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国際特許分類[C30B15/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法 (1,247)

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【課題】 より正確に重量を測定することが可能な単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】 単結晶引上装置A1は、重量検出手段541を有する支持体5を動かすことにより引上軸3および軸支持部4を動かし、気密容器2内の単結晶1の引き上げを行うものであり、軸支持部4は、引上軸3を支持する本体部41と、本体部41と連結された被支持部43とを具備しており、支持体5は、被支持部43を支持する支持部54と、被支持部43より軸方向z上方に配置された延出部53とを具備しており、延出部53と被支持部43との間に設けられ、軸方向zに伸縮可能な第1の筒体71と、引上軸3を囲むように構成され、軸方向zに伸縮可能であり、軸方向zにおける上端が本体部41に固定された第2の筒体72と、第1の筒体71と第2の筒体72とを連結する配管74を備えている。 (もっと読む)


【課題】チョクラルスキー法によってテルビウム・ガリウム・ガーネット(TGG)結晶を、捩れや結晶内の歪を生じることなく容易に製造できる酸化物単結晶の育成方法を提供する。
【解決手段】Cz法(回転引き上げ法)によりテルビウム・ガリウム・ガーネット(TGG)単結晶を育成する方法において、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げ、所望の大きさ(直胴部)まで結晶径を拡大していく際に、結晶の広がり角θを45°以上とし、且つ、坩堝の上部で直胴部直径(d)に対して1.3倍以下の内径(D)を持つ平板円環状のジルコニウム製の絞りを通過させることを特徴とする酸化物単結晶の育成方法により提供する。 (もっと読む)


【課題】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶引上装置で、ドーパントが高濃度で添加された低抵抗率のシリコン単結晶を引き上げる際に炉内及び排気管内に付着した活性シリコン酸化物を、前記装置の解体・清掃前に効率的に酸化燃焼させて除去するシリコン単結晶引上装置のクリーニング方法を提供する。
【解決手段】炉内に配置されたルツボ内に保持されたシリコン融液10からシリコン単結晶12を引き上げた後、シリコン単結晶12を前記炉内から取り出し、前記炉内及び排気管15内に大気を供給しつつ、排気管15内から前記大気を強制排気する。 (もっと読む)


【課題】ネック部に拡径部と縮径部とを交互に形成して、品質の安定した単結晶を引き上げ可能とし、且つ、種結晶から直胴部への転位化を防止することのできる単結晶引上装置及び単結晶引上げ方法を提供する。
【解決手段】育成されるネック部の径を測定するネック径測定手段と、前記ネック径測定手段から得られたネック部の測定値と、記憶手段に予め記憶したネック部径の狙い値との差分に基づき、種結晶の補正された第一の引上速度を出力する第一の引上速度補正手段21,22と、前記第一の引上速度の上限を第一の制限値に制限した、第二の引上速度を出力する第二の引上速度補正手段23と、少なくとも前記引上速度の上限が前記第一の制限値に制限されている間、ルツボの回転数を低下させるルツボ回転数補正手段24,25とを備える。 (もっと読む)


【課題】原料融液を収容するルツボ周囲の保温効果を高め、かつルツボの外側に配置された加熱ヒータの発熱量を抑制しても、半導体単結晶の成長速度の高速化と品質の安定化を十分に図ることができる半導体単結晶の製造装置を提供する。
【解決手段】ルツボ11a、11bと、その周囲に配置された加熱ヒータ12とを具備する半導体単結晶の製造装置であって、前記育成炉本体19a内の前記加熱ヒータ12の周囲に保温筒21が配置されており、該保温筒21は内側面に上部と下部とを分ける段差部21aを有し、前記下部21bの内径が前記上部21cの内径よりも大きいものであり、前記育成炉本体19a内において前記加熱ヒータ12の下方かつ前記保温筒21の下部の内側に断熱板22が配置されており、該断熱板22の外径が、前記保温筒21の上部の内径よりも大きく、かつ前記保温筒21の下部の内径よりも小さいものである半導体単結晶の製造装置。 (もっと読む)


【課題】大口径且つ長尺の育成結晶体の上部域から下部域の全域に亘って、レーザー光照射による透過率の低下が抑制された、即ちレーザー耐性の高い高品質の光学特性を有する結晶を、歩止まりが高く、しかも大型の結晶を製造できる工業的価値が高い方法を提供する。
【解決手段】炉内に原料フッ化金属と固体含金属スカベンジャとを収容し、炉内を昇温し原料フッ化金属を溶融させ、次いで溶融したフッ化金属を単結晶化するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記固体含金属スカベンジャを、原料フッ化金属の融点以上の温度に保持される炉内の高温部位と、溶融したフッ化金属を単結晶化する工程を通じて、固体含金属スカベンジャの融点以上乃至原料フッ化金属の融点未満、例えば「原料フッ化金属の融点−150℃」以下の保持される炉内の低温部位とに分割して収容、好ましくは、低温部位/高温部位の質量比率が0.3〜1.0となるように収容することを特徴とするフッ化金属単結晶の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】本発明の目的は、複雑な雰囲気圧力の制御を必要とすることなく、比抵抗のばらつきが小さいシリコン単結晶を確実に製造できる方法を提供することにある。
【解決手段】揮発性ドーパントを添加したシリコン融液から、チョクラルスキー法によって比抵抗値が10Ω・cm以上のn型シリコン単結晶の引き上げを行うシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶を引き上げる際の雰囲気圧力を調整しつつシリコン単結晶の引き上げを開始し、雰囲気圧力が所定圧力に達した後、引き上げ終了まで所定圧力±0.5kPaの範囲に雰囲気圧力を維持することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】気体スカベンジャー(スカベンジャーガス)の利点を生かして高いレーザー耐性を有する、ステッパーの光学系レンズとして有用なフッ化金属単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン製の断熱材壁8を有するフッ化金属単結晶育成炉を使用して、単結晶引上げ法により、フッ化カルシウムやフッ化マグネシウムなどのフッ化金属単結晶を育成するフッ化金属単結晶の製造方法において、前記フッ化金属単結晶育成炉内をアルゴンやヘリウムなどの不活性ガス雰囲気とし、具体的には育成炉内の底部より不活性ガスを炉内に導入しつつ、テトラフルオロメタンなどのスカベンジャーガスを前記フッ化金属の融液12中に供給するか或いは該融液12の液面に吹き付けて、フッ化金属単結晶13を成長せしめる。 (もっと読む)


【課題】 チョクラルスキー法等の融液凝固法によりフッ化金属単結晶体を製造する方法において、真空紫外光領域での吸収の少ない単結晶体を再現性良く、容易に製造する方法を提供する。
【解決手段】 原料フッ化金属溶融液に種結晶体を接触させて結晶成長を開始させるに先立ち、不活性ガス及び/又はフッ素系ガス雰囲気下で原料フッ化金属を溶融させた後、一旦、原料を凝固させ、系内の真空排気を行う。当該操作を行った後に種結晶体を接触させるための原料フッ化金属の溶融を行うことにより140〜170nm付近の吸収の極めて少ない単結晶体が再現性良く製造できる。種結晶体の接触及び結晶成長も不活性ガス及び/又はフッ素系ガス雰囲気下で行う。 (もっと読む)


【課題】高品位のサファイア単結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いた単結晶インゴットの育成方法であって、種結晶を所定温度に加熱する種結晶加熱工程と、前記種結晶を原料融液に接触させた後、該種結晶を引き上げながらネック部を形成するネッキング工程とを具え、前記ネッキング工程は、前記種結晶を引き上げる際に、種結晶の先端表面上に育成される結晶が、縮径から拡径および拡径から縮径の少なくとも一方の径変化を1回以上経ることを特徴とする。 (もっと読む)


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