【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】 メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】 導電性材料からなる第一の環状の部材と光透過性材料からなる第二の環状の部材との積層体からアフターヒータを構成して第二の環状の部材を第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリングには引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓を配置し、アウターリングを引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】MoO3等の揮発性の高い材料を用いた場合であっても、均一な組成の分布を有する単結晶を安定的に得ることを可能とする単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】坩堝１１の内部に前記原材料融液８の原材料７を充填すると共に、前記原材料融液８に先端部が浸漬可能な突起を有する蓋１７により前記坩堝１１の開口１１ｂを閉鎖し、前記原材料７を加熱溶融して前記原材料融液８を得ると共に前記原材料融液８の前記坩堝１１内における液面の位置を検出し、前記蓋１１を加熱すると共に、蓋移動手段２１によって前記蓋１１と前記液面との間隔を所定値とし、前記貫通孔１１ａから漏出した前記原材料融液８に前記シードを接触させて前記シードを前記所定の引下げ軸に沿って引下げる工程を有し、前記間隔は前記引き下げる工程に置いて前記所定値を維持されることを特徴とする単結晶製造方法。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、強度の高い多結晶インゴットを得ることのできる多結晶材料の鋳造方法を提供することにある。また、本発明は、スライス工程において、低い割れの発生率で製造でき、且つ上記のセル工程、モジュール工程での割れの発生率も低い多結晶ウェーハを提供することも目的とする。
【解決手段】本発明の多結晶材料の鋳造方法は、電磁鋳造法において、融液の冷却速度を制御することを特徴とする。また、本発明の多結晶ウェーハは、縁取り部の強度(ビッカース硬度)が中心部対比で高いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】メニスカス生成領域の水平面内での温度分布の改善と、メニスカスの好適な観察とを可能とする引下げ装置を提供する。
【解決手段】導電性材料からなる第一の環状の部材１３ａと光透過性材料からなる第二の環状の部材１３ｂとの積層体からアフターヒータ１３を構成して第二の環状の部材１３ｂを第一の観察窓とし、保温用の筒状アウターリング１５には引下げ軸について水平面内で点対称となるように第二の観察窓としての縦スリット１５ａを配置し、アウターリング１５を引下げ軸中心に回転させ、第一の観察窓と第二の観察窓とが整列した状態にあるときに撮像手段によるメニスカスの観察を行う。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器に好適に適用できる、蛍光寿命の短いシンチレータ用単結晶を提供すること。
【解決手段】 一般式（１）：
Ｇｄ_{３−ｘ−ｙ}Ｃｅ_ｘＲＥ_ｙＡｌ_５−ＺＭ_ＺＯ_１２ （１）
（式（１）中、０．０００１≦ｘ≦０．１５、０．６≦ｙ≦３、０≦ｚ≦４．５であり、ＭはＧａおよびＳｃから選択される少なくとも１種であり、ＲＥはＹ、ＹｂおよびＬｕから選択される少なくとも１種である）で表され、
蛍光寿命が１００ナノ秒以下の蛍光成分を有する、シンチレータ用ガーネット型単結晶。 （もっと読む）

【課題】 ＫＬｕ_２Ｆ_７単結晶、及び当該単結晶のＬｕ元素の一部をＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選ばれる少なくとも１種の元素で置換した単結晶を融液成長法によって効率よく製造する方法、および、当該製造方法によって製造される単斜晶型フッ化物単結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】 化学式Ｋ（Ｍ_ｘＬｕ_１−ｘ）_２Ｆ_７（ただし、ＭはＣｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ及びＹｂから選ばれる少なくとも１種の元素を表わし、ｘは０〜０．２の範囲である）で表わされ、単斜晶型結晶構造を有することを特徴とするフッ化物単結晶、該単結晶からなる真空紫外発光素子、該単結晶からなるシンチレーター、及び該単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】Ｃ軸が表面に垂直に配向した小型単結晶基板の、効率的な製造方法を提供する。
【解決手段】Ｃ軸が矢印Ｃの方向に配向する第１のシード２を準備し（ステップ１）、続いて引下げ法を用い、第１のシード２におけるＣ軸と平行な平面と原材料融液の漏出部とを接触させ、接触部分より結晶の成長を開始する（ステップ２）。Ｃ軸とは異なるｈ方向に第１のシード２を引下げることにより、結晶の延在方向とは異なる方向にＣ軸が配向した円筒状の単結晶が得られる（ステップ３）。続いて、前記単結晶を第２のシード４とし、Ｃ軸の配向方向と引下げ方向とが直交する配向状態で、漏出孔から漏出する原材料融液と接触させた後、シード４を引下げることによって、第２のシード４と同じ方向にＣ軸配向する単結晶５が成長を開始し、単結晶６が５本同時に育成される（ステップ４，５）。これを切り出すことによって、５本の棒状の単結晶母材が得られる(ステップ６)。 （もっと読む）

本発明は、シリコンインゴットの引き出し装置及び方法に関する。本発明は、コールドるつぼ内に形成されたシリコン融液が流入されるチャンバと、前記チャンバに垂直方向に移動可能に設けられ、前記シリコン融液を凝固させてシリコンインゴットを引き出す１次引き出し装置と、前記１次引き出し装置を水平方向に移動させる移動装置と、前記チャンバの下部に垂直方向に移動可能に設けられ、前記１次引き出し装置が側方に移動した状態で前記シリコンインゴットを引き出す２次引き出し装置と、を含む。このような本発明によれば、引き出し装置の高さが減少することによって、設備にかかる製造費用を節減することができ、引き出し装置が設けられる空間をも低減することができる効果がある。
（もっと読む）

【課題】坩堝に対して濡れ性に劣る原材料融液より中空状単結晶を得る方法を提供する。
【解決手段】底部が閉塞された閉塞部となる円筒形状を有し、閉塞部を円筒形状の内部から外部に貫通する貫通孔１１ｂを有する坩堝１１の内部に保持された原材料７の融液８を貫通孔１１ｂから漏出させ、貫通孔１１ｂ内形状よりも小さな外形状を有する形状制御棒１２を挿通した状態で引下げ操作を行い、シードタッチのために、形状制御棒１２を動作させて融液８をシードタッチ面に向けて送り込ませる。 （もっと読む）