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国際特許分類[C30B11/14]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | ノーマル・フリージングまたは温度勾配凝固による単結晶成長,例.ブリッジマン―ストックバーガー法 (253) | 種結晶によって特徴づけられたもの,例.その結晶方位 (13)

国際特許分類[C30B11/14]に分類される特許

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【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層2を利用して、複数のシリコン粒子34が前記核形成促進層2上にシリコン融液32から核形成するとともに、シリコン融液32を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。 (もっと読む)


【課題】簡素な製造工程及び設備によって、単一分極化された高品質なニオブ酸リチウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直ブリッジマン法により単一分極化されたニオブ酸リチウム単結晶を製造する方法であって、育成炉10の内部空間11aにルツボ22を配置し、ルツボ22内に、ニオブ酸リチウムの単一分極化済みの種結晶a、及び原料bを収容し、育成炉10の温度制御により、育成炉10内にニオブ酸リチウムの融点以上となる高温部と該高温部よりも下方へ向かって徐々に温度が低くなり前記融点以下となる温度勾配部を形成し、前記高温部から前記温度勾配部へ向かってルツボ22を所定の速度で下降することで、原料bに対しルツボ外から電界を加えることなく、原料bを単結晶化するとともに単一分極化するようにした。 (もっと読む)


【課題】均一な超電導体を製造する超電導体製造用種結晶および種結晶を用いた超電導体の製造方法を提供することにある。
【解決手段】RE1Ba2Cu3y系超電導体の製造に用いる種結晶(10)であって、MgOの結晶体(11)と、このMgOの結晶体(11)上に形成したRE2Ba2Cu3y系超電導体の薄膜(12)を有し、RE1は、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho、Er、Tm、Yb、Luからなる群から選ばれた少なくとも1以上の元素をさし、RE2は、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Y、Ho、Er、Tm、Yb、Luのうち前記RE1として選ばれた元素と比較して超電導体の融点温度について同じ又はより高い元素の群から選ばれた少なくとも1以上の元素をさす。 (もっと読む)


【解決手段】 ボディ・リネージュを低減するVGF結晶成長プロセスおよびVB結晶成長プロセスを用いて結晶成長を行うシステムおよび方法を開示する。一実施形態例によると、原材料を含むアンプルを、加熱源を有する炉の内部に挿入する段階と、結晶化温度勾配を、結晶および/または炉に対して相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す垂直勾配冷却法を用いて結晶を成長させる段階と、アンプル/加熱源を互いに相対的に移動させて、原材料を融解させて単結晶化合物として形成し直す動作を継続して行う垂直ブリッジマン法を用いて結晶を成長させる段階とを備える方法が提供される。 (もっと読む)


本発明は、太陽電池セル又は太陽電池モジュールにおいて用いるのに好適なシリコンを鋳造するためのシード層及びシード層の製造方法に関する。本方法は、好適な表面上において、タイルを端部を整列させて配置して継ぎ目を形成する工程、及び継ぎ目においてタイルを結合させてシード層を形成する工程を含む。結合工程は、タイルを加熱してタイルの少なくとも一部を溶融させること、タイルを少なくとも1つの継ぎ目の両端において電極と接触させること、アモルファスシリコンのプラズマ堆積を用いること、光子を照射してタイルの少なくとも一部を溶融させること、及び/又は層堆積を行うことを含む。本発明のシード層は、幅及び長さが少なくとも約500mmの直線形状を有する。 (もっと読む)


【課題】通常の光学機器や光リソグラフィー用の光学系に適し、さらには高度な光学性能が要求される半導体リソグラフィー用ステッパーの光学系に使用可能な大口径のCaF2単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】種子結晶の結晶育成方向軸に垂直な同一面内において、種子結晶の軸中心部と最外周部の温度差を6℃以下に保持すると共に、種子結晶の結晶育成方向の一端(A)をCaF2原料の溶融開始温度(1380℃〜1420℃)の温度に、もう一端(B)を(A)の温度の97%以下に相当する温度に保持して結晶を育成する方法。 (もっと読む)


【課題】良質のランガテイト単結晶を効率的に育成することができるランガテイト単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】坩堝3の内部にランガサイト種結晶5を充填すると共に、ランガサイト種結晶5上に原料を積み重ねて充填する充填工程と、坩堝3の垂直方向に温度勾配を有する炉の内部に坩堝3を配置し、ランガテイト原料6を融解して融液を形成する融解工程と、融液を下方から上方に向けて漸次固化させて単結晶を育成する育成工程とを備え、ランガサイト種結晶5が、ランガサイトによって構成されている。 (もっと読む)


【課題】
溶融のタイミングが検知容易な種結晶を用いた半導体インゴットの製造方法を提供する。
【解決手段】
鋳型1の底部に半導体融液が結晶化する基となる種結晶10を配設し、該種結晶10上で鋳型1内壁全周に周縁部が当接するように熱緩衝部材9を配設する工程Aと、鋳型1内で熱緩衝部材9上に、前記半導体融液を供給する工程Bと、熱緩衝部材9全体及び種結晶10の少なくとも一部を溶融させ、該種結晶10の溶融部位に前記半導体融液を結晶化させて半導体インゴットを形成する工程Cとを有する半導体インゴットの製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】ルツボ壁からの核形成によらず凝固成長を開始して、結晶粒径が大きく、ルツボ壁からの不純物による汚染が少なく、ルツボ壁からの応力・歪みの影響が少ないバルク結晶の作成方法を提供する。
【解決手段】Si、Ge及びSiGeから選択された半導体の融液をルツボ中で融点近傍の温度に保持したあと、前記融液中に種結晶を浸漬するか、前記半導体の融液表面の中央付近に冷却用ガスを吹き付けるか、あるいは前記融液中に石英棒、炭素棒、炭化珪素棒、窒化珪素棒、金属棒のいずれか1つの棒を浸漬して核形成させ、そこから凝固成長を開始させることにより半導体バルク結晶を作製する。 (もっと読む)


【課題】 要求に応じて種結晶の長さ(種結晶端面の高さ位置)を調節することが可能であり、種結晶の全体が溶融してしまうことを十分に防止でき、単結晶を容易に育成することが可能な単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】 種結晶Sを収容するための種結晶収容部と単結晶原料Mを収容するための原料収容部とを有するルツボを用い、前記単結晶原料を前記ルツボ中で溶融した後、冷却することで前記種結晶の結晶面に沿って単結晶を育成する単結晶の育成方法であって、 前記種結晶収容部に収容する種結晶を2以上とし、当該種結晶を同一の結晶方位となるように接触させることを特徴とする単結晶の育成方法。 (もっと読む)


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