【課題】単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、原料融液の漏れを即時に検知できる漏洩検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る漏洩検出方法では、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成した検出手段を、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設し、前記検出手段の電極間の短絡及び／又は電流の変化を検出する。前記検出手段は、シリコンウエーハ間に薄板ゲルマニューム単結晶を挟んだ状態で、前記薄板ゲルマニューム単結晶の融点近傍まで昇温し、前記シリコンウェーハを前記薄板ゲルマニューム単結晶で接着し一体化したもので構成されたものであってもよい。 （もっと読む）

【課題】インナーシールドから支持部材への熱の逃げを低減することで炉内保温性を高め、省電力化しつつ単結晶の製造時間を削減できる単結晶製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】少なくとも、原料を収容するルツボと、該原料を加熱して原料融液にするヒータを格納するメインチャンバと、該メインチャンバの上部に連設され、育成した単結晶が引き上げられて収容されるプルチャンバとを具備するチョクラルスキー法による単結晶製造装置であって、前記ヒータと前記メインチャンバとの間に配置され、前記ヒータからの輻射熱を遮断するインナーシールドと、該インナーシールドを下方から支持する支持部材とを有し、前記インナーシールドは前記支持部材と３箇所以上の支点で接触して支持され、前記インナーシールドの下端は前記支点以外では前記支持部材と接触しないものであることを特徴とする単結晶製造装置。 （もっと読む）

本発明は、固有るつぼを用いて半導体材料からＦＺ法による材料特性を有する単結晶を製造する方法および装置に関する。この方法により、公知の方法の典型的な欠点を解消するのが望ましい。チョクラルスキー法では、るつぼにより融解物ひいては結晶が汚染され得る。ペデスタル法では、引き上げられる単結晶は、常に、用いられる素材棒よりも小さな直径を有している。本発明によれば、単結晶（６）が、誘導体（４）の中央開口（５）を通って引き上げられ、誘導体は、平らなディスクとして構成され、高周波磁界透過性の容器（１）内に存在する半導体材料（２）から成る粒状の堆積物の上側に配置されている。誘導体（４）は、追加的な開口を備えており、開口を通って再充填装置（１０）を介して半導体材料が再充填可能である。粒状の半導体材料は、溶融池（７）のための容器としていわゆる「固有るつぼ」を形成する。溶融池（７）の大きさは、溶融池の上側に配置される誘導体（４）によりコントロールされる。溶融池（７）が中央で結晶化相境界の下側で大きな結晶直径にとって十分な深さを有するために、追加的な誘導加熱装置（８，９）が設けられている。誘導加熱装置（８，９）は、好適には複数巻きのコイルとして構成されており、その巻体は、容器の周りに配置されている。この方法を実施するための装置が提案される。
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【課題】チョクラルスキー（Ｃｚ）法による単結晶引き上げ装置において、安価なるつぼの使用を可能とするとともに、るつぼ内の融液の温度勾配を緩くして、成長させた単結晶の歪みを抑制する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置１は、サファイア単結晶からなるサファイアインゴット２００を成長させるための加熱炉１０を有している。断熱容器１１の内側下方には、アルミナ融液３００を収容するるつぼ２０が配置されている。断熱容器１１の内側且つるつぼ２０の外側にあって、るつぼ２０の壁部２２を取り巻くように設けられた発熱体１７を備えている。そして、発熱体１７の内側且つるつぼ２０の外側にあって、るつぼ２０の壁部２２を取り巻くように設けられ、発熱体１７の構成材料がるつぼ２０内のアルミナ融液３００に混入するのを防止する遮蔽体１８を備えている。 （もっと読む）

【課題】カーボンヒータの寿命を延長して設備費用を削減でき、高品質な単結晶半導体を製出可能である単結晶半導体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】チャンバ内に配置された坩堝に貯留した半導体融液にシードを浸漬し、前記シードを引き上げて単結晶半導体を成長させる単結晶半導体の製造方法であって、前記チャンバ内の圧力を１０^−４Ｐａ以下に減圧し、該チャンバ内の水分を除去する水分除去工程Ｓ１０と、前記チャンバ内に不活性ガスを導入するガス導入工程Ｓ２０と、前記坩堝内に収容した半導体原料をカーボンヒータで加熱し溶解させて前記半導体融液とする溶解工程Ｓ３０と、前記半導体融液に浸漬したシードを引き上げ、単結晶半導体を成長させる成長工程Ｓ４０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 高耐圧が要求されるパワーデバイス等に適した、酸素をほとんど含まない大口径のシリコン単結晶を製造するのに好適なシリコン単結晶の製造方法と、シリコン単結晶ウェーハを提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法により育成されたシリコン単結晶ウェーハであって、該シリコン単結晶ウェーハは、酸素濃度が１×１０^１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３（ＡＳＴＭ７９）以下で、かつ抵抗率面内分布が１０％以内であることを特徴とするシリコン単結晶ウェーハ及びシリコン単結晶の製造方法であって、チョクラルスキー法によって原料融液からシリコン単結晶を引き上げる際に、少なくとも、前記原料融液を保持するルツボに、シリコンより融点が高く組成に酸素原子を含まない材質で構成されたルツボを用い、かつ前記原料融液の対流を抑制するための磁場を印加することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。 （もっと読む）

【課題】原料がルツボとヒーターの間に挟まるなどの不測の事態が発生してもヒーターの変形や破損等が発生することを防ぐことができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、原料融液２２を収容する石英ルツボ１２と、該石英ルツボ１２を保持する黒鉛ルツボ１３と、前記石英ルツボ１２内の原料を加熱して溶融させるためのヒーター１４と、前記融液２２から結晶を引上げる引上げ機構１５と、前記黒鉛ルツボ１３を回転させるためのルツボ回転軸１６と、該ルツボ回転軸１６を回転させるための回転機構１７と、前記ルツボ回転軸１６の回転トルクを制限する機械式または電気式のトルクリミット１８と、を具備するチョクラルスキー法による単結晶製造装置。 （もっと読む）

【課題】シリコン原料の溶解時およびシリコン融液の保持時においてはヒータの熱を坩堝に効率的に作用させ、坩堝周辺を冷却する際には、坩堝周辺の熱を放散させることができ、単結晶シリコンの製造サイクル時間の短縮及び電力コストの低減を図ることが可能な単結晶シリコンの製造装置及び単結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１１内に配置された坩堝２０に貯留したシリコン融液ＭにシードＳを浸漬し、シードＳを引き上げて単結晶シリコンＴを成長させる単結晶シリコンの製造装置１０であって、坩堝２０の外周側を包囲する保温筒部５０と、この保温筒部５０の内周側に設けられた加熱ヒータ４０と、を備えており、保温筒部５０には、熱を反射する反射板５２と、この反射板５２の露出面積を調整する反射板露出面積調整手段５３と、が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】熱遮蔽板とシリコン融液との接触を有効に回避し得る方法、及び、それを可能とする単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶シリコン１７を製造する方法であって、熱遮蔽板１４の下端部１４０に、長さの異なる少なくとも２本の棒状ピン１５を配置し、ルツボ４を、最も長い棒状ピン１５Ａがルツボ４内のシリコン融液Ｓに接触するまで上昇させ、その時点での熱遮蔽板１４の下端部１４０とシリコン融液Ｓとの間隔を基準として該間隔が初期設定値になるまでルツボ４を下降させ、次いで、シリコン融液Ｓから単結晶シリコン１７の引上げを行って単結晶シリコン１７を育成する過程において、最も短い棒状ピン１５Ｂがシリコン融液Ｓに接触した際に、少なくともルツボ４の上昇を停止し、熱遮蔽板１４とシリコン融液Ｓとの接触を回避する。また、かかる製造方法を可能とする単結晶シリコンの製造装置１である。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内に配置された坩堝に残存する残存シリコン融液を除去して冷却過程における坩堝の割れを防止し、坩堝の再利用を図ることが可能な残存シリコン融液の除去方法、単結晶シリコンの製造方法、単結晶シリコンの製造装置及び残存シリコン融液吸引器を提供する。
【解決手段】チャンバ１１の内部に配置された坩堝２０内に残存したシリコン融液Ｍを除去する残存シリコン融液の除去方法であって、吸引した残存シリコン融液が貯留される貯留空間を備えた本体部７２と前記貯留空間に連通するノズル部とを備えた残存シリコン融液吸引器７０を、ノズル部が坩堝２０内の残存シリコン融液Ｍに浸漬されるようにして配置し、チャンバ１１内にガスを導入してチャンバ１１内の圧力を昇圧し、チャンバ１１内と前記貯留空間内との差圧によって、残存シリコン融液Ｍを前記貯留空間へと吸引することを特徴する。 （もっと読む）