【課題】熱伝導率の優れた多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃのいずれかの炭素同位体で実質的に構成された炭素と、炭素以外の複数の不純物とで構成され、複数の不純物の濃度がそれぞれ０．０１質量％以下であり、結晶粒径が５００ｎｍ以下である。上記ナノ多結晶ダイヤモンド１は、^１２Ｃあるいは^１３Ｃの炭素同位体の純度が９９．９質量％以上である炭化水素ガスを熱分解して得られる黒鉛に、高圧プレス装置内で熱処理を施してダイヤモンドに変換することで作製可能である。 （もっと読む）

異なる構造の薄膜（１）に対するアモルファス又は結晶性構造の結晶（３）の転移は、結晶に薄膜を適用し、それを結晶化するためにそれを焼き鈍しするための加圧（６）及び加熱（７）の組合せによって達成され得る。特徴的に、ブロック（５）は、薄膜を屈曲させ、組立体のクラックを開始し、圧力が取り除かれた際に薄膜を開放するように端部に配置され、それによって結晶（３）を取り除き又はそれを破壊するための複雑な方法を取り除く。この方法は、いくつかの膜に使用される結晶（３）が結晶化されることを可能にし、達成される良好な製造率を可能にし、費用を削減する。
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本発明は、アスペクト比が少なくとも1.5の単結晶ダイヤモンド種子を利用する、単結晶ダイヤモンドを合成するためのHPHT法に関する。アスペクト比が少なくとも1.5の単結晶ダイヤモンド種子及び上記方法で得られる合成単結晶ダイヤモンドについても述べる。成長表面は、該成長表面の平面内の＜100＞又は＜110＞方向に沿って実質的に整列している。 （もっと読む）

大単結晶金属の成長方法が公開される。金属試料の多結晶形態が当初、非酸化環境において加熱される。最小塑性歪がそれから加熱金属試料内部で選定粒子の成長を開始させるために加熱金属試料に加えられる。付加塑性歪が、選定粒子の大単結晶への成長を伝播させるために、加熱金属試料に引き続き加えられる。 （もっと読む）