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国際特許分類[C30B15/18]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法 (1,247) | 融液または結晶化した物質の加熱 (49) | 直接抵抗加熱に加えて他の加熱方法を用いるもの,例.ペルチェ加熱を用いるもの (1)

国際特許分類[C30B15/18]に分類される特許

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【課題】シリコン融液全体の温度を適切な種結晶着液温度とすることができるシリコン単結晶製造方法および製造装置を提供する。
【解決手段】単結晶製造装置内のルツボ1に多結晶シリコン原料を充填し、ヒータ2で加熱して多結晶シリコン原料を融解した後に該シリコン融液8に種結晶10を着液して該種結晶10の下方に単結晶14を育成するチョクラルスキー法を用いたシリコン単結晶の製造装置であって、少なくとも、前記シリコン原料を充填するためのルツボ1、前記シリコン原料を加熱して融解させるためのヒータ2、前記ルツボ内のシリコン融液面の温度を複数点測定するための温度測定器7a、7b、7c、7dを備え、該温度測定器で測定した複数の融液面温度を基に種結晶を融液に着液させる際の種結晶着液温度を決定する手段を有するシリコン単結晶の製造装置。 (もっと読む)


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