【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法を提供することにあり、更には、転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】ＶＧＦ法による結晶成長炉１は、ルツボ２０内に収容した融液３４を、ルツボ２０の一端に設置された種結晶３０と接触させた状態で、ルツボの側面側及びルツボの開口部側から加熱することにより、少なくとも結晶成長中は、開口部側から加熱する温度を側面側から加熱する温度よりも高く保持して、種結晶３０側のルツボ２０の一端を、ルツボ２０の他端（ルツボ２０の開口部側）よりも低温に保持しつつ、融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側からルツボ２０の他端に向けて融液３４を徐々に固化させ、化合物半導体結晶の単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】半導体結晶中のカーボン濃度の再現性が良好で、高濃度の酸化炭素ガスを発生させることが容易で、かつ炉外部から一酸化炭素ガスを供給する必要のないＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】るつぼ１内に、ＧａＡｓ原料４および酸化ホウ素５が充填され、るつぼ１内で蒸発した酸化ホウ素５に起因したガス状物質と反応するように固体カーボン６が配置され、ＧａＡｓ原料４が加熱溶融された後に固化されて、カーボンが添加されたＧａＡｓ単結晶が形成される。ＧａＡｓ原料４にはるつぼ１内に充填される前に予めカーボンが添加されている。 （もっと読む）

【課題】結晶育成方向軸に垂直な断面の直径が７０ｍｍ以上であって、ステッパー用レンズ材料として用いた場合に十分な解像性能が得られるフッ化物単結晶、及び、その育成方法、並びに、かかるフッ化物単結晶からなるレンズを提供する。
【解決手段】結晶育成方向に沿って温度勾配のある結晶成長炉内で育成後、前記結晶成長炉内で単結晶の融点未満の均一な温度に再加熱され、冷却することにより製造されたフッ化物単結晶１０であって、断面が直径７０ｍｍ以上の略円形状を有し、波長２４８ｎｍ、エネルギー密度５０ｍＪ／ｃｍ^２、パルス幅１０^５ｓｈｏｔ、周波数１００ＨｚのＫｒＦレーザーを前記断面の中心部に照射した前後の透過率の変化値が、０．００≦（ΔＴ_２−ΔＴ_１）≦０．２０（ΔＴ_１は前記断面の中心部におけるＫｒＦレーザー照射前後の透過率の変化値、ΔＴ_２は前記断面の外周部におけるＫｒＦレーザー照射前後の透過率の変化値）の条件を満たす。 （もっと読む）

【課題】高濃度の不純物を含む尖頭部がないことから、光電変換効率が高く、高性能の光電変換装置に用いるのに適し、また、多数個の結晶シリコン粒子を導電性基板上に効率的に配置して均一の接合力や接合深さで接合することができることから、高信頼性の光電変換装置に用いるのに適した結晶シリコン粒子の製造方法を提供する。
【解決手段】結晶シリコン粒子１０１の製造方法は、坩堝のノズル部からシリコン融液を粒状に排出し、この粒状のシリコン融液を冷却して固化させることによって、不純物が偏析した尖頭部１０５を有する擬似単結晶化された結晶シリコン粒子１０１を製造し、次に結晶シリコン粒子１０１の尖頭部１０５を除去する。 （もっと読む）

【課題】封止されたアンプルの剛性サポート、炭素ドーピングおよび抵抗率の制御、および熱勾配の制御によってＩＩＩ−Ｖ族、ＩＩ−ＶＩ族単結晶等の半導体化合物を成長させる方法および装置を提供する。
【解決手段】サポート・シリンダ２０５０は、統合されて封止されたアンプル４０００・るつぼ装置３０００を支持し、その一方で、サポート・シリンダ２０５０の内部の低密度断熱材２０６０が対流および伝導伝熱を防止している。低密度材料２０６０を貫通する輻射チャネル２０７０によって、シード・ウェル４０３０および結晶成長るつぼ３０００の移行領域３０２０に出入する輻射熱が伝達される。シード・ウェル４０３０の直下に位置する断熱材２０６０中の中空コア２０３０によって成長している結晶の中心部が冷却され得、結晶インゴットの均一・水平な成長と、平坦な結晶−溶融帯の界面が得られ、従って、均一な電気的特性を備えたウェーハを得る事が出来る。 （もっと読む）

【課題】ブリッジマン法によるフッ化物結晶の新規な製造方法、および新規なルツボを提供する。
【解決手段】縦型ブリッジマン法によるフッ化物結晶の製造方法において、原料粉体を充填するルツボ空洞部２１の断面形状のうち、最も短い距離を最短径と定義したときに、ルツボ２０の空洞部２１の断面は、最短径を例えば２．５ｃｍ以下と小さくする。前記空洞部の形状は鉛直とは限らず、多くの、たとえばカーブを描いたものや、らせん状のものなど、目的とする用途に合った形状を作製することが可能であり、また、ルツボは、いくつかに分割することもできる。このように分割することにより、最短径が非常に小さなフッ化カルシウム結晶を作製することができる。最短径を小さくすることにより、結晶内に残留する光学的ひずみが小さくなり、実際に使用する小型の結晶を大型結晶から切り出すよりも実用上有利であり、また小型の方が成長速度を早く、転位密度が減少する。 （もっと読む）

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストするための方法及び装置を提供する。これらの方法によれば、炭素が低含量のインゴットを成長させることができ、その結晶成長はキャスティング中のシード材料の断面積を増加させるように制御される。 （もっと読む）

【課題】シリコン、ゲルマニウム等の結晶質材料のブロックを製造するための、伝導による熱除去を精密に調整可能なブリッジマン型の装置を提供する。
【解決手段】溶融材料１９の槽から結晶質材料２０のブロックを製造するための装置は、底部３を有する坩堝２と、坩堝２の下方に配置された熱除去手段９とを備える。また、装置は、坩堝の底部３と熱除去手段９との間に取り付けられた熱伝導率を調整するための手段７を備える。熱伝導率を調整するための手段７は、低放射率の熱伝導性材料から製造されかつ坩堝の底部３に平行な複数のプレート１０と、プレート１０がお互いに近づきかつ遠ざかるようにプレート１０を移動させるための手段８とを備える。 （もっと読む）

光電池及び他の用途のためのシリコンをキャストする方法。かかる方法によれば、放射状に分布する不純物及び欠陥を含まないか又は実質的に含まず、それぞれ少なくとも３５ｃｍである少なくとも２つの寸法を有する単結晶質又は双晶シリコンのキャスト体が与えられる。 （もっと読む）

光起電力電池および他の用途のシリコンを鋳造するための方法および装置が提供される。これらの方法により、鋳造時に種結晶材料の断面積を増やすように結晶成長が制御される炭素分が低いインゴットを成長させることができる。
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