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国際特許分類[C30B15/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法 (1,247)

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【課題】減圧ポンプの故障原因となる微粉体を効率よく除去し、できるかぎり減圧ポンプの損傷を回避し、その長寿命化を図る保護フィルター装置の提供。
【解決手段】微粒子を含む排出気体Hを導入する排気管3が接続され、内部に前記微粒子捕集液4が貯留された固定ケーシング1と、内部に微粒子捕集用充填材5が充填され、固定ケーシング1内にて微粒子捕集液4に前記微粒子捕集用充填材5の一部が浸漬されつつ回転し、固定ケーシング1内に導入された排出気体Hが前記微粒子捕集用充填材5の表面の微粒子捕集液4に接触しつつ流入し、回転中心部CLに設けられた開口部6から流入気体hが排出される回転ドラム2と、回転ドラム2の開口部6に対面して開口し、固定ケーシング1に取り付けられ、減圧ポンプCに接続される接続管7とで構成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】デバイス作製時に耐圧不良やリーク不良を起こさず、低コストで低酸素濃度のウェーハを提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハが、酸素濃度8×1017atoms/cm(ASTM ’79)以下のシリコン単結晶インゴットから切り出され、選択エッチングによりFPD欠陥及びLEP欠陥が検出されず、かつ、赤外散乱法によりLSTDが検出される欠陥領域を含むものであることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ。 (もっと読む)


【課題】純度の低い炭素材で形成することができ、SiOが硬化凝結し難く、優れた遮熱効果を備える単結晶成長装置用部材とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る単結晶成長装置用部材は、炭素材で形成され、表面の一部又は全部がSi含浸層で覆われている。本発明に係る単結晶成長装置用部材の製造方法では、炭素材で形成された原形材の一部又は全部をシリコン融液に浸漬させ、前記原形材の表面の一部又は全部をSi含浸層で覆う。 (もっと読む)


【課題】高酸素濃度のシリコン単結晶の無欠陥領域から切り出されたシリコンウェーハであっても、ライフタイムを向上させることができ、かつ、半導体デバイス形成時における熱処理においてスリップの発生が抑制されたシリコンウェーハを生産性が低下することなく得ることができるシリコンウェーハの熱処理方法を提供する。
【解決手段】CZ法によりv/G値を制御して育成されたシリコン単結晶インゴットの無欠陥領域から切り出された酸素濃度が1.2×1018個/cm以上1.8×1018個/cm以下であるシリコンウェーハに対して、窒素ガスを含まない非酸化性雰囲気中、1300℃以上1380℃以下の第1の最高到達温度の範囲内で1秒以上15秒以下保持した後、更に、窒素ガスを含まない酸化性雰囲気中、1300℃以上1380℃以下の第2の最高到達温度の範囲内で1秒以上15秒以下保持する急速昇降温熱処理を行う。 (もっと読む)


【課題】安定した半導体結晶を歩留まり良く得ることができる半導体結晶の製造方法を実現する。
【解決手段】ルツボ3内に収容した原料7及び液体封止材8を加熱、溶融し、ルツボ内に生成した原料融液に種結晶4を接触させつつ該種結晶を引上げて成長結晶11を得る半導体結晶の製造方法において、引上げる半導体結晶の頭部11aにガス吹き付け装置12によって窒素又はアルゴン又は二酸化炭素又は一酸化炭素のガスを吹き付けて前記半導体結晶内の軸方向の温度勾配を8〜15℃/mmに制御することにより、安定した単結晶を歩留まり良く製造する。 (もっと読む)


【課題】 不慮の事故等でルツボ内の原料融液がルツボ外に流出し、ペデスタルに沿って流れ落ちた場合であっても、ペデスタル下方の金属部に融液が達するのを確実に防ぎ、装置の損傷や事故の発生を未然に抑制できる単結晶製造装置及び単結晶製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 原料融液を保持するためのルツボと、該ルツボを支持し、昇降可能であるペデスタルと、該ペデスタルを介して前記ルツボを回転させるためのルツボ回転軸と、前記ルツボの下方に配置され、前記ペデスタルを囲繞するようにセンタースリーブが設けられた湯漏れ受けを具備するCZ法による単結晶製造装置であって、前記ペデスタルの外周部に、前記ルツボから漏れ出した前記原料融液が滴り落ちることを抑止するための溝が2以上設けられたものであることを特徴とする単結晶製造装置。 (もっと読む)


【課題】CZ法によるシリコン単結晶引き上げ装置において、生じる可燃性の粉塵を処理可能な排気システム及び粉塵の処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置に接続された排気管路と、前記排気管路を通して前記引き上げ装置に供給された不活性ガスを吸引する真空ポンプと、前記真空ポンプの手前で前記排気管路に配置され、前記真空ポンプによって排気されるガスを手前で処理するフィルタと、を備えた単結晶引き上げ装置の排気システムであって、前記フィルタは雰囲気ガスの成分に応じて加熱可能なヒータを備えることを特徴とする。これにより、未燃焼の可燃性の粉塵を十分に処理することができる。 (もっと読む)


【課題】融液表面における固化や有転位化を生じさせることなく冷却筒の冷却能力を向上させ、無欠陥の単結晶製造時における引上げ速度を高速度とし、それによって単結晶の生産性及び歩留まりを向上させ、かつ消費電力を抑制することができる単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液4を収容するルツボ2、前記原料融液4を加熱するヒーター3、冷却媒体によって強制冷却される冷却筒16及びこれらを収容する冷却チャンバー12aを有する単結晶製造装置1であって、前記原料融液4と引上げ中の単結晶5との界面近傍において、前記引上げ中の単結晶5を囲繞するように、断熱材を有する遮熱部材15が配置され、該遮熱部材15の上方に、前記引上げ中の単結晶5を囲繞するように前記冷却筒16が配置され、該冷却筒16を囲繞するように、前記冷却筒外周との間に空隙を設けて冷却筒外周断熱材14が配置された単結晶製造装置。 (もっと読む)


【課題】低酸素濃度のシリコン単結晶において、L/D領域およびB−band領域を高感度に検出し得る手段を提供すること。
【解決手段】シリコン単結晶の検査方法。一態様は、チョクラルスキー法により育成された格子間酸素濃度(旧ASTM)が12E17atoms/cm3未満のシリコン単結晶インゴットから切り出されたサンプルの表面を銅で汚染すること、上記汚染後のサンプルに、700℃以上800℃未満の温度域で5分間以上加熱した後に該温度域から2.5℃/分を超える降温速度で急冷する加熱冷却処理を施すこと、上記加熱冷却処理後の前記サンプル表面を選択エッチングすること、上記選択エッチング後のサンプル表面のピットが局在している領域をL/D領域として特定すること、を含む。他の態様は、異なる処理を施した2つのサンプルの対比結果からB−band領域を特定することを含む。 (もっと読む)


【課題】機器破損等を防止しながら、堆積したSiO微粉の燃焼を行い、安定して単結晶の製造を実施できる単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー(CZ)法により、単結晶製造装置1内からドライ真空ポンプ3により不活性ガスを排出しながら、単結晶インゴットを引き上げる単結晶の製造方法であって、前記ドライ真空ポンプ3以降のラインに、1〜2日に一回の頻度で大気を導入して前記ライン内のSiO微粉を燃焼させる単結晶の製造方法。 (もっと読む)


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