【課題】 透過率が高く、高濃度に３価のＴｂイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】 組成式（Ｔｂ_１−ａＭ_ａ）_２Ｏ_３（式中、ＭはＥｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕ、Ｓｃから選択される一種以上の元素、０．０１≦ａ＜０．３）で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、１．０６μｍと５３２ｎｍにおける３ｍｍ長さあたりの直線透過率がいずれも７０％以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器１の中に結晶育成用の原料２を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料２の外側部分の外皮２ａは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料２を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器１を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と結晶方位がそろった結晶を歩留りよく育成することができ、大型の結晶を効率的に育成する。
【解決手段】 一方向凝固法による結晶育成に用いる結晶育成用るつぼ３０であって、結晶原料を収納し、かつ結晶を成長させる容器部分である結晶成長部３２と、結晶成長部３２とネック部３８を介して連通して設けられた種子結晶４０の収納部３４とを備え、ネック部２８は、種子結晶４０の収納部３４よりも細く形成されている。 （もっと読む）

【課題】高いキャリア濃度を有し、かつ、高い結晶性を有するＧａＡｓ単結晶の製造方法およびＧａＡｓ単結晶ウェハを提供する。
【解決手段】種結晶１０、不純物となるＳｉ原料１２およびＧａＡｓ原料１４、固体の二酸化ケイ素（石英板）、ならびに酸化ホウ素原料１８をるつぼ４内に収容した状態で縦型ボート法を行い、ＧａＡｓ単結晶２０を成長させる。成長前の加熱により石英板が融解し、原料溶融時点では既にＧａＡｓ融液１５と液体Ｂ２Ｏ３１９との界面近傍に、極めてＳｉＯ２濃度の高い層（ＳｉＯ２高濃度層１７）が形成されるため、原料融解時から結晶成長時にわたって、ホウ素濃度を低く抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】垂直ブリッジマン法による単結晶の成長装置で、簡便な方法で結晶に欠陥のない高品質な単結晶を安定して得ることができる構造の結晶製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶3を成長させるルツボ1の下部を、支持して引き下げを行うための支持構造20が、ルツボの底面の外周部分に接する円筒状の支持管21と、支持管がルツボを設置する設置部の反対側の端部に底部を有し、底部に結合して支持管とルツボを支持して引き下げを行う支持部材と、支持管内部を遮蔽する遮蔽部材23とを有する構造とする。 （もっと読む）

【課題】 種結晶と結晶方位がそろった結晶を歩留りよく育成することができ、大型の結晶を効率的に育成することを可能にする。
【解決手段】 るつぼ１０のテーパ収納部１１ｂのテーパ面に接する面が、テーパ面と同一の傾斜角度を有するテーパ面に形成された接触面を備える種結晶２０を使用し、るつぼ１０に種結晶２０を配置する際に、テーパ収納部１１ｂのテーパ面に種結晶２０の接触面を接触させて配置し、結晶原料を溶融した際に、融液がテーパ収納部１１ｂと種結晶２０との界面に流れ込むことを抑制して種結晶２０から単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、小さい遅延時間定数、特に少なくともＣｅ：ＬＳＯと同等な遅延時間定数を有することができる物質を与える。
【解決手段】本発明は、一般式Ｍ_1−xＣｅ_xＢｒ₃の無機シンチレーション物質に関する。ここで、Ｍは、Ｌａ、Ｇｄ、Ｙからなる群のランタニド又はランタニドの混合から選択され、特にＬａ、Ｇｄからなる群のランタニド又はランタニドの混合から選択され、またｘは、セリウムによるＭの置換の程度であり、０．０１ｍｏｌ％又はそれよりも大きく、厳密に１００ｍｏｌ％未満である。また本発明は、単結晶シンチレーション物質を成長させる方法、並びに産業、医療及び／又は原油掘削探知の用途のためのシンチレーション検知器の部品としてシンチレーション物質の使用に関する。 （もっと読む）

【課題】転位を低減した半導体結晶を製造する、半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体結晶の製造方法は、先端部６ａと胴部６ｂとを有する縦型容器の先端部６ａに種結晶７を配置する工程と、縦型容器の胴部６ｂに固体の原料９、１０を配置する。原料９、１０を加熱することにより原料９、１０を溶融して、種結晶７上に原料融液を形成する工程と、原料融液を種結晶７側から凝固することにより、半導体結晶を成長する工程とを備え、原料融液を形成する工程では、種結晶７と接触する原料融液の温度と、原料９、１０と対向する側の種結晶７の端部８の温度との差を３０℃以下にする。半導体結晶の製造方法は、種結晶７の少なくとも一部を溶融する工程後に、原料９、１０を加熱することにより原料９、１０を溶融して、種結晶７上に原料融液を形成する工程を備えていてもよい。 （もっと読む）