面との面間角が１５°〜４０°となる結晶面で切り出したα−アルミナ単結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶が形成されて成り、前記窒化アルミニウム単結晶膜の＜０ ０ ０ １＞軸が前記α−アルミナ単結晶基板の法線に対して最大４０°傾斜した窒化アルミニウム単結晶積層基板。 （もっと読む）

【課題】立方晶系の窒化物半導体と格子整合して、III族窒化物半導体を結晶成長させた際に六方晶系結晶の混入が低減されて立方晶系結晶が支配的となる、高品質な立方晶系の窒化物半導体を得ることができる酸化ガリウム単結晶複合体基板を、簡便にかつ低コストで製造することができる方法、及び窒化物半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を化学的機械研磨し、当該表面をＥＣＲプラズマ又はＲＦプラズマにより励起された窒素プラズマで窒化処理して、基板の表層部に立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であり、この複合体の表面に窒化物半導体膜を成長させる窒化物半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は最表面が六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を表層部に有した酸化ガリウム単結晶複合体の選択的製造方法、及び窒化物半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を窒素プラズマで窒化処理して窒化ガリウム層を形成する際に窒化処理の時間を制御することで、反射高速電子線回折によって測定される窒化ガリウム層の最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を選択的に製造する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法、及びこの複合体の表面に窒化物半導体膜を成長させる窒化物半導体膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】Ｎｂ_２Ｏ_５とＫ_２ＣＯ_３の混合物にフラックスを添加し、８００〜１０００℃の温度範囲で焼成する。フラックスとしてはＫＦが好ましく用いられる。固相法でありながらも低温で結晶育成が可能となり、結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供することができる。 （もっと読む）

圧電単結晶及びその製造方法、及びその圧電単結晶を利用した圧電及び誘電応用部品を提供する。本発明による圧電単結晶は、高誘電率Ｋ₃^T、高圧電定数ｄ₃₃、ｋ₃₃、高い相転移温度（キュリー温度、Ｔｃ）、高い抗電界Ｅｃ、及び向上した機械的特性を併せ持つため、かかる優れた特性の圧電単結晶を広い温度領域と広い使用電圧条件下で使用することができる。また、単結晶の量産に適合した固相単結晶成長法を用いて圧電単結晶を製造し、高価な原料を含まない単結晶組成を開発して圧電単結晶の商用化を可能にする。これにより、優れた特性の圧電単結晶を利用した圧電応用部品及び誘電応用部品を広い温度領域で製造し、使用することを可能にする。
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本発明はシリコンウエハ（１）上に炭化ケイ素（３，４）の層を形成する方法に関する。本発明は、本質的なチェック模様を用いてウエハ上に浸炭防止マスク（２）を積層し、残存ストレスがそれぞれ膨張と圧縮の形態をとるような条件で浸炭工程を実行し、前記マスクを取り除き、残存ストレスがそれぞれ圧縮と膨張の形態をとるような条件で浸炭工程を実行する工程を含むことを特徴とする。
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【課題】実用可能性のある大きさを備えた窒化アルミニウム単結晶を、低コストで短時間に得ることができ、かつ、生産性・汎用性が高い窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウム及び／又は加熱により酸化アルミニウムに変換される酸化アルミニウム前駆体と、窒化アルミニウム及び／又は加熱により窒化アルミニウムに変換される窒化アルミニウム前駆体とを含む原料組成物を、１６００〜２４００℃の温度で加熱することにより窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 （もっと読む）