【課題】 偏光照明露光装置の偏光材料として要求される結晶性が良く、かつ、光を透過させる主軸方向が＜１００＞方向であるＭｇＦ_２単結晶体からなる光学部材の製造方法を提供する。
【解決手段】 チョクラルスキー法でＭｇＦ_２単結晶体を製造するに際し、種結晶体として、＜１００＞軸が、鉛直方向から＜００１＞方向に向かって７°乃至４５°、好ましくは７°乃至１５°傾いた種結晶体を用いる。傾けた種結晶体を用いることにより、育成される単結晶体の軸方向も同じ角度で傾いたものとなるが、このようにして育成された単結晶体の結晶性は、育成方向を＜００１＞軸方向とした場合と遜色ない結晶性を示す。また育成方向を＜００１＞軸方向とした場合に比べて、｛１００｝面からなる平行２面を有する板状体の取得効率がよい。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータ用ファラデー回転子として用いられるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）を主成分とする常磁性ガーネット結晶（組成式Ｔｂ_３Ｇａ_５Ｏ_１２）をチョクラルスキー法によって容易に製造できるＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）により、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶育成におけるシーディング方法において、種結晶として、ＴＧＧと同じガーネット構造の単結晶であり、融点が１７５０℃以上、かつＴＧＧとの格子定数差が±３％以下である結晶を用いることを特徴とするＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法により提供する。本発明によれば、Ｃｚ法によって結晶を引き上げる際に、融点及びＴＧＧとの格子定数差が特定の種結晶を用いるので種結晶の溶解という問題が生じないので、シーディングの成功率が高くなり、高品質なＴＧＧ結晶が育成できる。 （もっと読む）

【課題】目的とする混晶単結晶と異なる格子定数の種結晶を出発原料として、混晶単結晶の育成のための種結晶を、より短い育成時間とより少ない加工工数により得る。
【解決手段】チョクラルスキー法による混晶単結晶育成用の種結晶を得る際に、目的とする混晶単結晶と異なる格子定数の種結晶を基部(12a)として、該基部(12a)の格子定数に対して格子定数の比が歪による育成不良を生じない範囲となるように融液を調整して、該基部の先端側に混晶層(12b)を育成し、必要に応じて、この混晶層(12b)の格子定数に対して格子定数の比が歪による育成不良が生じない範囲となるように融液を調整して、該混晶層(12b)の先端側にさらなる混晶層(12c)を育成することにより、多層の混晶層を備える混晶単結晶(13)育成用の種結晶(12)を得る。 （もっと読む）

【課題】ファイバーの側面に現れる上下ファセット１組に等しい大きさで反対向きの力を付与することが可能な、ファイバーの固定台を構成要素とするレーザー装置を提供すること。
【解決手段】本発明に係るファイバーの固定台（５０１）は、ファイバー（５００）を設置するための溝（５１４）を備え、前記溝の形状は、長円を該長円の長軸で分割した形状であり、前記溝の深さは、前記ファイバーの断面に外接する正方形の１辺の長さを２で除した値から０μｍ〜２０μｍを引いた値であり、前記溝の幅は、該正方形の１辺の長さに０μｍ〜４０μｍを足した値であることを特徴とする。
また本発明では、ファイバー（５００）の左右両脇且つ固定台（５０１）の上下のブロックの間に金属箔（５０５、５０６）を挟む。ファイバー（５００）は、その長手方向に垂直な結晶軸が水平方向になるように、固定される。 （もっと読む）

【課題】種結晶表面へのガリウムの析出を防止し、それを原因とする多結晶部の発生を抑止した化合物半導体単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料及び液体封止剤を入れたるつぼを加熱して原料及び液体封止剤を融解し、融解した原料融液に接触させた種結晶を引き上げることにより、化合物半導体単結晶を成長させる液体封止チョクラルスキー法を用いた化合物半導体単結晶の製造方法において、表面に金属保護膜を形成した種結晶を用いるものである。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における、結晶回転軸に垂直な方向の成長偏りを抑制し、高効率に単結晶を製造するための結晶成長方法を提供する。
【解決手段】炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体に対して鉛直方向に上低下高の温度分布を形成し、種子結晶１７を原料溶融体表面に接触させ、原料溶融体を冷却する事により、種子結晶１７を核として結晶１９を成長させる結晶成長方法であって、結晶回転軸に対する垂直面内で成長速度が異なる方位を有する結晶１９を成長させる結晶成長方法において、種子結晶１７の原料溶融体表面に接触している面は長方形であり、かつ、長方形の長辺を成長速度が早い方位と平行にすることを特徴とする結晶成長方法。 （もっと読む）

【課題】転位密度を低減した結晶成長用のサファイアシードの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、サファイア単結晶からなり、その(0001)面を結晶成長面としてサファイア単結晶を成長させるためのサファイアシードの製造方法であって、前記サファイアシードの側面が、｛1-100｝面±１０°以内の結晶面となり、かつ前記サファイアシードの形状が、六角柱形状または三角柱形状を含むように加工されたサファイアシードを用意する工程と、該サファイアシードに対して所定の熱処理を施す工程と、を具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際に、結晶成長炉内におけるトラブルにより、下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体を、結晶成長に適した形状に該結晶成長炉内で再生する方法を提供する。
【解決手段】 下端中心部が周縁部に比して陥没した状態になってしまった種結晶体１１６を１０〜３０ｒｐｍで回転させつつ降下させて、その下端部を融点より１０〜１００℃高い温度に加熱保持した原料溶融液１０４に浸漬させた後、その浸漬から１２０秒以内に種結晶体１１６を上昇させて原料溶融液１０４と非接触状態にする操作を繰り返す。これにより、種結晶体１１６の下端部を平坦形状に再生させることができる。その後、下端部を平坦形状になった種結晶体を用いて単結晶体の育成を開始する。 （もっと読む）

【課題】音速の温度依存性が改善された低コストのタンタル酸リチウム基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基板の状態に加工されたタンタル酸リチウム単結晶から成るタンタル酸リチウム基板であって、Ｎｉ（ニッケル）を０．０５ｗｔ％以上１ｗｔ％以下の範囲で含有させることにより、結晶の音速温度依存性が改善される。前記タンタル酸リチウム単結晶は、種結晶のＮｉ濃度（ｎ1）に対する育成結晶のＮｉ濃度（ｎ2）の比（ｎ2／ｎ1）が１以上３以下となるように調製された種結晶を用い、原料融液の最高到達温度を１８００℃以下としてチョクラルスキー法により製造される。 （もっと読む）

【課題】サファイア単結晶の結晶成長に用いられる種結晶の結晶歪みやクラックを低減し、サファイア単結晶の製造効率を向上させる方法を提供する。
【解決手段】サファイアの単結晶からなる種結晶を加工する種結晶の加工工程Ｓ１０１を行う。次いで、加工工程Ｓ１０１を経た種結晶に対し、種結晶を所定の温度まで加熱する種結晶の加熱工程Ｓ１０２を行う。この種結晶の加熱工程Ｓ１０２において、種結晶における結晶歪みやクラックを除去する。こうすることで、後のサファイア単結晶の成長工程Ｓ１０３において、サファイアインゴットが融液に落下したり、サファイアインゴットに結晶歪みが生じたりしないようにする。そして、加熱工程Ｓ１０２を経た種結晶を用いて、サファイア単結晶を成長させる単結晶成長工程Ｓ１０３を行う。 （もっと読む）