説明

国際特許分類[C30B15/20]の内容

国際特許分類[C30B15/20]の下位に属する分類

国際特許分類[C30B15/20]に分類される特許

1 - 10 / 101


【課題】種結晶からのAsの脱離を可能な限り抑制し、Asの脱離に基いて生じる凝集Gaが固液界面へ到達することで引き起こされる成長結晶の多結晶化を防止することができるLEC法による化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】 本実施例のLEC法によるGaAs単結晶(化合物半導体単結晶)の製造方法では、種結晶4が液体封止材10の表面14の上方100mmから表面14に到達するまでの時間を10分以内となるように引下げる。若しくは、引上げ軸3の引上げ開始の位置から10mm引上げするまでの引上速度vを3mm/hr≦v≦10mm/hrとする。また、ルツボ5は、地面20から上部ヒータ11の発熱中心11Aまでの高さh1と地面20から液体封止材10の表面14までの高さh2との差h2−h1が10mm≦h2−h1≦25mmとなるように昇降移動させる。 (もっと読む)


【課題】OSF領域の位置や広さを指標とすることなく引き上げ速度の制御方向を判断することによって、後続の引き上げの速度プロファイルをフィードバック調整する。
【解決手段】CZ法によってCOP及び転位クラスタを含まないシリコン単結晶インゴットを育成し、シリコン単結晶インゴットからシリコンウェーハ40を切り出し、as-grown状態のシリコンウェーハ40に対して反応性イオンエッチングを施すことにより、酸化シリコンを含むgrown-in欠陥をエッチング面上の突起として顕在化させる。顕在化した突起発生領域46に基づいて、後続の育成工程における育成条件を、エッチング工程にて突起が発生する領域の面積がシリコンウェーハの面積の1%以上5%以下となるように調整する。 (もっと読む)


【課題】単結晶のネック部を所定径まで拡げるクラウン工程において、結晶中のドーパント濃度の面内均一性を向上し、結晶の有転位化を抑制する。
【解決手段】種結晶Pをルツボ3内のシリコン融液Mに接触させ、前記ルツボからチョクラルスキー法によりシリコン単結晶Cを引き上げる単結晶引上方法であって、前記種結晶から形成した単結晶のネック部P1を所定径まで拡げたクラウン部C1を形成する工程において、前記クラウン部の径をd(mm)、前記クラウン部の引上方向長さをL(mm)とすると、結晶回転速度sω(rpm)とルツボ回転速度cω(rpm)とは、式(1)及び式(2)により規定する回転速度に制御される。
[数1]
sω=α/(cω×d) ・・・(1)
α=4×10-×L−3×10-×L−6×10-×L−0.0069×L+0.3 ・・・(2) (もっと読む)


【課題】るつぼの外表面の溶融やるつぼからの原料融液のあふれを発生から短い時間において検出できる単結晶引き上げ装置等を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置1は、アルミナ融液300を保持するるつぼ20を取り囲むように設けられ、るつぼ20を壁部22から加熱する上部ヒータ30と、るつぼ20の下方に設けられ、るつぼ20を鉛直方向に投影した像の内側にあって、底部21に対向する対向部と、るつぼ20を鉛直方向に投影した像の外側にはみ出した周辺部とを備え、るつぼ20を底部21から加熱する下部ヒータ35と、アルミナ融液300からサファイアインゴット200を引き上げる引き上げ棒40と、下部ヒータ35に流れる電流または電圧を計測する計測部96と、計測部96の計測した電流または電圧に基づいて、るつぼ20から下部ヒータ35上への落下物の有無を判断する判断部97とを備えている。 (もっと読む)


【課題】結晶の長さ方向に沿った抵抗率分布のばらつきを抑制することのできるシリコン単結晶の引上装置及び引き上げ方法を提供する。
【解決手段】制御手段8bは、所定の計測期間に育成された直胴部の結晶径平均値を算出する結晶径算出手段と、前記所定の計測期間における引上速度平均値を算出する引上速度算出手段と、前記結晶径算出手段が算出した結晶径平均値と、前記引上速度算出手段が算出した引上速度平均値とからシリコン溶融液中のドーパント不純物の必要蒸発速度を算出する蒸発速度算出手段と、前記蒸発速度算出手段が算出したドーパント不純物の必要蒸発速度から、炉体内の必要な圧力を算出する炉内圧力算出手段と、前記炉内圧力算出手段が算出した炉体内の必要な圧力から、炉体内から排気する不活性ガスの排気速度を算出する排気速度算出手段とを有し、排気手段21により、前記排気速度算出手段が算出した排気速度に従って排気させる。 (もっと読む)


【課題】直径12インチ以上の半導体デバイス用シリコンウェーハを製造するためのシリコン単結晶インゴットの引上げ中に、シリコン原料融液を保持する石英ルツボの使用時間が予め設定された耐用時間を経過し、かつ、その時点で引上げ中のシリコン単結晶が有転位化している場合であっても、該シリコン単結晶インゴットにおけるクラックや割れの発生を抑制することができ、石英ルツボ内に残存したシリコン原料融液を半導体デバイス用に、安全かつ効率的に再利用する方法を提供する。
【解決手段】直胴部の最大直径が210〜260mmの第2のシリコン単結晶インゴットIg2の引上げに変更して、石英ルツボ14aに残存しているシリコン原料融液を第2のシリコン単結晶インゴットIg2として回収し、直径8インチ以下のシリコンウェーハを製造するためのシリコン単結晶インゴットとして、又は、シリコンウェーハを製造するためのシリコン原料として再利用する。 (もっと読む)


【課題】所望の抵抗率の半導体ウェーハを効率よく提供するために、インゴットの状態で抵抗率を測定し、それに基づいて、無駄のない効率的な半導体ウェーハを製造する製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴットから半導体ウェーハを製造する方法において、前記単結晶インゴットの側面における成長軸方向の抵抗率分布を測定し、所望の抵抗率を示す所望抵抗率位置を特定して、所定の長さのブロックを切り出し、これから半導体ウェーハをスライスする。この成長軸方向の抵抗率は、いわゆる4探針法による抵抗率測定方法を適用することができる。 (もっと読む)


【課題】分割された黒鉛ルツボを具備する単結晶製造装置を用いて単結晶を引き上げる際、特に低速の回転速度で引上げる場合にも、ヒーター温度を正確に検出し、ヒーター出力を安定して制御することができる単結晶の製造方法及び単結晶製造装置を提供することを目的とする。
【解決手段】チョクラルスキー法により、前記黒鉛ルツボ及び前記石英ルツボを回転させ、前記ヒーターの温度を測定し、該測定したヒーターの温度を基に前記ヒーターの出力を制御しながら、前記石英ルツボ中の原料融液から単結晶を引き上げる単結晶の製造方法であって、前記ヒーターの温度を、前記回転する黒鉛ルツボの分割部と対応する円周方向の角度位置に同時に一致しない2以上の測定位置で測定して検出し、該測定したヒーターの温度の2以上の検出値を基に前記ヒーターの出力を制御しながら、前記単結晶を引き上げる単結晶の製造方法及び単結晶製造装置。 (もっと読む)


【課題】初期固体層率を、0を含む任意の値に制御して、所望の初期固体層率の下に単結晶成長を行うことができる溶融層法(DLCZ法)による単結晶成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ内部に、単結晶用材料を装入する坩堝と、該坩堝の周囲に配設されたヒータと、前記坩堝を回転させる坩堝シャフトと、少なくとも前記チャンバの側壁に配設される断熱材と、前記チャンバの半径方向における前記坩堝シャフトの外側且つ前記ヒータの内側に位置し、前記坩堝を冷却する冷媒供給可能の冷却体とを備える、単結晶成長装置を用いて単結晶を成長するに当たり、冷却体への冷媒の供給並びに停止と、冷却体のチャンバの高さ方向の上下移動とを制御することにより、単結晶材料の初期固体層率を制御する。 (もっと読む)


【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際、種結晶体と原料溶融液を接触させる以前に、該種結晶体の表面に黒色物質が付着した場合に、種結晶体を短くし過ぎてしまうことなく、該黒色物質を除去できる方法を提供する。
【解決手段】 結晶成長を開始させるための種結晶体116の原料溶融液104への接触に先立ち、種結晶体を降下させてその下端部を原料溶融液中へ浸漬させ、浸漬した種結晶体の少なくとも一部を溶融させた後、種結晶体と原料溶融液を非接触状態にさせる操作を少なくとも1回行う。 (もっと読む)


1 - 10 / 101