【課題】 炉内上部のガス対流の影響によるメインヒーターの加熱変動を抑止し、三酸化硼素とＧａＡｓ融液との間にある気泡を取り込まない半導体単結晶製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】 チャンバー９内に設けられた坩堝７と、坩堝７の外周に配置されたメインヒーター５と、坩堝７の下方に配置されたサブヒーター６と、メインヒーター５を制御するためのメインヒーター熱電対１１とを備えたＬＥＣ法による半導体単結晶製造装置１において、メインヒーター５の長さをＡとし、メインヒーター５の最下部からメインヒーター熱電対１１までの取り付け位置の距離をａとしたとき、上記距離ａの範囲が下式（１） ０≦ａ≦１／４ × Ａ ・・・（１）
を満たすことを特徴とする半導体単結晶製造装置１及び製造方法である。 （もっと読む）