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国際特許分類[C30B1/10]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 固相からの直接単結晶成長 (80) | 固相反応または多相拡散によるもの (30)

国際特許分類[C30B1/10]に分類される特許

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【課題】多結晶SiCの混入を防止した高品質な単結晶SiCをエピタキシャルに成長させる単結晶SiCの製造方法及びその結果得られる高品質な単結晶SiC、さらに、多結晶SiCの混入を防止し、高品質な単結晶SiCをエピタキシャルに成長させることができる単結晶SiCの製造装置を提供する。
【解決手段】SiC種単結晶4が固定されたサセプタ5及び外部から単結晶SiC製造用原料を供給するための原料供給管6を、坩堝2の中に配置する工程、高温雰囲気とした坩堝2内に、単結晶SiC製造用原料を原料供給管6を通してキャリアガスAと共に供給して、単結晶SiCを成長させる工程を含み、原料供給管6とSiC種単結晶4との距離をL(mm)、キャリアガスAの線速をS(mm/sec)としたとき、L/S(sec)≦3を満たす単結晶SiCの製造方法。 (もっと読む)


【課題】サファイア基板上にIII族窒化物結晶成長用下地として好適なAlN単結晶膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】窒素元素含有ガスを主成分とし、これに水分(水蒸気ガス)あるいはO2ガスなどの酸化性の酸素元素含有ガスを添加した混合ガス雰囲気の下で、サファイア基板を少なくとも1300℃以上に加熱することで、サファイア基板の主面上に窒化物であるAlNを反応生成させる。酸化性の酸素元素含有ガスの添加を行うことで、AlNの生成速度を適度に抑制して、表面平坦性が良好なAlN単結晶膜を形成することができる。酸素元素含有ガスの添加は、窒化処理装置100の内部にさや102などの酸化物固体を載置し、サファイア基板ともどもこれを加熱することで行う。 (もっと読む)


【課題】マイクロパイプ等の欠陥を抑制した高品質な長尺、大口径の単結晶SiCを提供する。
【解決手段】単結晶SiCを製造する方法であって、SiC種単結晶ウエハ4をサセプタ5に固定する工程、及び、外部より単結晶SiC製造用原料をSiC種結晶ウエハ4上に連続供給して単結晶SiCを成長させる工程を含み、サセプタ5、SiC種単結晶4並びに成長と共に厚みを増した単結晶SiCの、サセプタの鉛直方向10(長手方向)の平均温度勾配を0.5℃/mm以上9℃/mm以下とする。 (もっと読む)


【課題】高い電気機械結合係数および伝播速度の高速化を図る弾性表面波素子向け基板材料に好適に用いられる結晶配向性の改善を達成したc軸傾斜AlN単結晶積層基板を提供する。
【解決手段】{1 −1 0 0}面と直交し且つ{1 1 −2 0}面との面間角が15°〜40°となる結晶面で切り出したα−アルミナ単結晶基板上に窒化アルミニウム単結晶が形成されて成り、前記窒化アルミニウム単結晶膜の<0 0 0 1>軸が前記α−アルミナ単結晶基板の法線に対して最大40°傾斜した窒化アルミニウム単結晶積層基板。 (もっと読む)


【課題】最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は最表面が六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を表層部に有した酸化ガリウム単結晶複合体の選択的製造方法、及び窒化物半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を窒素プラズマで窒化処理して窒化ガリウム層を形成する際に窒化処理の時間を制御することで、反射高速電子線回折によって測定される窒化ガリウム層の最表面が立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層又は六方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を選択的に製造する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法、及びこの複合体の表面に窒化物半導体膜を成長させる窒化物半導体膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】立方晶系の窒化物半導体と格子整合して、III族窒化物半導体を結晶成長させた際に六方晶系結晶の混入が低減されて立方晶系結晶が支配的となる、高品質な立方晶系の窒化物半導体を得ることができる酸化ガリウム単結晶複合体基板を、簡便にかつ低コストで製造することができる方法、及び窒化物半導体膜の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶からなる基板の表層部に窒化ガリウム層を有する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であって、上記基板の表面を化学的機械研磨し、当該表面をECRプラズマ又はRFプラズマにより励起された窒素プラズマで窒化処理して、基板の表層部に立方晶窒化ガリウムからなる窒化ガリウム層を形成する酸化ガリウム単結晶複合体の製造方法であり、この複合体の表面に窒化物半導体膜を成長させる窒化物半導体膜の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供する。
【解決手段】NbとKCOの混合物にフラックスを添加し、800〜1000℃の温度範囲で焼成する。フラックスとしてはKFが好ましく用いられる。固相法でありながらも低温で結晶育成が可能となり、結晶欠陥が生じにくく、製造効率に優れたニオブ酸カリウム単結晶の合成方法を提供することができる。 (もっと読む)


圧電単結晶及びその製造方法、及びその圧電単結晶を利用した圧電及び誘電応用部品を提供する。本発明による圧電単結晶は、高誘電率K3T、高圧電定数d33、k33、高い相転移温度(キュリー温度、Tc)、高い抗電界Ec、及び向上した機械的特性を併せ持つため、かかる優れた特性の圧電単結晶を広い温度領域と広い使用電圧条件下で使用することができる。また、単結晶の量産に適合した固相単結晶成長法を用いて圧電単結晶を製造し、高価な原料を含まない単結晶組成を開発して圧電単結晶の商用化を可能にする。これにより、優れた特性の圧電単結晶を利用した圧電応用部品及び誘電応用部品を広い温度領域で製造し、使用することを可能にする。
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本発明はシリコンウエハ(1)上に炭化ケイ素(3,4)の層を形成する方法に関する。本発明は、本質的なチェック模様を用いてウエハ上に浸炭防止マスク(2)を積層し、残存ストレスがそれぞれ膨張と圧縮の形態をとるような条件で浸炭工程を実行し、前記マスクを取り除き、残存ストレスがそれぞれ圧縮と膨張の形態をとるような条件で浸炭工程を実行する工程を含むことを特徴とする。
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【課題】実用可能性のある大きさを備えた窒化アルミニウム単結晶を、低コストで短時間に得ることができ、かつ、生産性・汎用性が高い窒化アルミニウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化アルミニウム及び/又は加熱により酸化アルミニウムに変換される酸化アルミニウム前駆体と、窒化アルミニウム及び/又は加熱により窒化アルミニウムに変換される窒化アルミニウム前駆体とを含む原料組成物を、1600〜2400℃の温度で加熱することにより窒化アルミニウムを合成し、前記窒化アルミニウムを結晶成長させることによって窒化アルミニウム単結晶を得る窒化アルミニウム単結晶の製造方法。 (もっと読む)


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