【課題】飽和磁界が低く、温度特性が優れたファラデー回転子の製法とそのファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃａを含んだ化学式Ｔｂ_ｙＧｄ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＡｌ_ｚＯ_１２（式中、０．１５≦ｙ/ｘ≦０．６５，０．３≦ｚ≦０．５，０．０４≦ｗ≦０．１）で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶からなるファラデー回転子において、製品形状での室温での飽和磁界が２００（Ｏｅ）以下、温度特性０．０７ｄｅｇ／℃以下が達成された。 （もっと読む）

【課題】温度特性が優れ、かつ角型ヒステリシスを示すファラデー回転子の製法とそのファラデー回転子を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｃａを含んだ化学式Ｔｂ_ｙＹｂ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２、または化学式Ｔｂ_ｙＨｏ_ｘＣａ_ｗＢｉ_{３−ｘ−ｙ−ｗ}Ｆｅ_５−ｚＧａ_ｚＯ_１２で示されるビスマス置換希土類鉄ガーネット単結晶を、金るつぼを使った液相エピタキシャル法にて育成することで、温度特性０．０７５ｄｅｇ／℃以下が達成された。 （もっと読む）

【課題】工程を複雑化させることなく、また、高価な反応容器を用いることなく、かつ結晶の大きさが小さくなることなく、実用的な大きさのＩＩＩ族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】 大気圧よりも高い圧力を有する反応容器内で、少なくともＩＩＩ族金属を含む融液とフラックスと窒素原料からＩＩＩ族窒化物結晶を成長させて該ＩＩＩ族窒化物結晶から基板を製造するＩＩＩ族窒化物基板の製造方法において、前記ＩＩＩ族窒化物の種結晶を前記反応容器内に配置する工程と、結晶成長中、前記窒素原料を前記反応容器の外部から供給する工程と、ＩＩＩ族窒化物結晶を前記種結晶に対して成長させる工程と、前記ＩＩＩ族窒化物結晶を切断してＩＩＩ族窒化物基板を作成する工程と、を含む。 （もっと読む）

モールドシートに亘って圧力差が適用され、半導体ウエハ（例えばシリコン）がその上に形成される。圧力差の緩和がウエハを取り外すことを可能にする。モールドシートは、メルトよりも冷たい。熱は、形成ウエハの厚み方向のみに拡散される。液固界面はモールドシートにほぼ平行である。凝固体の温度は幅方向に亘ってほぼ均一であり、その結果、低ストレス及び転位密度並びに高品質の結晶性を提供する。モールドシートは、それを通過するガス粒を可能にする必要がある。水平、垂直又はその中間のいずれかのメルト頂部への全領域接触、モールドシートへのメルトの部分領域横断、並びに、モールドのメルトへのディッピングによって、メルトがシートに導入されうる。多くの手段によって粒サイズを制御可能である。 （もっと読む）

【課題】溶液成長法における結晶成長では、種結晶から黒鉛軸方向への放熱作用により成長が進む。接着不良箇所や接着剥離箇所のような、接着が不完全な部分(空気の層が入る部分)がある場合、軸方向への放熱性が悪くなり部分的に成長速度が落ちる。その結果、単結晶成長時に面内で平坦な成長が出来ない問題を引き起こす。また、接着不良箇所や接着剥離箇所のような、接着が不完全な部分は、種結晶の脱落の原因となり得る。従って、接着層で均一且つ安定な接着を実現することが、課題となっている。
【解決手段】ＳｉＣの溶液にＳｉＣ種結晶を接触させてＳｉＣ単結晶を成長させるために用いるＳｉＣ種結晶を黒鉛軸先端に接着する方法であって、熱硬化性樹脂およびＳｉＣ粒子を含む接着剤を用いてＳｉＣ種結晶を黒鉛軸先端に接着することを特徴とするＳｉＣ種結晶の接着方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ−Ｃｒ−Ｃ溶液を用いた溶液法により、高速かつ安定にＳｉＣ単結晶を成長させることができるＳｉＣ単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ‐Ｃｒ融液にＣを溶解させたＳｉ−Ｃｒ−Ｃ溶液からＳｉＣ種結晶上にＳｉＣ単結晶を成長させる方法において、上記Ｓｉ−Ｃｒ−Ｃ溶液に直流磁場を印加する。望ましくは、該Ｓｉ−Ｃｒ融液はＣｒ３０〜７０at％および残部Ｓｉから成る。望ましくは、上記直流磁場の強度は０．０１５Ｔ〜０．１５Ｔである。 （もっと読む）

【課題】下地基板を融液に浸漬させることにより下地基板の表面上に形成される結晶薄板の生産を停止することなく安定した原料の追加供給を行なうことができ、また品質の劣化やばらつきを低減するとともに結晶薄板の製造歩留まりを向上することによって、結晶薄板の生産性を向上させることができる溶融炉を提供する。
【解決手段】融液１１０２を保持するための主坩堝１１０１と、融液１１０２を加熱するための主坩堝加熱装置１１０４と、融液１２０２を保持するための副坩堝１２０１と、融液１２０２を加熱するための副坩堝加熱装置１２０４と、固体原料１４０２を投入するための固体原料投入装置１４０１と、副坩堝１２０１から主坩堝１１０１に融液１２０２を供給するための融液搬送部１３０１と、固体原料投入装置１４０１から副坩堝１２０１への固体原料１４０２の投入の有無を決定する固体原料投入制御装置１５０６とを備えた溶融炉１０００である。 （もっと読む）

【課題】各種単結晶基板上で表面モフォロジーに優れかつ単相の高品質なＫＮｂＯ_３単結晶薄膜を製造する方法と、この方法で得られた薄膜を備えることによって、ｋ^２（電気機械結合係数）が高く広帯域化、小型化、及び省電力化に優れる表面弾性波素子、周波数フィルタ、周波数発振器、電子回路、及び電子機器を提供する。
【解決手段】所定の酸素分圧におけるＫＮｂＯ_３と３Ｋ_２Ｏ・Ｎｂ_２Ｏ_５との共晶点Ｅにおける温度及びモル組成比をＴ_Ｅ、ｘ_Ｅとするとき（ｘは、Ｋ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_ｙで表現されるときのカリウム（Ｋ）とニオブ（Ｎｂ）とのモル比）、０．５≦ｘ≦ｘ_Ｅの範囲となるＫ、Ｎｂ、Ｏからなるプラズマプルームを基板１１に供給する。そして、この状態における完全溶融温度をＴ_ｍとし、基板１１の温度Ｔ_ｓをＴ_Ｅ≦Ｔ_ｓ≦Ｔ_ｍの範囲に保持して基板１１上に堆積したＫ_ｘＮｂ_１−ｘＯ_ｙからＫＮｂＯ_３単結晶１２を析出させ、残った液相部２７を蒸発させる。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さな結晶薄膜を製造することのできる結晶成長方法および結晶成長装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る結晶成長方法は、基板６上に液体原料１２ｃを供給し、基板６上に液体原料１２ｃから結晶を析出させることによって、結晶薄膜を得る結晶成長方法において、基板６上に供給された液体原料１２ｃの一部を、液体原料１２ｃの重力によって、基板６から取り除いた後に、基板６上に残存する残存液体原料１２ｄの結晶成長を開始する製造方法である。 （もっと読む）

基質に付着させた第ＩＩＩ族金属窒化材料膜を形成する方法が得られる。この方法には、基質に０．０１ Ｐａ以下の周囲圧力をかける手順と、基質を加熱して約５００°Ｃないし８００°Ｃの温度にする手順とが含まれる方法。本法は、第ＩＩＩ族金属蒸気を基準圧（０．０１ Ｐａ以上）で基質表面に送り込み、複数の第ＩＩＩ族金属粒を表面に形成させる手順と、活性窒素を０．０５ Ｐａないし２．５ Ｐａの使用圧力で基質に送り込み、第ＩＩＩ族金属粒上に第ＩＩＩ族金属窒化物分子を形成させる手順とをさらに含む。本法は、使用圧力および活性窒素を維持し、第ＩＩＩ族金属窒化物分子を第ＩＩＩ族金属粒に拡散させ、窒化物／金属液滴を形成させる手順と、窒化物／金属液滴を基質上のぬれ層に変える手順と、ぬれ層の第ＩＩＩ族金属窒化物分子を持続的に濃縮させ、ぬれ層に含まれるすべての第ＩＩＩ族金属原子を消耗させ、ぬれ層を第ＩＩＩ族金属窒化物膜に変える手順も含む。開示された方法の別の態様によると、ぬれ層が比較的薄い場合、濃縮手順のあいだに第ＩＩＩ族金属窒化物分子がぬれ層に拡散し、それによって粘性が増大し、ぬれ層が固形の非晶質第ＩＩＩ族金属窒化物膜へと変化する。開示された方法のさらに別の態様によると、ぬれ層が比較的厚い場合、濃縮手順のあいだにぬれ層の表面に結晶シード膜が形成され、シード膜から活性窒素が拡散し、ぬれ層で第ＩＩＩ族金属と反応することでシード膜がさらに肥厚化し、ぬれ層が結晶質第ＩＩＩ族金属窒化物膜へと変化する。 （もっと読む）