【課題】ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長によって育成するために必要不可欠な高い品質を有しており、ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶膜の格子定数と近似した値で、かつ熱膨張係数も近似した値を持ち、さらに工業的に有利なＣＺ法で育成できる組成式の単結晶基板を提供する。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を液相エピタキシャル成長させるための単結晶基板であって、組成式Ｃａ_ｘＮｂ_ｙ１Ｔｉ_ｙ２Ｇａ_ｚＯ_１２（２．９＜ｘ＜３．１、０．９＜ｙ１＜１．１、０．９＜ｙ２＜１．１、２．９＜ｚ＜３．１）で表されるものであることを特徴とする単結晶基板。 （もっと読む）

【課題】高品位のサファイア単結晶を成長させる方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法を用いた単結晶インゴットの育成方法であって、種結晶を所定温度に加熱する種結晶加熱工程と、前記種結晶を原料融液に接触させた後、該種結晶を引き上げながらネック部を形成するネッキング工程とを具え、前記ネッキング工程は、前記種結晶を引き上げる際に、種結晶の先端表面上に育成される結晶が、縮径から拡径および拡径から縮径の少なくとも一方の径変化を１回以上経ることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】育成中に有転位化が発生したシリコン単結晶から、ロス無く効率的に単結晶部を得ることができるシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ルツボ内の原料融液に種結晶を融着後、該種結晶を上方に引き上げてシリコン単結晶を育成するチョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、シリコン単結晶の直胴部を育成中に有転位化が発生した場合、前記シリコン単結晶の直胴部の有転位化が発生した位置から引き上げ軸下方に、前記直胴部の直径の０．５倍以上で、かつ、前記直胴部の直径以下の長さの結晶をさらに引き上げて、該引き上げたシリコン単結晶を原料融液から切り離すシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ法による無欠陥シリコン単結晶の製造方法において、双晶欠陥が抑制された良質なシリコン単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＣＺ法によってチャンバ内でシリコン単結晶をシリコン融液から引上げて製造する方法において、双晶欠陥のない無欠陥結晶を得るために、前記シリコン単結晶の引き上げ速度Ｖと結晶温度勾配Ｇの比のＶ／Ｇ値を、格子間シリコンの凝集体として形成される転位クラスター領域と格子間シリコン優勢の無欠陥領域の境界Ｖ／Ｇ値より０．２〜０．５％大きい範囲で、かつ、ＯＳＦ領域が出現するＶ／Ｇ値よりも小さい範囲内で制御し、前記シリコン単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】冷却体の冷却能を低下させることなく、シリコン単結晶の製造時におけるＣＯＰ等の結晶欠陥の低減を図ることができ、かつ、シリコン単結晶に転位が発生した場合でも、クラックや割れの発生を抑制することができるシリコン単結晶の製造方法及びそれに用いられるシリコン単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】ルツボ１４の外周囲に設けられ、ルツボ１４を加熱するヒータ１８と、ルツボ１４の上方に設けられ、シリコン単結晶Ｉｇの外周を包囲し、シリコン単結晶Ｉｇへの輻射熱を遮蔽する熱遮蔽体２０と、熱遮蔽体２０とシリコン単結晶Ｉｇとの間の空間領域に設けられ、シリコン単結晶Ｉｇを冷却する冷却体６０と、シリコン単結晶Ｉｇの転位の発生を評価する評価手段７０と、を備え、評価手段７０により転位の発生を確認した場合には、前記シリコン単結晶Ｉｇを昇温させるために、前記冷却体６０を上昇させる。 （もっと読む）

【課題】固形原料の融解に要す時間を短縮でき、操業効率の向上を十分に実現できる単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】引き上げ装置は、ルツボ２内の固形原料９を加熱して融解させ原料融液１０を形成するヒータ４と、ルツボ２の上方で引き上げ中の単結晶１１を包囲する筒状の熱遮蔽体８と、熱遮蔽体８の直上に配置され、水平方向に互いに接近および離間するスライド移動が可能な一対の断熱板１２と、これらを収容するチャンバ１と、を備え、ルツボ２内で初期チャージの固形原料９を融解させる際、各断熱板１２をスライド移動させて断熱板１２全体で熱遮蔽体８の内側開口を被う状態にし、融解完了後に単結晶１１を育成する際、各断熱板１２をスライド移動により退避させた状態にする構成である。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法やキロポーラス法によるフッ化カルシウムなどのフッ化金属単結晶体の製造において、種結晶体表面への黒色物質の付着を効果的に抑制する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも原料フッ化金属が溶融を開始してから種結晶体を原料溶融液に接触させるまでの間は、種結晶体の原料溶融液に接触させる部分（先端部）を炉内の高温領域に待機させて、各種揮発成分の種結晶先端への凝縮・付着を防止する。具体的には、原料フッ化金属の融点未満かつ（融点−４００℃）以上の温度となる位置ｃにて待機させる。さらにスカベンジャーを用いる場合には、スカベンジャーの溶融及び／又は分解が開始するよりも前に当該位置にての待機を開始させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の育成中に、ルツボ材料やカーボン蒸気と原料融液との反応に起因する内包物の生成が抑制され、高品質なサファイア単結晶を得ることができる単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】カーボン系ヒータ３，４又はカーボン系断熱材５を用いたチャンバ６内に、モリブデン、タングステン、もしくはそれらの合金製のルツボ１を設置し、このルツボ１にサファイア原料粉末を装入し、雰囲気ガスを予め不活性ガスで置換した後、ルツボ１を直接加熱してサファイア原料粉末を溶融し、得られた原料融液１０に種結晶１１を接触させて成長結晶１２を引き上げる融液成長法によるサファイア単結晶の製造方法において、前記雰囲気ガスは、不活性ガスと一酸化炭素ガスの混合ガスであり、かつ、一酸化炭素ガスの含有量が、カーボン蒸気又はルツボ材料とサファイア原料融液との反応に起因する内包物の生成を抑制するのに十分な量であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ装置において、ルツボからの湯漏れを高感度かつ高精度に検出できる単結晶引上げ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】原料融液を収容するルツボと、前記原料融液を加熱するヒータを格納するメインチャンバーと、該メインチャンバーの底部に設置され前記ルツボから漏れてくる融液を収容する湯漏れ受け皿と、該湯漏れ受け皿に配設され湯漏れを検出する湯漏れ検出器とを具備したチョクラルスキー法によって単結晶インゴットを製造する単結晶引上げ装置であって、少なくとも、前記湯漏れ検出器は、前記湯漏れ受け皿の上面に敷設された金属製部材と、該金属製部材の電気抵抗を測定する抵抗測定手段とを有し、該抵抗測定手段が測定した前記金属製部材の電気抵抗の変化により湯漏れを検出するものである単結晶引上げ装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン単結晶中のピンホールの発生を大きく抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、少なくとも前記シリコン原料の溶融後Ｓｓから前記シリコン単結晶の直胴部の引上げ後Ｅｓまでの炉内圧制御範囲（Ｓｓ−Ｅｓ間）において、炉内圧を減圧させずに常に漸増Ｒｐさせる（ａ）、炉内圧を減圧させずに一定Ｃｐとする過程に加え、炉内圧を漸増Ｒｐさせる過程を含む（ｂ）、（ｃ）、及び、炉内圧を減圧させずに一定Ｃｐとする過程と炉内圧を漸増Ｒｐさせる過程を複数含む（ｄ）、等の方法からなり、前記炉内圧の漸増Ｒｐは、２０ｔｏｒｒ以上８５ｔｏｒｒ以下の範囲で行うことが好ましい。 （もっと読む）