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国際特許分類[C30B11/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法 (253)

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【課題】半導体融液を凝固させる過程での急激な温度変化を抑制して、双晶や多結晶の発生を抑止し、単結晶の半導体結晶を歩留り良く製造できる半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】外周にヒータ5が配置されたサセプタ3内にルツボ2を収容し、ルツボ2の底面13に種結晶10を配置すると共にルツボ2内に半導体融液14を収容し、半導体融液14を種結晶10と接触させた状態で、ヒータ5とルツボ2を相対的に移動させるか或いはヒータ5に上下方向の温度勾配を持たせると共にその温度勾配を維持したままヒータ5の温度を下降させて、種結晶10側から上方に向けて徐冷して徐々に固化させる半導体結晶の製造方法において、サセプタ3側に、半導体融液14の熱伝導率よりも小さい熱伝導率を有する熱流制御部材15を設ける方法である。 (もっと読む)


本発明は、半導体製造のために適したシリコンを製造するための坩堝を製造するための焼結体に関する。本発明の構成では、該坩堝が、複数の構成部分から形成されていて、少なくとも1つの閉じられていない接合ギャップを有している。 (もっと読む)


【課題】成長させるIII−V族化合物半導体結晶のクラックを抑制し、かつ低いコストを維持し、かつチャンバー内の汚染を抑制するIII−V族化合物半導体結晶の製造方法、III−V族化合物半導体基板の製造方法およびIII−V族化合物半導体基板を提供する。
【解決手段】III−V族化合物半導体結晶13の製造方法は、チャンバー101内に配置された坩堝103に結晶成長用原料15と液体封止剤17とを収容する工程と、結晶成長用原料15と液体封止剤17とを加圧溶融し、かつ結晶成長用原料15を固化させることにより、III−V族化合物半導体結晶13を成長させる工程と、チャンバー101内を降温する工程とを備えている。降温する工程は、液体封止剤17の軟化点に達するまでに、チャンバー101内を60kPaを超えて400kPa以下に減圧する工程を含んでいる。 (もっと読む)


【課題】半導体結晶の成長方向における不純物濃度またはキャリア濃度の分布をより均一にした半導体結晶および半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶中における最低不純物濃度C1minとC1min≦C1≦1.5C1minの関係を満たす不純物濃度C1である結晶部分が、固化率0.1〜0.8の範囲内における結晶部分の4/7以上を占める半導体結晶とその半導体結晶の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】電圧検出器等の電気光学素子として有用なCdTe系化合物半導体単結晶を提供する。
【解決手段】インジウムをドープすることにより、吸収係数が小さく、かつ高抵抗のCdTe系化合物半導体単結晶を実現する。この場合、CdTe原料融液中に0.05〜1.0ppmwtのインジウムをドープし融液成長法により得られたCdTe系化合物半導体単結晶のうち、結晶の固化率が0.9以下の部分を電気光学素子用の材料とする。 (もっと読む)


【課題】特にるつぼ水平方向の温度揺らぎを低減することにより、単結晶化歩留まりの高い、化合物半導体単桔晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】高圧容器1内に、少なくとも化合物半導体原料5を入れるるつぼと、該るつぼ内の前記原料5を加熱溶融するヒーター3,4を具備し、加熱溶融した原料融液を融液下部あるいは上部から徐々に冷却し固化させることにより化合物半導体単桔晶を製造する装置において、前記るつぼの内径(d)に対して前記ヒーター3,4の内径(D)を1.5〜3.0倍(D/d=1.5〜3.0)としたヒーター3,4を用いる。 (もっと読む)


【課題】大形で均一組成、歪みの小さな分解溶融型あるいは非調和組成物質の単結晶を高い歩留まりで成長させる方法を提供する。
【解決手段】成長結晶3の形状を規定する容器1内に種子結晶2と成長結晶3の大部分または一部となる組成の初期原料を収納し、るつぼ1を加熱して初期原料の全てと種子結晶2の一部を加熱融解して初期融液4とし、その後未融解種子結晶部2を種子として結晶成長を開始(種子付け)し、融液4を徐々に一方向から凝固させて所望の組成および形状の単結晶3を成長させる結晶成長方法において、初期融液4の組成と異なる組成の追加融液9を結晶成長工程で連続的にまたは間欠的にあるいは一時的に追加する方法と手段を適用して、初期原料融解と種子付け工程、結晶本体成長工程、結晶成長終了工程全ての結晶成長工程で必要かつ最適な融液組成を実現し一方向凝固結晶成長を実現する。 (もっと読む)


結晶材料(3)を溶融させかつ凝固させる溶融凝固炉(1)は、底部(4)および側壁(5)を有する坩堝(2)と、電磁誘導によって結晶材料を加熱するための手段と、を備える。炉は、側壁(5)の周囲の坩堝(2)の周辺に配置された少なくとも1つの側部断熱システム(6)を含む。側部断熱システム(6)の少なくとも1つの側部エレメントは、側壁(5)に対して、断熱位置と熱損失を助長する位置との間を移動する。側部断熱システム(6)は、1S/m未満の電気伝導率と、15W/m/K未満の熱伝導率と、を有する。
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【課題】サファイアやガーネット等の高融点材料単結晶の製造に適した坩堝ならびにその使用方法を提供する。
【解決手段】坩堝10は坩堝支持体又は支持本体2と、坩堝支持体又は支持本体の内面上に処理されたコーティング4から成っている。坩堝10には高融点材料の溶融物7が含まれている。コーティング4は溶融物7との接触面を与え、かつ坩堝支持体2の表面を溶融物7との接触から保護する役割を果たす。コーティング4は好ましくは1800℃以上の融点をもつ金属、例えばインジウム等の耐熱性金属からなる。 (もっと読む)


【課題】化合物単結晶の断面における結晶の面方位を特定することができ、かつ1つの断面から複数個のウェハを切り出す場合でも単結晶のへき開により1つの断面を複数個のウェハ単位に分割することが可能な化合物単結晶の製造方法に用いられる単結晶成長用容器を提供する。
【解決手段】単結晶成長用容器は、下部に種結晶収容部を有し、上部にるつぼ上部1cを有し、種結晶収容部は内部に種結晶を収容した場合に種結晶が周方向に回転できないような構成を有し、かつるつぼ上部1cの横断面形状が仮想の正四角形Pに沿う直線部分を正四角形Pの各辺に有するとともにラウンド形状のコーナー部1c1を有し、るつぼ上部1cの横断面形状はコーナー部1c1以外に仮想の正四角形Pに対して内側にラウンド状に窪んだ部分を有する。 (もっと読む)


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