【課題】ＩＧＢＴに好適に用いられるＣＺ法により形成されたシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により格子間酸素濃度［Ｏｉ］が７．０×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットに中性子線を照射してリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハに対して少なくとも酸素を含む雰囲気において所定の式を満たす温度Ｔ(℃)で酸化雰囲気アニールをし、前記ウェーハの一面側にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするＩＧＢＴ用のシリコンウェーハの製造方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長の際に反応室内に付着した堆積物を効果的に洗浄する方法を含むＩＩＩ族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ＩＩＩ族窒化物結晶１１の成長方法は、反応室１１０にＨＣｌガス１を導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０内でＳｉ原子をドーピングしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。または、反応室１１０にＨＣｌガスを導入して反応室１１０内を洗浄する工程と、洗浄された反応室１１０に取り付けられたトラップ装置１１６内に副生成物として生成した塩化アンモニア粉末をトラップしながらＩＩＩ族窒化物結晶１１を気相成長させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】チョクラスキー法による単結晶製造装置において、断熱材サイズが、一般にチャンバー内側の炉内最外周部に厚さ５０〜１５０ｍｍと十分厚くとれない場合において、輻射減衰と気体移動抑制により加熱ヒーターからチャンバーへの熱ロスを効果的に抑制する断熱筒を提供する。
【解決手段】チャンバー９ａ内に加熱ヒーター２が配置され、該加熱ヒーター２を囲うように配置されることで、前記加熱ヒーター２の輻射熱から前記チャンバー９ａを保護するための断熱筒８であって、該断熱筒８の断熱部２０には、黒鉛シートまたは１８００℃以上の融点を有する金属薄膜からなる反射層を有し、該反射層が間隔を持って、厚さ方向に２以上設置されるものであることを特徴とする断熱筒８。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電気炉の加熱温度を下げないで、ゲートバルブの弁板の熱変形をさせずに、トラブルが無く結晶製造を連続的に行うことができ、大幅な製造コストの削減が出来る熱遮蔽機を提供する。
【解決手段】本発明は、加熱炉の取り出し口に設けられたゲートバルブと加熱容器部の間に挿抜可能に配置される蓋であって、前記蓋内部に冷却媒体を循環させ、前記ゲートバルブへの熱伝達を遮蔽することを特徴とする熱遮断機の構成とした。 （もっと読む）

【課題】 種結晶がホルダから外れてしまうことを回避することが可能なサファイア単結晶製造装置を提供すること。
【解決手段】 酸化アルミニウムを溶融するるつぼ２０と、酸化アルミニウムの種結晶３２を保持するホルダ３０と、ホルダ３０をるつぼ２０に溜められた酸化アルミニウムの溶融液２１に対して回転させながら引き上げる回転引上げ手段７０と、を備えたサファイア単結晶製造装置１０であって、回転引上げ手段７０による引上げ方向においてホルダ３０と重なる位置にあり、かつ引上げ方向視においてホルダ３０を囲む遮熱手段４０を備える。 （もっと読む）

【課題】ヒータ、石英坩堝、シリコン融液等からの熱を遮熱部材で効果的に遮断して、シリコン融液のシード浸漬部や育成途上結晶を確実に冷却でき、単結晶シリコンの成長を促進できるとともに、生産性を向上できる単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に、シリコン融液を貯留する有底筒状の坩堝と、前記坩堝の径方向外側に配置されたヒータとを備え、前記シリコン融液に浸漬したシードを引き上げて単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造装置であって、前記坩堝の上方には、前記シードを囲むように筒状に形成された遮熱部材２４が配設され、前記遮熱部材２４は、黒鉛からなり内部に収容空間２５Ａが形成された第１部材２５と、前記収容空間２５Ａに収容された第２部材２６と、を有し、前記第２部材２６は、シード側とは反対側を向く面が光沢面２７Ａとされた反射板２７を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多結晶の発生を抑制することのできるＧａＡｓ単結晶の製造方法及びＧａＡｓ単結晶を提供する。
【解決手段】窒素を含む雰囲気ガスで充填される反応容器２内に設置され、ＧａＡｓの原料９を収容しているルツボ５を加熱し、原料を融解させて原料融液にする原料融解工程と、ＧａＡｓの種結晶４を原料融液に接触させ、種結晶４の先端からＧａＡｓ単結晶８を成長させると共に、ＧａＡｓ単結晶８の表面に窒化物薄膜を形成する単結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】単結晶の育成時における熱効率の低下を抑制することによってヒーターの消費電力を低減し、かつ結晶引き上げ後のチャンバー内を短時間で冷却し得る単結晶の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】原料融液３からチョクラルスキー法により単結晶４を引上げて製造する単結晶製造装置であって、断熱筒１３は上段肉厚部１３ａと、上段肉厚部１３ａから下方に延伸し、上段肉厚部１３ａよりも肉厚が薄い下段肉薄部１３ｂを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコン原料の溶融と種結晶の予備加熱を簡単な構成で効率良く行うことが可能なシリコン単結晶引き上げ装置及びシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶引き上げ装置１０は、シリコン融液２を保持する石英ルツボ１４と、石英ルツボ１４の周囲に設けられたヒーター１５と、石英ルツボ１４の上方に設けられ、先端に種結晶１が取り付けられた第１の引き上げ軸１８と、石英ルツボ１４の上方に配置された略逆円錐台形状の筒状部分を有する熱遮蔽部材２０と、中空部を有する円盤状の熱遮蔽板２２とを備えている。熱遮蔽板２２は、シリコン融液２の上方を覆う保温位置とシリコン融液２から見て保温位置よりも上方の待避位置との間を移動可能に構成されており、熱遮蔽板２２の保温位置は垂直方向に対して前記熱遮蔽部材２０と重なる位置である。熱遮蔽板２２の位置制御は、第１の引き上げ軸１８の昇降制御とは独立して行われる。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法によってテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）結晶を、捩れや結晶内の歪を生じることなく容易に製造できる酸化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）によりテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶を育成する方法において、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げ、所望の大きさ（直胴部）まで結晶径を拡大していく際に、結晶の広がり角θを４５°以上とし、且つ、坩堝の上部で直胴部直径（ｄ）に対して１．３倍以下の内径（Ｄ）を持つ平板円環状のジルコニウム製の絞りを通過させることを特徴とする酸化物単結晶の育成方法により提供する。 （もっと読む）