国際特許分類[C30B15/34]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 融液からの引出しによる単結晶成長,例.チョクラルスキー法 (1,247) | 型またはスリットを用いる縁部限定薄膜供給結晶成長 (28)
国際特許分類[C30B15/34]に分類される特許
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β−Ga2O3系単結晶の成長方法
【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ga2O3系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法を用いたβ−Ga2O3系単結晶25の成長方法であって、種結晶20をGa2O3系融液に接触させる工程と、種結晶20を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ−Ga2O3系単結晶25を成長させる工程と、を含み、すべての方向においてβ−Ga2O3系単結晶25の幅が種結晶20の幅の110%以下とする。
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β−Ga2O3結晶の製造方法
【課題】β−Ga2O3結晶の双晶密度を許容値以下とすることが可能なβ−Ga2O3結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法によるβ−Ga2O3単結晶25の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、許容値が小さいほど種結晶20の引き上げ方向に対するβ−Ga2O3単結晶25の肩広げ角度θの目標値を大きく設定する第1ステップと、第1ステップで設定した目標値の肩広げ角度でβ−Ga2O3単結晶25が成長するように結晶成長時における温度又は種結晶20の引き上げ速度を制御して、β−Ga2O3結晶を成長させる第2ステップとを有する。
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β−Ga2O3系単結晶の成長方法
【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ga2O3系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法によるβ−Ga2O3系単結晶の製造において、β−Ga2O3系単結晶をその(101)面に平行な方向に成長させ、(101)面内における<10−1>方向と成長方向とのなす角度φ(0°≦φ<90°)を90°未満とする。FZ(Floating Zone)法等の他の結晶成長方法を用いた場合であってもβ−Ga2O3系単結晶25の双晶化を効果的に抑えることができる。
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酸化物共晶体の製造方法
【課題】大型で且つ1500℃以上の高温においても高い強度を有する酸化物共晶体を効率よく製造できる酸化物共晶体の製造方法を提供する。
【解決手段】2種以上の酸化物の融液13を収容するルツボ3内に設置したダイ1を用いて酸化物共晶体を製造する酸化物共晶体の製造方法であって、ダイ1が融液13を吸い上げる2以上の経路2を有し、2以上の経路2によって吸い上げられた融液13を合体させ、合体させた融液13に種結晶を接触させて引き上げることにより酸化物共晶体を得る酸化物共晶体の製造方法。
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酸化ガリウム単結晶の製造方法及び製造装置
【課題】酸化ガリウム単結晶の再現性を確保することができる酸化ガリウム単結晶の製造装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶の製造装置1は制御部50を備えている。制御部50は、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を特定する。また、制御部50は、特定された重量の酸化ガリウム単結晶の製造過程における酸化ガリウムを含む原料の蒸発量を算出する。そして、制御部50は、特定された酸化ガリウム単結晶の重量と、算出された酸化ガリウム原料の蒸発量とに基づいて、所望する酸化ガリウム単結晶の重量を製造するのに必要な酸化ガリウム原料の重量を算出する。
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酸化ガリウム単結晶及びその製造方法
【課題】酸化ガリウム単結晶毎のドーパント含有量の再現性向上を図ることが可能な酸化ガリウム単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】例えば、EFG(Edge Defined Film Fed Growth)法による酸化ガリウム単結晶の製造において、酸化ガリウムを含む原料の融点と、原料に添加されるドーパント酸化物の融点との差が±300℃内に設定されるドーパント酸化物を原料に添加した後、坩堝3内で溶融し、融液2に種結晶10を接触させて融液2から酸化ガリウム単結晶13を結晶成長させる。酸化ガリウムを含む原料の融点と、前記原料に添加されるドーパント酸化物の融点との差を±300℃内に設定することにより、前記原料に対する前記ドーパントの蒸発量制御が容易となる。従って、結晶成長させる酸化ガリウム単結晶に含有されるドーパント含有量の制御が容易化される。
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衝突流体によるシリコンシートの形成
【課題】 衝突流体によるシリコンシートの形成が開示される。
【解決手段】 結晶体を形成するための技術が概して開示される。結晶体を形成するための例示的システム、装置、または方法は、溶融結晶材料を収容するためのるつぼと、端部に種を収容するための支持体であって溶融結晶から種結晶を引き上げる引張り方向の並進移動軸に沿って移動可能であることにより成長経路に沿って結晶体の成長を開始させる支持体と、を含むことができる。別の例は、流体源に結合されるように構成された1つまたは複数のノズルであって、溶融結晶が成長経路に沿って引張り方向に引き上げられるにつれて結晶体を成形するための成長経路に対し相対的に配置された複数のノズルを含むことができる。
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単結晶及びその作製方法
【課題】サファイアを含むいろいろな単結晶を提供すること。
【解決手段】単結晶は、幅が約15cm以上、厚さが約0.5cm以上を含めた望ましい幾何学的性質を有する。また、単結晶は、例えば最大厚さ変動のような、他の特徴も有し、形成時の結晶は、略対称なネック部分、特にネックから本体への移行に関して略対称なネック部分を有する。このような結晶を作製する方法、及びその方法を実施するための装置も開示される。
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r平面サファイアの方法および装置
r平面単結晶サファイアを生産するための方法および装置が開示される。この方法および装置はリネージの不在を示す単結晶材料の生産のための縁端限定膜供給成長技術を使用し得る。
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ファセットセラミック繊維、テープ、またはリボン、およびそれらからなるエピタキシャルデバイス
結晶製品は、単結晶セラミック繊維、テープ、またはリボンを含む。該繊維、テープ、またはリボンは、その長さに沿って少なくとも1つの結晶学的ファセットを有し、その長さは、概して、少なくとも1メートルである。サファイアの場合、ファセットは、R面、M面、C面、またはA面ファセットである。超電導製品を含むエピタキシャル製品は、該繊維、テープ、またはリボン上に形成することができる。
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