【目的】 融体から放散される熱エネルギーをコントロールして、融体中に所望の温度勾配を設定するための、幅広い温度域において採用可能な、熱エネルギー伝導の制御方法の提供。
【構成】 垂直ブリッジマン炉を利用した図１の装置において、断熱材３で囲まれ、カーボンヒーター９によって昇温される融体１１が装入されている石英製縦型ボート８の底部に液体ガリウム１５を収納したカーボン製容器１４を取りつけ、該ボート８の軸心に設けた石英管１０中の温度センサー６と７の温度差が一定になるように、リング状の軟鉄１６に取りつけられた希土類磁石１７からなる回転磁石を、フランジ１３の周囲に設けられた水冷ジャケット１２に沿って回転させ、その速度をコントロールし、液体ガリウム１５を通して融体１１から放散される熱エネルギーを制御する。 （もっと読む）

【目的】 化合物半導体単結晶を融液より育成させた後、坩堝内の当該化合物半導体単結晶を該坩堝から取出すことを容易にする。
【構成】 化合物半導体単結晶の育成が終了した後、種結晶を坩堝に対し相対的に上部に移動させ、当該単結晶を坩堝および残留液体封止剤から分離させることを特徴とする。 （もっと読む）