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国際特許分類[C30B11/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法 (253)

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【課題】高品質な結晶シリコン粒子を提供する。
【解決手段】シリコン融液にYb、Lu、またはYの単体あるいはYb、Lu、またはY元素を含む化合物のうち少なくとも1つを添加する工程と、シリコン融液を一方向に排出し、粒状4に凝固させる凝固工程と、を備える。シリコン融液は、窒化珪素を含んで成る坩堝1で溶融される。また、凝固工程は、シリコン融液の過冷却度を自然放冷時の過冷却度よりも小さい弱過冷却度でシリコン融液を凝固させてシリコン粒子5を形成した後、シリコン融液の凝固開始温度領域でシリコン粒子5を保温し、シリコン粒子5を結晶化する。 (もっと読む)


【課題】所定量の半導体粉末を溶融して球状溶融体を形成し、これを冷却凝固させて半導体粒子を製造する方法において、質量と寸法形状のばらつきが小さく、良質な球状の半導体粒子の効率的な製造を可能とする。
【解決手段】所定質量の半導体粉末を含む小塊体を、熱処理炉41の予備加熱部43で不活性雰囲気中において、粉末の溶融温度近傍でそれが溶融するに至らない範囲の温度にまで予備的に加熱する。それから、溶融部44において不活性ガスに適度に酸素を含ませた雰囲気中で、粉末の溶融温度以上に加熱して、半導体の球状溶融体を形成させる。この溶融体を冷却部45にて冷却し、凝固させてから、外部へ搬出し回収する。小塊体には半導体粉末に有機バインダーを加え、所定形状に成形した成形体を使用するのが好ましい。 (もっと読む)


【課題】垂直ブリッジマン法においても、結晶を成長させる第1容器に、第2容器が保持している融液を供給することができ、かつ融液供給時に第1容器内の融液に振動が生じることを抑制できる結晶成長装置及び結晶成長方法を提供する
【解決手段】第1容器100は、種結晶50及び結晶成長用の融液52を保持する。第2容器200は、補充用の融液54を保持する。融液供給部は、第2溶液200内に保持されている補充用の融液54を第1容器100に供給する。融液供給部は、開口部220と、案内部を備える。開口部220は、第2容器200の側壁または上面に設けられ、第1容器100内における融液52の液面より高く位置する。案内部は、開口部220からオーバーフローした補充用の融液54を伝わせることにより、融液54を第1容器100内の融液52の液面に案内する。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の少ない高品質な半導体結晶を再現性よく得ることにある。
【解決手段】結晶成長用のルツボ6を加熱するためのヒータ3を有する炉内にルツボ6を設置し、ルツボ6内に収容された半導体融液5をルツボ6の底部に設けられた種結晶10と接触させ、半導体融液5を種結晶10側から上方に向けて徐々に固化させて半導体結晶を製造する方法であって、ヒータ3からルツボ6への熱線を遮蔽するための熱線遮蔽治具4を徐々に上方に移動させ、熱線遮蔽治具4の移動に伴って半導体結晶12の成長を進行させるようにした。 (もっと読む)


【課題】熱伝導率に異方性を持たせることで半導体プロセス等において必要な温度分布を得ることができる石英材の製造方法および石英材を提供する。
【解決手段】石英材からなるコア部材2と、石英材からなる外管部材3と、コア部材2と外管部材3との間に形成された気泡を含む層からなる断熱層4と、を備える石英材の製造方法および石英材。 (もっと読む)


【課題】種結晶配置部と種結晶との間にBを充填することなく、種結晶配置部と種結晶との間への半導体融液の流入を再現性よく抑制することが可能な半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ2内の底部に設けられた種結晶配置部20内に種結晶4を配置し、ルツボ2内における種結晶4より上方を半導体融液3で満たし、半導体融液3を種結晶4側から鉛直方向上方に向けて徐々に固化させる半導体結晶の製造方法において、種結晶配置部20の内壁面及び種結晶4の外側面に、鉛直方向上方から下方に向けて水平方向の径が徐々に小さくなるような傾斜面をそれぞれ形成する。 (もっと読む)


【課題】垂直グラジェントフリージング(VGF)法および垂直ブリッジマン(VB)法により、結晶成長方向の炭素濃度が一定な半絶縁性GaAs単結晶の製造する方法および装置を提供する。
【解決手段】石英アンプル1内に、GaAs原料5およびB236を入れたるつぼ3と、蒸気圧制御用のAs7と、Ga23、As23よりなる群から選ばれた1または2以上の化合物、あるいは、一酸化炭素、二酸化炭素よりなる群から選ばれた1または2以上の化合物よりなる酸素供給源8を封入し、石英アンプル中のCOガス濃度を制御しながら結晶成長を行なう。 (もっと読む)


【課題】単結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】不純物を添加した半導体融液を凝固させて当該半導体の単結晶を成長させるブリッジマン法、温度勾配凝固法等による半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進展につれて結晶成長速度を徐々に遅くし、実効偏析係数が平衡偏析係数に近づけることにより、半導体単結晶の結晶成長方向に沿う不純物濃度の均一化が図れる。さらに、結晶成長の進展につれて、前記半導体融液に印加する磁場の磁束密度を徐々に弱くする操作を組み合わせれば、いっそうの不純物濃度の均一化が図れる。 (もっと読む)


【課題】結晶の成長方向に対して不純物濃度のばらつきが少なく、高品質な半導体単結晶を再現性よく得ることのできる半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ルツボ6内に、不純物を添加した半導体融液5を収容し、この半導体融液5をルツボ6の底部に形成された種結晶配置部に配置した種結晶10と接触させた状態で、ルツボ6を回転させながら、種結晶10側から上方に向けて徐々に固化させる半導体単結晶の製造方法において、結晶成長の進行に伴ってルツボ6の回転速度を徐々に遅くするものである。 (もっと読む)


【課題】低コストで製造することができる大型で良質な半導体結晶を提供する。
【解決手段】化合物からなる半導体結晶50であって、直径が6インチ以上であり、平均転位密度が1×104cm-2以下である。半導体結晶50はGaAsであるか、または、CdTe、InAsおよびGaSbからなる群から選ばれるいずれか1つであって、単結晶である。半導体結晶50のボロン濃度は、3×1016cm-3以下である。さらに、インゴットの固化率0.1〜0.8の領域にわたるカーボン濃度は、0.5×1015cm-3〜1.5×1015cm-3である。 (もっと読む)


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