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国際特許分類[C30B11/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法 (253)

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【課題】 不純物が少ない希土類ハライド材料を製造する原料精製器具および原料精製装置を提供する。また、上記の装置により精製した原料を使用してシンチレーション検出器に用いられるシンチレーション単結晶を育成する方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る希土類ハライド原料の精製装置は、シンチレーション検出器に用いられるシンチレーション単結晶の育成に使用する原料を精製するためのものであり、被処理原料および石英を主原料とする不純物付着体を収容する原料収容部と前記原料収容部に収容された原料を溶融するための電気炉などの加熱装置と精製済み原料通過部と精製済み原料の収容部からなる。 (もっと読む)


【課題】垂直ブリッジマン法による単結晶の成長装置において、簡便な方法で、高品質な単結晶を安定して得ることができる構造の結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶3を成長させるルツボ1の下部を、支持して引き下げを行うための支持部材10と、下方に向かって先細りする傾斜部を備え、傾斜部の下方部が支持部材10に取り付けられ、かつ上方部がルツボ1の底面に取り付けられている傾斜部材20から構成し、結晶3の中央部が上に凸となるように、ルツボ1の底面の温度分布を最適化する。 (もっと読む)


【課題】結晶方位のずれに起因する結晶欠陥の発生を防止することができるサファイア単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】サファイア単結晶の製造装置1は、支持部材3によって支持されたルツボ20内に種子結晶および原料を収納し、育成炉10内の筒状ヒーター14内に該ルツボ20を配置して筒状ヒーター14により加熱して原料および種子結晶の一部を融解して結晶化させるサファイア単結晶の製造装置において、カップ状をなす前記ルツボ20における所定の外周位置を円環状に冷却する冷却手段を備える。前記冷却手段はルツボ20の突周部21と当該突周部21に対して円環状に面接触して当該ルツボ20を支持する支持部材3とを備えて構成され、ルツボ20の下面と支持部3とは離間するように配設される。この構成により、突周部21から支持部材3へ熱が移動し、ルツボ20における所定の外周位置を円環状に冷却する。 (もっと読む)


【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶成長後のアニールで結晶内の酸素欠損が回復でき、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置およびその方法を提供する。
【解決手段】
結晶を成長する雰囲気として、酸素分圧が10Pa〜1kPaとなるようにすることで、結晶成長後の酸素雰囲気でのアニールで回復できる酸素欠損で、クラックの発生がない単結晶が得られる。 (もっと読む)


【課題】今まで固定されていた第三ゾーンの発熱体の位置を外部から可変できる可変温度勾配式マルチゾーン型電気炉を提供する。
【解決手段】本発明は、上記課題を解決するため、発熱体を有する加熱部を有する所謂内熱型の単結晶を合成する電気炉において発熱体が2個以上で構成される電気炉で、加熱源である発熱体の位置を外部から変えることにより、温度分布を変えることができる電気炉の構成とした。 (もっと読む)


【課題】生体との適合性に優れると共に、その使用部位、方向に応じた最適な強度、耐食性、耐摩耗性などの諸特性を十分に発揮することができるインプラント部材用Co−Cr系合金を提供する。
【解決手段】ブリッジマン法を用いたインプラント部材用Co−Cr系合金単結晶の製造方法であって、所定の組成のCo−Cr系合金を1500〜2050℃の温度で溶融し、温度勾配0.5℃/mm以上の条件の下、成長速度1.0〜500mm/hで結晶成長を行う。さらに、特定の方向に沿った面欠陥状マルテンサイト相を導入する。 (もっと読む)


方向性凝固炉は、溶融物を収容するためのルツボであって、壁と、開口を有する底とを有するルツボと、ルツボを支持するルツボ支持体と、ルツボを覆う蓋とを有するルツボアセンブリを含む。プレートは、底の開口の中に収められる。プレートは、底の熱伝導率よりも高い熱伝導率を有する。底は、添加剤を有するコンポジットを含むことができ、コンポジット底が、添加剤無しの同等の底と比較して高い熱伝導性を有する。
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【課題】
光デバイスなどの基板として用いられる単結晶を製造する過程で、結晶にクラックが発生しない結晶成長装置を提供する。
【解決手段】
箔状白金板を結晶育成用の白金ルツボの内側に挿入した本発明ルツボ構造により、VB法でのLN単結晶成長において白金ルツボとLN単結晶の大きな熱膨脹差があるにもかかわらず、再現性良くクラックの無い単結晶を得ることが可能となる。 (もっと読む)


本発明は、シリコンインゴットの引き出し装置及び方法に関する。本発明は、コールドるつぼ内に形成されたシリコン融液が流入されるチャンバと、前記チャンバに垂直方向に移動可能に設けられ、前記シリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを引き出す1次引き出し装置と、前記1次引き出し装置を水平方向に移動させる移動装置と、前記チャンバの下部に垂直方向に移動可能に設けられ、前記1次引き出し装置が側方に移動した状態で前記シリコンインゴットを引き出す2次引き出し装置と、を含む。このような本発明によれば、引き出し装置の高さが減少することによって、設備にかかる製造費用を節減することができ、引き出し装置が設けられる空間をも低減することができる効果がある。
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【課題】透過率が高く、高濃度に3価のTbイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】組成式(Tb1−a(式中、MはEr、Tm、Yb、Lu、Sc、Mg、Zr、Hfから選択される一種以上の元素、0.01≦a<0.3)で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、1.06μmと532nmにおける3mm長さあたりの直線透過率がいずれも70%以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器1の中に結晶育成用の原料2を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料2の外側部分の外皮2aは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料2を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器1を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 (もっと読む)


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