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国際特許分類[C30B15/02]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法 (1,247) | 融液に結晶化物質またはそれをその場所で生成する反応剤を添加するもの (165)

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【課題】供給治具自体の破損が実質的に起こらなくて複数回使用することができるだけでなく、破損片混入による融液の固化および汚染、並びに単結晶成長の阻害が起こらない、更には、結晶原料落下による坩堝等の装置の損傷や融液の飛び跳ね、供給治具からの融液への汚染を防止して、高品質の単結晶を安定して育成することができるロッド状多結晶原料の供給治具を提供する。
【解決手段】ロッド状多結晶原料の端部を支持する底部材40、ロッド状多結晶原料の横方向の動きを規制する円筒状や円筒籠状などの筒状ガイド部材60、筒状ガイド部材と底部材を連結する連結部材50、および筒状ガイド部材の上部に取り付けられた吊下げ部材70を含む、原料を起立状態で坩堝に供給するためのロッド状多結晶原料供給治具。筒状ガイド部材がモリブデンなどの高融点材料、底部材および連結部材が原料と同じ元素の、単結晶シリコン或いは多結晶シリコンからなる。 (もっと読む)


【課題】被処理物収容部から被処理物を投入可能な状態のままで被処理物通路の出口端を移動させることが容易で作業性の良い被処理物投入装置用のパイプユニットを提供する。
【解決手段】被処理物を収容する被処理物収容部と、被処理物が気密状態で通過して出口端12aから処理装置に投入可能な被処理物通路12と、前記被処理物収容部から前記被処理物通路12へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構と、前記被処理物通路12の処理装置側と被処理物収容部側とを遮断可能な閉鎖部14と、前記被処理物通路12のうちで前記閉鎖部14よりも被処理物収容部側の位置にて、前記被処理物通路を分離及び接合可能なジョイント部15とが設けられた被処理物投入装置に用いられ、前記被処理物通路12の一部を構成するもので、被処理物の入口となるパイプ入口端と、同出口となるもので、前記被処理物通路の出口端と一致するパイプ出口端とを有し、前記パイプ入口端の位置を固定したままで伸縮可能である。 (もっと読む)


【課題】坩堝の損傷や破損を防止すると共に育成されるシリコン単結晶インゴットの単結晶化率や品質の低下を抑制しつつ、大きな塊の多結晶シリコンをリチャージすることができる多結晶シリコン原料のリチャージ方法を提供する。
【解決手段】多結晶シリコン塊のリチャージにおいて、最初にスモールサイズ多結晶シリコン塊又はミドルサイズ多結晶シリコン塊S2である緩衝層形成多結晶シリコン塊Sbが投入され、緩衝層形成多結晶シリコン塊Sbが坩堝20内のシリコン融液40の表面41に積層されて緩衝層50を形成する。次いでこの緩衝層50上に大きな大きさのラージサイズ多結晶シリコン塊S3が投入されるので、緩衝層50が落下するラージサイズ多結晶シリコン塊S3の衝撃を緩衝する。 (もっと読む)


【課題】結晶中への気泡の混入をより高いレベルまで防ぐことができる結晶成長方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る結晶成長方法は、固体原料を融解して溶融原料を製造する溶融工程の後、結晶を成長させる結晶成長工程の前に、溶融原料が突沸しない圧力まで減圧し、又は突沸しない温度まで昇温し、前記溶融原料に混入している気泡を前記溶融原料から放出させる脱気工程を有する。前記減圧による到達圧力は5〜20Torrが好ましい。前記溶融原料は予め融解された状態で結晶成長用坩堝に供給され、前記脱気工程は、前記溶融原料が前記結晶成長用坩堝に供給される前に行なわれてもよい。前記脱気工程において、前記溶融原料が攪拌されてもよく、この場合の攪拌は、前記溶融原料を収容する坩堝の上方に、前記溶融原料の液面に対し進退自在に設けられた石英棒で行われてもよい。 (もっと読む)


【課題】結晶成長過程における組成変化を抑制し、均一性の高い単結晶を製造することができる結晶成長方法を提供する
【解決手段】成長結晶19の組成と同一組成の原料棒21を、炉内に設置されたるつぼ11内の原料溶融体18の表面に接触させ、原料棒21と原料溶融体18との熱接触状態を維持する。単位時間あたりの成長結晶19の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒21から補充原料を原料溶融体18に供給する。原料棒21は、粒径を調整した結晶粒の集合体であり、原料棒21から成長結晶19への原料溶融体内の対流により、結晶粒が成長結晶19に到達するまでに溶融するように、結晶粒の粒径が決定されている。 (もっと読む)


【課題】被処理物を炉体の中央に対して近い位置で投入可能な被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】内部に設けられた炉体にて被処理物を溶融する処理装置に対し、被処理物を外部から投入するための被処理物投入装置において、前記処理装置の内部に投入される被処理物が通過可能な被処理物通路12を備え、前記被処理物通路12のうちで、被処理物の前記通過方向を基準とした下流端12aが、前記炉体の中央を通る垂直線Cを含む中央領域の位置と、前記中央領域から外れた位置との間で移動可能に構成されている。 (もっと読む)


【課題】抵抗加熱ヒーターにより溶融物を加熱する溶融炉において、抵抗加熱ヒーターに流れている電流により磁場が発生し、この磁場が溶融物に作用して溶融物が回転することにより、ルツボの内面が不均一に削られることを防止できる加熱溶融炉を提供し、また、これを用いた加熱溶融方法を提供する。
【解決手段】ルツボの外壁面外側に抵抗加熱ヒーターが配設されて、前記抵抗加熱ヒーターから発生する磁場の影響を受け、ルツボ内に収容された溶融物がルツボの内壁側面に沿って回転する加熱溶融炉において、溶融物の回転方向を逆転させる手段を備えて、所望のタイミングで溶融物の回転方向を逆転させることができる加熱溶融炉であり、また、この加熱溶融炉を用いて、所望のタイミングで溶融物の回転方向を逆転させる加熱溶融方法である。 (もっと読む)


【課題】処理装置の内部の特殊な雰囲気を崩すことなく、被処理物の被処理物投入装置への補充を行うことができる被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】被処理物を気密状態で処理する処理装置F1に対し、被処理物を外部から気密状態で投入するための被処理物投入装置において、被処理物を一時的に収容可能で、被処理物を収容する際に用いる開閉可能な収容口111cを有する被処理物収容部11と、前記処理装置F1の内部に投入される被処理物が気密状態で通過可能な被処理物通路12、及び、前記被処理物収容部11から前記被処理物通路12へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構13を有する搬送部1bとを備え、前記搬送部1bには、前記搬送部1bの処理装置側と被処理物収容部側とを気密に遮断可能な閉鎖部14と、前記搬送部1bのうちで前記閉鎖部14よりも被処理物収容部側の位置にて、前記搬送部1bを分離及び接合可能なジョイント部15とが設けられている。 (もっと読む)


【課題】チョクラルスキー法によるフッ化金属単結晶体の製造方法において、単結晶引き上げ完了後、単結晶体とされずに坩堝内に残存した原料フッ化金属のリサイクル方法を提供する。
【解決手段】好ましくは四フッ化炭素などのフッ素系ガスからなる気体スカベンジャーを用いて、回収した原料フッ化金属の精製を行う。該精製は、フッ素系ガスの存在下に原料フッ化金属の溶融後、一旦、真空排気し、その後再度のフッ素系ガスの導入と真空排気との繰り返しによって行うことが特に好ましい。 (もっと読む)


【課題】溶解炉の坩堝内の融液面上に固体原料の追加チャージやリチャージを行う際の操業効率を向上させ、これによって溶解炉を用いた各種操業の生産性を改善することができる溶解炉への原料供給装置及び原料供給方法を提供する。
【解決手段】融液を貯留する溶解炉の坩堝内に固体原料を供給する原料供給装置Sであり、切出弁5を有して固体原料が装入される供給タンク1と、この供給タンク1の下方に配設され、投入弁6を有して供給タンク1から小分けに切り出された固体原料が装填される投入カップ2と、切出弁5及び投入弁6の弁開閉操作を行う弁操作手段3とを備え、供給タンク1から坩堝内への固体原料の供給時には、弁操作手段3により供給タンク1内の固体原料を小分けして投入カップ2に切り出し、次いで投入カップ2内に装填された固体原料を坩堝内に投入する弁開閉操作を行う。 (もっと読む)


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