【課題】ＳｉＣ種結晶の結晶成長面上にＳｉＣ多結晶が析出し難くすることを容易にできるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供することを、目的とする。
【解決手段】準備工程では、ＳｉＣ溶液１６の原料を収容する坩堝１４と、ＳｉＣ種結晶３６が取り付けられる下端面３４を有するシードシャフト３０とを備えるＳｉＣ単結晶の製造装置１０を準備する。取付工程では、シードシャフト３０の軸方向から見て、シードシャフト３０がＳｉＣ種結晶３６の周縁よりも内側に位置するように、ＳｉＣ種結晶３６を下端面３４に取り付ける。生成工程では、坩堝１４を加熱して、ＳｉＣ溶液１６を生成する。浸漬工程では、シードシャフト３０の下端をＳｉＣ溶液１６に浸漬して、ＳｉＣ種結晶３６をＳｉＣ溶液１６に浸漬する。育成工程では、ＳｉＣ種結晶３６の結晶成長面３８上にＳｉＣ単結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】結晶成長過程における組成変化を抑制し、均一性の高い単結晶を製造することができる結晶成長方法を提供する
【解決手段】成長結晶１９の組成と同一組成の原料棒２１を、炉内に設置されたるつぼ１１内の原料溶融体１８の表面に接触させ、原料棒２１と原料溶融体１８との熱接触状態を維持する。単位時間あたりの成長結晶１９の成長量に一致する単位時間あたりの供給量で、原料棒２１から補充原料を原料溶融体１８に供給する。原料棒２１は、粒径を調整した結晶粒の集合体であり、原料棒２１から成長結晶１９への原料溶融体内の対流により、結晶粒が成長結晶１９に到達するまでに溶融するように、結晶粒の粒径が決定されている。 （もっと読む）

【課題】 単結晶の育成速度の優れた坩堝および単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】 坩堝１０は、単結晶育成装置に配置されるものである。坩堝１０は、収容体１１と、中空体１２とを含む。収容体１１は、開口を有し、原材料を収容する。中空体１２は、収容体１１の内に収容され、収容体１１の開口側に向かって径が小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】 チョクラルスキー法やキロポーラス法でフッ化金属単結晶体を製造する際、種結晶体と原料溶融液を接触させる以前に、該種結晶体の表面に黒色物質が付着した場合に、種結晶体を短くし過ぎてしまうことなく、該黒色物質を除去できる方法を提供する。
【解決手段】 結晶成長を開始させるための種結晶体１１６の原料溶融液１０４への接触に先立ち、種結晶体を降下させてその下端部を原料溶融液中へ浸漬させ、浸漬した種結晶体の少なくとも一部を溶融させた後、種結晶体と原料溶融液を非接触状態にさせる操作を少なくとも１回行う。 （もっと読む）

【課題】チョクラルスキー法やキロポーラス法によるフッ化カルシウムなどのフッ化金属単結晶体の製造において、種結晶体表面への黒色物質の付着を効果的に抑制する方法を提供する。
【解決手段】少なくとも原料フッ化金属が溶融を開始してから種結晶体を原料溶融液に接触させるまでの間は、種結晶体の原料溶融液に接触させる部分（先端部）を炉内の高温領域に待機させて、各種揮発成分の種結晶先端への凝縮・付着を防止する。具体的には、原料フッ化金属の融点未満かつ（融点−４００℃）以上の温度となる位置ｃにて待機させる。さらにスカベンジャーを用いる場合には、スカベンジャーの溶融及び／又は分解が開始するよりも前に当該位置にての待機を開始させる。 （もっと読む）

本発明は、サファイア単結晶成長方法とその装置に関し、より詳細には矩形の長い坩堝を使って、ｃ−軸方向に長い種晶を使うに当たり、短い時間内に高品質の長い単結晶を獲得できるサファイア単結晶成長方法とその装置に関する。本発明に係るサファイア単結晶成長方法及びその装置を利用すると、矩形の坩堝を利用しても坩堝内部の水平方向の温度を均一に維持できて、高品質の単結晶を獲得できるだけでなく、単結晶成長において失敗率を低くする効果がある。
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【課題】溶液法によるＳｉＣ単結晶を成長する際の種結晶の破壊・剥離を防止して高い成長速度を達成し得る溶液法によるＳｉＣ単結晶成長用種結晶の複合接着方法を提供する。
【解決手段】炭素棒１の先端に種結晶７を設置し、炭素棒１が炭素棒１と同軸方向に配向した異方性炭素材８と等方性炭素材９とが接合されたものであり、等方性炭素材９と種結晶７とが接合される配置位置とする溶液法によるＳｉＣ単結晶成長用種結晶７の複合接着方法。 （もっと読む）

【課題】溶液法によりＳｉＣ単結晶を製造する際に、多結晶の生成を防止乃至は抑制することが可能であるＳｉＣ単結晶製造装置を提供する。
【解決手段】融液４に種結晶９を接触させてＳｉＣ単結晶を成長させる装置１であって、成長炉２内に断熱材３を介して備えられたＳｉ含有融液４を収容する坩堝５、成長炉２の周囲に設けられ融液４を加熱して一定温度に維持するための高周波コイル６を含む外部加熱装置７および昇降可能な炭素棒８が備えられ炭素棒８の先端に種結晶９が設置され、炭素棒８下端の側面部に融液４に対して炭素棒８より濡れ性の低い多結晶発生阻害部１０が設けられてなる溶液法によるＳｉＣ単結晶製造装置１。 （もっと読む）

【課題】 波長変換光学素子等として有用なボレート系結晶を短時間で低コストに簡便に、かつより均一性に優れたものとして品質を向上させることのできる新しいボレート系結晶の製造方法と、それらの結晶を波長変換光学素子として用いたレーザー発振装置を提供する。
【解決手段】 原材料として、水溶性のセシウム化合物およびホウ素化合物と、必要に応じてセシウムおよびリチウム以外のアルカリ金属およびアルカリ土類金属のうちの１種以上の水溶性の化合物を共に水に溶解して水溶液とし、この水溶液の水分を蒸発させ、その後焼結することによりまたは焼結せずに育成原料とし、得られた育成原料を融解して、一般式Ｃｓ_１−ｘＭ_ｘＢ_３Ｏ_５（０≦ｘ＜１）（Ｍはセシウムおよびリチウム以外の１種以上のアルカリ金属またはアルカリ土類金属元素）で表わされる化学組成を有するセシウム・ボレート系結晶を育成する。 （もっと読む）

【課題】高品質な半導体結晶を再現性よく得ることのできる半導体結晶成長方法および転位密度の均一な半導体結晶を提供する。
【解決手段】半導体結晶成長方法は、半導体の種結晶３０と半導体の原料とを収容した容器２０を加熱して、原料を半導体融液３４とする原料融解工程と、容器２０の種結晶３０側の一端３０ａを、種結晶３０を収容している側とは反対側の容器２０の他端２０ａよりも低温に保持する温度保持工程と、種結晶３０側の半導体融液３４の温度の降下量を、他端２０ａ側の半導体融液３４の温度の降下量よりも少なくした状態で半導体融液３４の温度を降下させて、種結晶３０側から容器２０の他端２０ａに向けて半導体融液３４を徐々に固化させる結晶成長工程とを備える。 （もっと読む）