【課題】シリコン単結晶中のピンホールの発生を大きく抑制することができるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法において、少なくとも前記シリコン原料の溶融後Ｓｓから前記シリコン単結晶の直胴部の引上げ後Ｅｓまでの炉内圧制御範囲（Ｓｓ−Ｅｓ間）において、炉内圧を減圧させずに常に漸増Ｒｐさせる（ａ）、炉内圧を減圧させずに一定Ｃｐとする過程に加え、炉内圧を漸増Ｒｐさせる過程を含む（ｂ）、（ｃ）、及び、炉内圧を減圧させずに一定Ｃｐとする過程と炉内圧を漸増Ｒｐさせる過程を複数含む（ｄ）、等の方法からなり、前記炉内圧の漸増Ｒｐは、２０ｔｏｒｒ以上８５ｔｏｒｒ以下の範囲で行うことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】単結晶の抵抗値を再現性よく制御でき、歩留まりが向上する化合物半導体結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】一酸化炭素を含む不活性ガス雰囲気中で、ルツボ内に収容した化合物半導体結晶の原料および封止材を、原料の融点以上に加熱して融解させると共に原料融液の温度を最高到達温度に保って原料融液上に融解した封止材の層を形成し、しかるのち、その封止材の層と原料融液の界面の温度を融点以下に下げ、かつ原料融液に種結晶を接触させると共にこれを引き上げて単結晶を得る化合物半導体結晶の製造方法において、最高到達温度及び／又は封止材の含有水分量を制御して、原料融液に含ませる炭素濃度を調整し、これにより、単結晶の炭素濃度を調整して単結晶の抵抗値を制御する。 （もっと読む）

【課題】監視窓の窓ガラスを湯跳びから保護することができる単結晶製造装置および単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液３を収容するルツボ４と、前記原料融液３を加熱するヒーター６と、該ヒーター６と前記ルツボ４を格納するチャンバー２を具備し、該チャンバー２に、チャンバー２内部を監視するための監視窓１１が備えられたチョクラルスキー法による単結晶製造装置１であって、前記監視窓１１は、外気と遮断するため窓ガラス１２が嵌め込まれているとともに、該窓ガラス１２のチャンバー２内の内側に前記窓ガラス１２を保護する遮蔽板１６が開閉可能に備えられているものである単結晶製造装置１。 （もっと読む）

【課題】他の結晶特性に影響することなくシリコン単結晶における巨視的ボイドの発生率をさらに減じる。
【解決手段】シリコンから成る単結晶９をるつぼ４に含まれた融液１１から引き上げる方法において、引上げの間単結晶９は熱シールド２によって包囲されており、熱シールドの下端部３は融液の表面から所定の距離ｈに位置しており、ガス流１０が、単結晶９と熱シールド２との間の領域を下方へ、熱シールド２の下端部３と融液１１との間を外方へ、次いで熱シールド２の外側の領域において再び上方へ流れ、下端部３における熱シールド２の内径Ｄ_HSが単結晶９の直径Ｄ_SCよりも少なくとも５５ｍｍだけ大きく、下端部３における熱シールド２の半径方向幅Ｂ_HSUが単結晶９の直径Ｄ_SCの２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】単結晶引上げ装置に用いられる断熱板の取り付け、取り外しを安全かつ効率的に行うことができる単結晶引上げ装置の断熱板移載治具を提供する。
【解決手段】単結晶引上げ装置において、断熱板を昇降、移送するチェーン又はワイヤーの先端に取り付けられ、断熱板を支持する断熱板移載治具３１であって、少なくとも、断熱板の貫通孔内を通過可能な下板２７を有する本体部３６と、下板２７に水平回転可能に一端が取り付けられ、断熱板を支持する２つ以上の支持アーム２３、２３’、２３’’とを備え、支持アーム２３、２３’、２３’’が水平回転することによって、支持アーム２３、２３’、２３’’が取り付けられた下板２７が断熱板の貫通孔を通過可能、又は、支持アーム２３、２３’、２３’’により断熱板を支持可能になるものである単結晶引上げ装置の断熱板移載治具３１。 （もっと読む）

【課題】縮径部の最小径が５ｍｍ以上と太い場合であっても、転位が増えることによるネック部の最小径部分における強度低下を防止すると共に、当該ネック部において、転位を消滅させて無転位のシリコン単結晶を製造することができるシリコン単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】種結晶５０の直下に、最小径が５．０ｍｍ以上である第１縮径部６０ａを形成し、次いで、前記最小径から結晶径を拡径させて、最大径が前記種結晶の結晶径よりも小さい拡径部７０を形成し、次いで、前記最大径から結晶径を縮径させて、最小径が５．０ｍｍ以上である第２縮径部６０ｂを形成し、前記拡径部７０及び前記第２縮径部６０ｂをこの順で交互に繰り返し形成すると共に、前記第１縮径部６０ａの縮径率を前記第２縮径部６０ｂの縮径率より大きくネック部５５を形成する。 （もっと読む）

【課題】縮径部の最小径が５ｍｍ以上と太い場合であっても、転位が増えることによるネック部の最小径部分における強度低下を防止すると共に、当該ネック部において、転位を消滅させて無転位のシリコン単結晶を製造することができるシリコン単結晶の製造方法の提供。
【解決手段】
種結晶５０をシリコン融液１６に接触させた後、種結晶５０から結晶径を縮径させて、種結晶５０の直下に、最小径ｄ１が５ｍｍ以上である縮径部６０を形成し、次いで、最小径ｄ１から結晶径を拡径させて、最大径が種結晶５０の結晶径よりも小さい拡径部７０を形成し、縮径部６０及び拡径部７０をこの順で交互に繰り返し形成すると共に、縮径部６０の縮径率を０．６ｍｍ／ｍｍ以上１．５ｍｍ／ｍｍ以下としてネック部５５を形成する。 （もっと読む）

【課題】シリコンから成る半導体ウェハを、高い歩留りで、かつ経済的な引き上げ速度で製造する。
【解決手段】増大する直径を有する円錐状セクションと、少なくとも４５０ｍｍの直径とるつぼに含まれた融液から少なくとも８００ｍｍの長さとを有する隣接する円筒状セクションとを備える単結晶を、円錐状セクションから円筒状セクションへの移行部を引き上げる過程において、円筒状セクションの引上げ中の平均引上げ速度よりも少なくとも１．８倍高い引上げ速度で引き上げ、成長する単結晶を少なくとも２０ｋＷの冷却電力で冷却し、るつぼの側壁から成長する単結晶に熱を供給し、成長する単結晶を包囲する熱シールドと融液の表面との間に、少なくとも７０ｍｍの高さを有する間隙が存在しており、円筒状セクションから半導体ウェハをスライスし、複数の半導体ウェハが、半導体ウェハの中心から半導体ウェハのエッジまで延びた、ｖ−欠陥を備えた領域を有している。 （もっと読む）

本発明は、単結晶成長装置の断熱装置およびこれを含む単結晶成長装置に関するものである。本発明の単結晶成長装置の断熱装置は、単結晶成長装置のチャンバー内に設置される断熱装置において、前記断熱装置は、第１距離に離隔されて形成される複数の断熱ブロックを含む。 （もっと読む）

【課題】単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、原料融液の漏れを即時に検知できる漏洩検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る漏洩検出方法では、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成した検出手段を、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設し、前記検出手段の電極間の短絡及び／又は電流の変化を検出する。前記検出手段は、シリコンウエーハ間に薄板ゲルマニューム単結晶を挟んだ状態で、前記薄板ゲルマニューム単結晶の融点近傍まで昇温し、前記シリコンウェーハを前記薄板ゲルマニューム単結晶で接着し一体化したもので構成されたものであってもよい。 （もっと読む）