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国際特許分類[C30B15/30]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法 (1,247) | 融液または結晶を回転または移動させるための機構 (24)

国際特許分類[C30B15/30]に分類される特許

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【課題】非単結晶原料から単結晶をチョクラルスキー法により製造する単結晶製造装置において、坩堝を支持し、かつ、回転させる回転軸の交換によるコストを抑制可能な単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】非結晶原料が充填される坩堝12と、坩堝12を回転可能に支持する回転軸15とを備える単結晶製造装置10において、回転軸15は、この回転軸15の軸方向に並んで互いに着脱可能に組み合わされた複数の係合部材15a,15b,15cから構成される。このため、複数の係合部材のいずれかが劣化して破損した場合に、その破損した係合部材のみを交換することにより復旧することができる。 (もっと読む)


【課題】大口径単結晶の引上げに対応する大型の巻き取りドラムを備えつつも、従来の引上げ装置のプルヘッドのハウジングと同等の容積を有し、しかも従来の引上げ装置と同等の引上げ安定性を維持することができる単結晶引上げ装置を提供する。
【解決手段】半導体原料融液から半導体単結晶を引上げるワイヤ15を巻き取る巻取りドラム17と、ワイヤ15の引上げ経路を調整するシーブ16とを備え、シーブ16は、シーブ回転軸芯が巻取りドラム17の巻取り軸芯より下方に位置するように、かつ上方から透視してシーブ回転軸芯が開口部13を挟んで巻取り軸芯に相対向するように位置変更可能に設けられ、巻取りドラム17は、ドラム周縁がワイヤ15の引上げ中心線から所定の距離だけシーブ16側に位置するように設けられ、シーブ16がワイヤ15を巻取りドラム17側に横押しすることによりワイヤ15の引上げ経路を調整するように構成されたことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 より正確に重量を測定することが可能な単結晶引上装置を提供する。
【解決手段】 単結晶引上装置A1は、重量検出手段541を有する支持体5を動かすことにより引上軸3および軸支持部4を動かし、気密容器2内の単結晶1の引き上げを行うものであり、軸支持部4は、引上軸3を支持する本体部41と、本体部41と連結された被支持部43とを具備しており、支持体5は、被支持部43を支持する支持部54と、被支持部43より軸方向z上方に配置された延出部53とを具備しており、延出部53と被支持部43との間に設けられ、軸方向zに伸縮可能な第1の筒体71と、引上軸3を囲むように構成され、軸方向zに伸縮可能であり、軸方向zにおける上端が本体部41に固定された第2の筒体72と、第1の筒体71と第2の筒体72とを連結する配管74を備えている。 (もっと読む)


【課題】LEC法による単結晶インゴットの製造において、成長中の多結晶化や底付き現象を抑制して単結晶インゴットの製造歩留まりを向上することができる半導体単結晶の製造装置および製造方法を提供する。
【解決手段】液体封止チョクラルスキー法による化合物半導体単結晶6の製造装置であって、ルツボ9を収容するサセプタ10を加熱するヒータ4、12とサセプタ10を回転させる回転機構とを少なくとも具備し、回転機構は、サセプタ10を支持するリング状支持部材14と、リング状支持部材14を回転自在に保持するリング状架台19と、リング状支持部材14を回転駆動するための回転軸11とを具備し、ヒータ12がサセプタ10の底面に対して鉛直方向下方の位置でかつ底面の略全体と対向するように配設されている。 (もっと読む)


【課題】チョクラルスキー法による単結晶シリコンの製造において、育成中の実際の引き上げ速度と名目の引き上げ速度との間の速度偏差を補正する方法およびそのための結晶引き上げ機構を提供する。
【解決手段】処理装置において、結晶引き上げ機構が実際の速度で移動した際に結晶引き上げ機構の位置の変化を決定し、前記処理装置上でフィルター関数を実施し、前記処理装置において、検出した位置の変化に基づいてフィルター関数に関する新しいフィルター状態を推定し、前記処理装置において、推定した新しいフィルター状態を用いて結晶引き上げ機構の新しい位置を推定し、位置推定誤差を決定し、前記処理装置において、フィルター関数に関する次のフィルター状態のフィルターゲインを決定し、そして、次のフィルター状態に関する一つ以上の推定されたフィルターゲインを用いて次の期間の間に結晶引き上げ機構の実際の速度を補正する。 (もっと読む)


【課題】チョクラルスキー法による単結晶の製造において、ワイヤーロープの素線切れや破断の発生を防止しつつ、育成した結晶の回転を安全に停止することができる結晶回転停止方法を提供する。
【解決手段】原料物質の融液13に対しワイヤーロープ19の先端に設置した種結晶17を接触させ、該種結晶17を回転させながら引き上げて単結晶16を製造する際に、引き上げた結晶16の回転を停止する方法であって、ワイヤーロープ19の自転モーメントM:23.5N・mm以上(M≧23.5N・mm)と、ワイヤーロープ19の自転角θ:40°以上(θ≧40°)との少なくとも一方を満たす条件で結晶が回転している場合には、0.53rad/s以下の角減速度で結晶回転速度を減少させて結晶16の回転を停止させる、結晶回転停止方法。 (もっと読む)


【課題】単結晶の回転速度を正確に制御し、品質をより高精度に制御した単結晶を製造することができる単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】るつぼ12中の原料物質の融液13に接触させて単結晶16を育成するための種結晶17を保持する種結晶保持器18と、種結晶保持器18が取り付けられているワイヤーロープ19と、ワイヤーロープ19を回転させながら巻き取って種結晶および種結晶上に成長させた単結晶を回転させながら引き上げる巻取り機構20とを備える単結晶製造装置10であって、引き上げる単結晶16の実際の回転速度を測定する単結晶回転速度測定手段22と、単結晶回転速度測定手段22で測定した実際の単結晶回転速度を用いて、単結晶回転速度が目標回転速度となるように巻き取り機構20を制御する制御手段23とを備える単結晶製造装置。 (もっと読む)


【課題】停電時や機械故障発生時などの異常発生時でも、ワイヤーロープの素線切れや破断の発生を防止しつつ、育成した結晶の回転を安全に停止することができる単結晶製造装置および単結晶製造方法を提供する。
【解決手段】第1の動力源の回転出力を利用して、先端に種結晶17を有するワイヤーロープ19を回転させるための第1の回転手段と、ワイヤーロープ19の回転を減速して停止させるための第1の回転停止手段と、ワイヤーロープ19の回転時に異常の発生を検出する異常発生検出手段と、第2の動力源の回転出力を利用してワイヤーロープ19を回転させるための第2の回転手段と、ワイヤーロープ19の回転を減速して停止させるための第2の回転停止手段と、異常を検出したとき、ワイヤーロープ19を回転させるために利用する回転出力を、第1の動力源の回転出力から第2の動力源の回転出力へと切り替える切替手段とを備える単結晶製造装置。 (もっと読む)


【課題】単結晶引き上げに用いるワイヤーを、チャンバー内を汚染することなく、清浄度高く、効率的にクリーニングすることができる単結晶引き上げ装置を提供する。
【解決手段】少なくとも、メインチャンバーに収納されたルツボ内の融液から、メインチャンバー上部に連接された上部チャンバー内へ成長した単結晶をワイヤー11により引き上げる単結晶引き上げ装置であって、少なくとも、ワイヤー11に不活性ガスを側方から吹きつけてワイヤー11の付着物を吹き飛ばすガス吹きつけノズル12と、ワイヤー11が上下回転動可能に挿通する貫通孔14を有し、ガス吹きつけノズル12からワイヤー11に吹きつけられた不活性ガスをガス吹きつけノズル12の反対の側方から吸引して排出するガス吸引管10とからなり、上部チャンバーに配設されたワイヤークリーニング機構1を備えたものである。 (もっと読む)


【課題】融液からの引き上げによる単結晶の製造において、ワイヤケーブル回転ヘッドの回転軸線を整合させかつワイヤケーブルの振り子運動の能動的な減衰を行うための手段を提供する。
【解決手段】単結晶5が引き上げられるチャンバ1内の圧力と同じく、大気圧より低い圧力下に収容されているワイヤケーブル回転ヘッド8の回転軸線を中心にワイヤケーブル6を回転させる単結晶の引き上げ方法において、るつぼ軸18の回転軸線にワイヤケーブル回転ヘッド8の回転軸線を整合させ、かつ、ワイヤケーブル6の振り子運動の能動的な減衰を行うために、大気圧中に設置されたX−Yステージ13を用いて、ワイヤケーブル回転ヘッド8の制御された移動を行う。X−Yステージ13は、大気圧に配置された環境にあるため、特定の複雑な技術を用いることなく、駆動することができる。 (もっと読む)


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