説明

国際特許分類[C30B15/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法 (1,247)

国際特許分類[C30B15/00]の下位に属する分類

国際特許分類[C30B15/00]に分類される特許

81 - 90 / 340


【課題】シリコン原料の溶解時およびシリコン融液の保持時においてはヒータの熱を坩堝に効率的に作用させ、坩堝周辺を冷却する際には、坩堝周辺の熱を放散させることができ、単結晶シリコンの製造サイクル時間の短縮及び電力コストの低減を図ることが可能な単結晶シリコンの製造装置及び単結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ11内に配置された坩堝20に貯留したシリコン融液MにシードSを浸漬し、シードSを引き上げて単結晶シリコンTを成長させる単結晶シリコンの製造装置10であって、坩堝20の外周側を包囲する保温筒部50と、この保温筒部50の内周側に設けられた加熱ヒータ40と、を備えており、保温筒部50には、熱を反射する反射板52と、この反射板52の露出面積を調整する反射板露出面積調整手段53と、が設けられていることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】熱遮蔽板とシリコン融液との接触を有効に回避し得る方法、及び、それを可能とする単結晶シリコンの製造装置を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法により単結晶シリコン17を製造する方法であって、熱遮蔽板14の下端部140に、長さの異なる少なくとも2本の棒状ピン15を配置し、ルツボ4を、最も長い棒状ピン15Aがルツボ4内のシリコン融液Sに接触するまで上昇させ、その時点での熱遮蔽板14の下端部140とシリコン融液Sとの間隔を基準として該間隔が初期設定値になるまでルツボ4を下降させ、次いで、シリコン融液Sから単結晶シリコン17の引上げを行って単結晶シリコン17を育成する過程において、最も短い棒状ピン15Bがシリコン融液Sに接触した際に、少なくともルツボ4の上昇を停止し、熱遮蔽板14とシリコン融液Sとの接触を回避する。また、かかる製造方法を可能とする単結晶シリコンの製造装置1である。 (もっと読む)


【課題】8×1017atoms/cm以下の低酸素濃度を有するシリコン単結晶を成長させるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によりシリコン単結晶Sを製造する製造方法は、単結晶製造装置1において、坩堝6中の溶融されたシリコン原料Fに1000ガウス以上5000ガウス以下の磁界を印加し、かつシードの回転速度を8rpm以下に制御して単結晶Sの成長を実行する。さらに下ヒーター4−2に対する上ヒーター4−1の出力比を4以上に制御することにより、単結晶S中の酸素濃度を更に低減することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】8×1017atoms/cm以下の低酸素濃度を有する単結晶シリコンを成長させる単結晶シリコンの製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造装置1において、成長軸方向の上下2つに分割された下ヒーター4−2に対する上ヒーター4−1の出力比を4以上に制御することにより、低酸素濃度の単結晶シリコンSを成長させることができる。単結晶中の酸素濃度をさらに低減するためには、シードの回転速度を8rpm以下に設定して単結晶の成長を行うことが好ましい。 (もっと読む)


【課題】シリコン単結晶製造装置から排出される不活性ガス中のシリコン酸化物の除去効果を低コストで向上でき、このシリコン酸化物が効果的に除去された不活性ガスを再利用可能とするシリコン酸化物除去装置及びシリコン単結晶製造装置の不活性ガス回収設備を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶製造装置20から排出される不活性ガス中のシリコン酸化物を除去するシリコン酸化物除去装置1であって、少なくとも、前記シリコン単結晶製造装置20から排出される不活性ガスを強アルカリ溶液8に接触させる手段と、該強アルカリ溶液8に接触させた不活性ガスを中和させる手段5とを具備するシリコン酸化物除去装置。 (もっと読む)


【課題】揮発性ドーパントを用いたシリコン単結晶の製造において、酸化物が空気エゼクターに堆積することによる排気ラインの排気能力低下を防止することが可能なシリコン単結晶の製造方法及びシリコン単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】シリコン単結晶の製造中に炉内のガスを排気するための排気ライン11として、並列に接続された2以上の空気エゼクター12a、12bと、空気エゼクター12a、12bの前後に設置された切り換えバルブ16a、16b、17a、17bと、切り換えバルブ16a、16b、17a、17bの開閉を制御するためのシーケンサー21と、空気エゼクター12a、12bの後段に接続された水封ポンプ13とを設け、炉内のガスの排気中に、シーケンサー21によって切り換えバルブ16a、16b、17a、17bの開閉をそれぞれ制御することによりシリコン単結晶の製造中に空気エゼクター12a、12bの切り換えを行う。 (もっと読む)


【課題】単結晶や多結晶の結晶成長を行う際に、原料融液の漏れを即時に検知できる漏洩検出方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る漏洩検出方法では、原料を溶融させる坩堝を内包する炉の底部一面に敷設した検出手段を用いる。前記検出手段は、前記坩堝の下方において、上方の光量及び/又は熱量の変化を検出するものであってもよく、その場合、太陽電池セルを用いて形成されたものであってもよい。また、前記検出手段は、電極間の短絡及び/又は電流の変化を検出するものであってもよく、その場合、シリコンウエーハに双極電極を設けて形成されたものであってもよい。 (もっと読む)


【課題】単結晶引き上げ装置から回収される不活性ガスを効率的に精製して、循環させながら、同時に単結晶引き上げ装置のドライ真空ポンプを長期間安定して効率的に冷却することができる簡易かつ低コストの不活性ガス回収装置を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置3のドライ真空ポンプ2から排出された不活性ガスを回収精製して循環させる不活性ガス回収装置11であって、ドライ真空ポンプ2から排出された不活性ガスを、バブリング缶5に送り込み、バブリング缶5の水中でバブリングし、バブリングされた不活性ガスを精製して循環させるものであって、バブリングされた不活性ガスの一部を、ドライ真空ポンプ2に導入される冷却ライン7に送り込むものである不活性ガス回収装置。 (もっと読む)


【課題】単結晶引上装置の排気系に設けられ、十分な粉塵除去効果が得られる単結晶引上装置の排気集塵装置を提供する。
【解決手段】サイクロン本体21内に、導入管22より導入した粉塵含有気体の旋回方向と略一致する旋回方向に、この気体を旋回させつつ、サイクロン本体21の下部へ案内する整流固定翼28a−28dを複数設ける。整流固定翼28a−28dは、円筒部24の中心軸に直交する所定の平面に沿い、サイクロン本体21内部の流出管23の外周部と円筒部24または円錐台状部25の内周部との間に放射状に固定配置された複数のフィンを有する。複数のフィンは、円筒部の中心軸線に直交する第1平面に対して傾斜角30度〜50度の傾斜角を有する。 (もっと読む)


【課題】ネック形成時の融液温度を、ネック部形成に適した温度となるよう適切に制御することによって、ネック部形成の成功率を向上させ、プロセスの効率化を図ったシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の製造方法であって、引き上げ工程は、所定の温度に設定された融液102に種結晶101を浸漬させた後、ネック部形成のための本引きを行う前に、ネック部を試し形成するためのネック試し引きを行うことを含み、このネック試し引きにより形成されたネック部の直径の変化およびネック試し引きの速度から、融液102の温度がネック部形成に適した温度であるかを判定する。 (もっと読む)


81 - 90 / 340