【課題】ルツボ内の溶融液面において、育成中結晶の外周近傍から外側に向けて流れる離心流（外向流）を形成し、結晶の有転位化を抑制する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、前記単結晶とルツボ３とを互いに逆方向に回転させ、前記単結晶の回転速度を、該単結晶と溶融液との固液界面における結晶外周の周方向線速度が１５０ｍｍ／ｓ以上となるように制御し、前記ルツボの回転速度を、０〜５ｒｐｍの間で制御することによって、前記溶融液の液面にルツボ中央側から外側に向けて流れる離心流を形成する。 （もっと読む）

【課題】引き上げる単結晶の大きさに拘わらず、１．３×１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上の高酸素濃度を有する単結晶を有転位化させることなく育成することができる単結晶引上方法を提供する。
【解決手段】単結晶Ｃを引き上げる際、炉内圧力を４０〜８０ｔｏｒｒ、ルツボ回転数を３〜８ｒｐｍの間で制御すると共に、上下一対の電磁コイル１３，１４により印加される上部磁場と下部磁場の磁場強度比（上部磁場／下部磁場）を０．７〜０．９５の間で制御し、かつ、シリコン溶融液Ｍの液面Ｍ１を０（ｍｍ）位置とし、前記液面Ｍ１に対して垂直である鉛直方向における前記液面Ｍ１から上方向を正の方向、前記液面Ｍ１から下方向を負の方向としたとき、前記単結晶Ｃの中心軸上の前記鉛直方向における磁場強度が０（ガウス）となる０磁場水平位置を−１０〜＋１００ｍｍの間に制御する。 （もっと読む）

【課題】熱ロスを防止し、省エネ効果を得ることができ、かつ、安全性も確保できるＣＺ法単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液５を収容するルツボ３と前記原料融液５を加熱するヒーター６とを格納するメインチャンバー２と、該メインチャンバー２の底部に設置され前記ルツボ３から漏れてきた融液１７を収容する炭素材からなる湯漏れ受皿８を具備するチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶育成装置１であって、前記湯漏れ受皿８は、該湯漏れ受皿内に充填された複数個の受皿充填断熱材１６を有し該受皿充填断熱材１６の占める充填容積は、前記ルツボ３に収容された原料融液５の最大容量以上であり、前記受皿充填断熱材１６のうち少なくとも湯漏れ融液１７が落下する近傍の受皿充填断熱材１６は、直径１ｃｍ以上１０ｃｍ以下である球形状又は多面体形状であることを特徴とする単結晶育成装置１。 （もっと読む）

【課題】熱ロスを防止し、省電力効果を得ることができ、かつ、安全性も確保することができるＣＺ法単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液５を収容するルツボ３と前記原料融液５を加熱するヒーター６とを格納するメインチャンバー２を具備するチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶育成装置１であって、前記ルツボ３の下側であって前記メインチャンバー２の底部に接触しない中空に、前記ルツボ３から漏れてきた融液１７を収容することのできる、炭素材からなる第１断熱板４’を有し、前記第１断熱板４’は、受皿形状を有し、炭素繊維からなる断熱材で充填されたものであり、前記第１断熱板４’の湯漏れ融液の受容量は、前記ルツボ３に収容された原料融液５の最大容量以上であることを特徴とする単結晶育成装置１。 （もっと読む）

【課題】熱ロスを防止し、省エネ効果を得ることができ、かつ、安全性を確保することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】原料融液５を収容するルツボ３とそれを加熱するヒーター６とを格納するメインチャンバー２と、メインチャンバー２の底部に設置されルツボ３から漏れてきた融液１７を収容する湯漏れ受皿８とを具備する単結晶育成装置１であって、ルツボ３と湯漏れ受皿８との間に設置され、ルツボ３から漏れてきた湯漏れ融液１７を誘導して湯漏れ受皿８へ落下させるための誘導構造を有する下部誘導部材４を有し、湯漏れ受皿８は、湯漏れ受皿８内の空間に充填された受皿充填断熱材１６を有し、受皿充填断熱材１６の容積は、ルツボ３に収容された原料融液５の最大容量以上であり、受皿充填断熱材１６は、下部誘導部材４で誘導された湯漏れ融液１７が落下する位置に、落下した湯漏れ融液１７を湯漏れ受皿８の下部に導くための誘導路１６ａを有する。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造において、グローイン欠陥の発生を抑制すると共に、結晶の有転位化を抑制することができる単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ルツボ３の上方に設けられ、上部と下部とが開口形成されて、引き上げられる単結晶Ｃの周囲を包囲すると共に、前記単結晶を冷却する冷却筒７を備え、前記冷却筒７の内周面側には、複数の環状凹部７ａが周方向に沿って並列状に形成されている。このような構成により、単結晶Ｃからの輻射熱は前記冷却筒７によって単結晶に向けて反射されることが無く、複数の環状凹部７ａにおいて効果的に吸収されるので、単結晶Ｃを効率よく冷却することができる。 （もっと読む）

【課題】水冷チャンバ内の冷却に要する時間を短縮し、生産効率を向上させること。
【解決手段】上方に向けて開口すると共に、内部に原料多結晶シリコンＭが貯留される坩堝２と、坩堝内に貯留された原料多結晶シリコンを加熱するヒータ部３と、坩堝及びヒータ部が径方向の内側に配置された保温筒部４と、坩堝、ヒータ部及び保温筒部を内部に収容する水冷チャンバ５と、を備え、チョクラルスキー法によって原料多結晶シリコンから単結晶シリコンを製造する装置であって、保温筒部の少なくとも一部を保温筒部の軸Ｏ方向に沿って移動させる移動機構１２を備えている単結晶シリコン製造装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】製造装置から排出され、減圧ポンプの故障原因となる排気中の微粉体を効率よく除去できる保護フィルター装置を提供する。
【解決手段】保護フィルター装置(10)を、内部空間(19)を有するケーシング(12)と、ケーシング(12)内に微粒子を含む排気(H)を導入する排気導入管(14)と、ケーシング(12)内における排気導入管(14)の開口部において、排気導入管(14)の中心軸線(CL)上に回転可能に保持された回転体(16)と、ケーシング(12)内において、回転体(16)を介して排気導入管(14)の開口部に正対配置されており、少なくとも表面側に微粒子捕集液(L)を含んでいる無端ベルト(18)とで構成し、無端ベルト(18)の表面を回転体(16)に接触させて、無端ベルト(18)が回転することによって回転体(16)を回転させる、無端ベルト(18)の表面側における微粒子捕集液(L)を回転体(16)の表面に塗布することにより上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の引上速度を向上して結晶欠陥の発生を抑制し、且つ、結晶の有転位化を抑制できる単結晶引上装置の輻射シールドを提供する。
【解決手段】円筒状の直胴部６ｂと、前記直胴部の下端から内側に湾曲し、下端部に開口を形成する下肩部６ｃとを有し、育成する単結晶Ｃの直径をΦ_cry（ｍｍ）とすると、前記下肩部における断熱部材６ｄの下端部開口の厚さ寸法ｔ₁は、式（１）により規定され、前記直胴部における断熱部材の外側面を下方に延長した仮想線と、前記下肩部における断熱部材の下端部を含む水平面との交点から、水平面に対して４５°の傾斜線を前記下肩部に向けてひいたとき、その断熱部材に対する交点における断熱部材の厚さ寸法ｔ₂は、式（２）により規定される。ｔ₁＝０．１Φ_cry〜０．５Φ_cry・・・（１）ｔ₂≦２ｔ₁・・・（２） （もっと読む）

【課題】装置が煩雑化することなく、カーボンルツボから発生した炭素含有ガスを効率よく炉体外に排出することができ、製造コストの増加を招くことがなく、低炭素濃度のシリコン単結晶を引上げることができるシリコン単結晶引上装置及びそれを用いたシリコン単結晶の引上げ方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るシリコン単結晶引上装置１は、石英ルツボ１０ａを内面に保持するカーボンルツボ１０ｂを備え、前記カーボンルツボ１０ｂの上端１０ｂａに積載されて設けられ、前記カーボンルツボ１０ｂの上端上方の第１空間Ｓ１を通過するキャリアガスＧの一部を遮蔽し、前記第１空間Ｓ１の下部であり前記カーボンルツボ１０ｂの上端直上の第２空間Ｓ２を通過するキャリアガスＧの流速を高める円筒形状の整流部を備えた整流部材４０と、を備える。 （もっと読む）