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国際特許分類[C30B19/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 液相エピタキシャル成長 (350)

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【課題】本発明は、液相エピタキシャル(LPE)法により単結晶を育成する際に使用する単結晶育成用ルツボに関し、ガーネット単結晶を育成する際に変形しない金製の単結晶育成用ルツボを提供することを目的としている。
【解決手段】金又は金を含有する材質で形成され、ルツボ壁の厚さをy(mm)、ルツボの内径をx(mm)とすると、0.01x≦y≦5.0、50<x≦200であることを特徴とする単結晶育成用ルツボである。 (もっと読む)


【課題】LPE法により高品質かつ大型の窒化物(例、窒化アルミニウム)単結晶を安価な装置を用いて効率的に成長させる方法を提供する。
【解決手段】坩堝に収容された、雰囲気ガスから溶解させた窒素を含有する単結晶原料の融液2をローレンツ力により隆起させ、隆起した融液2の頂点付近に種結晶基板3を接触させ、融液2から種結晶基板3を引き上げることにより種結晶基板3上に窒化物単結晶を成長させる方法において、融液2表層に形成される窒化物被膜10を一部破損させて、少なくとも融液2頂点付近から被膜10を除去するための引き金工程を有し、被膜10除去のための引き金工程の後、融液2の撹拌により被膜10の除去を進める。引き金工程は、雰囲気ガスの窒素分圧の操作、融液2温度の操作、ならびに物理的な接触、から選ばれた1または2以上の方法により、種結晶基板3上に単結晶を成長させる工程より前あるいは単結晶成長の初期に行う。 (もっと読む)


【課題】薄板製造装置で連続して薄板を製造すると、融液を保持する坩堝の内壁上に融液の材料を主成分とする凝固物が形成される。該凝固物は薄板の製造を妨げるため、該凝固物を確実に溶融し、薄板を継続的に製造することができる薄板製造装置および薄板製造方法を提供する。
【解決手段】該凝固物を溶融するための凝固物溶融機構を備える薄板製造装置および、該凝固物を溶融するための凝固物溶融工程を含む薄板製造方法に関する。該凝固物溶融機構は、融液に浸漬することで融液面の高さを上げ凝固物の少なくとも一部を融液で覆うことが可能な体積を有する体積物と、体積物を融液に浸漬するための体積物浸漬機構とを備える。 (もっと読む)


【課題】大口径の非磁性ガーネット基板を用いて液相エピタキシャル成長法でのビスマス置換型磁性ガーネット膜を効率よく育成するための方法の提供をする。
【解決手段】直径2〜5インチの非磁性ガーネット単結晶基板を用い、LPE法によりビスマス置換型ガーネット膜を育成する方法において、少なくとも育成終了後の冷却時に、該基板の背面に該基板の直径の0.8〜2.0倍の直径を有し、900℃前後で安定であり、融液からの輻射熱を反射しうる反射板を設け、前記基板両面の温時差が30℃以下になるようにしつつ、基板温度が100℃以下になるまでの冷却速度を1.0〜4.0℃/minとする。 (もっと読む)


【課題】多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に融液原料を供給するに際し、特別な加熱手段を設けることなく、また融液原料の液温が該原料の融点付近の比較的低い温度でも、融液原料の凝固を防止し、融液原料を少量ずつ連続的に供給することができる融液原料供給装置を提供する。
【解決手段】融解槽を有する副坩堝2と、副坩堝2の周囲に設けられる加熱手段8と、副坩堝2の融解槽に固体原料を供給する原料供給手段9とを含む融液原料供給装置1において、副坩堝2の融解槽と加熱手段8との間に空隙部3を形成し、この空隙部3を介して融解槽から溢れ出る融液原料5を多結晶体または単結晶体製造装置の主坩堝に供給する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液相エピタキシャル(LPE)法により育成した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法に関し、鉛の含有量を削減した磁性ガーネット単結晶及びそれを用いた光学素子並びに磁性ガーネット単結晶の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】液相エピタキシャル成長法により育成され、化学式 BiNaPbM13−x−y−zFe5−wM212(式中のM1はY、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luから選択される少なくとも1種類以上の元素、M2はGa、Al、In、Ti、Ge、Si、Ptから選択される少なくとも1種類以上の元素であり、0.5<x≦2.0、0<y≦0.8、0≦z<0.01、0.19≦3−x−y−z<2.5、0≦w≦1.6)で示される磁性ガーネット単結晶である。 (もっと読む)


【課題】結晶サイズが大きいIII族窒化物結晶を結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】反応容器10は、金属Naと金属Gaとの混合融液290を保持する。外部反応容器20は、反応容器10の周囲を覆う。配管30は、反応容器10の下側において外部反応容器20に連結される。抑制/導入栓60は、反応容器10と外部反応容器20との連結部よりも下側の配管30内に固定される。抑制/導入栓60および金属融液190は、混合融液290から蒸発した金属Na蒸気の配管30内への拡散を防止するとともに、空間23内の圧力と空間31内の圧力との差圧によって配管30内の窒素ガスを空間23内へ供給する。支持装置50は、種結晶5を混合融液290に浸漬または接触させる。そして、種結晶5が混合融液290によってエッチングされた後、GaN結晶が種結晶5から結晶成長する。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物結晶を安定して結晶成長する結晶成長装置を提供する。
【解決手段】金属Naと金属Gaとの混合融液290を保持する坩堝10は、内部反応容器20内に配置される。外部反応容器300は、内部反応容器20の周囲を覆う。抑制/導入栓60は、坩堝10と内部反応容器20との連結部よりも下側の配管30内に固定され、金属融液190の表面張力によって金属融液190を保持するとともに、配管30内の窒素ガスを金属融液190を介して空間23内へ供給する。ガスボンベ140は、圧力調整器130を介して窒素ガスを配管30へ供給する。支持装置50は、種結晶5を混合融液290に常時接触させる。制御装置370は、空間23の圧力Pinと外部反応容器300内の圧力Poutとの圧力差を結晶成長装置100が異常と判定される所定値よりも小さい値に設定する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、液相エピタキシャル法を用いて磁性ガーネット単結晶膜を育成する際に用いられる単結晶育成用基板に関し、ファラデー回転子の製造コストを削減できる単結晶育成用基板を提供することを目的とする。
【解決手段】液相エピタキシャル法を用いて磁性ガーネット単結晶膜を育成する際に用いられる単結晶基板20であって、2.5インチ以上2.7インチ以下の基板直径dと、500μm以上800μm以下の基板厚tとを有する。 (もっと読む)


【課題】シリコンカーバイド半導体デバイスなどの製造に適した液相成長法を提供する。
【解決手段】本発明の液相成長法は、イオン化された第1の元素を含むプラズマに直流電流を重畳することにより、基板上(S) に形成される導電性の溶媒(A) に前記プラズマ中のイオン化された第1の元素を供給する工程と、この溶媒に供給された第1の元素と、この溶媒に予め含まれる第2の元素とを反応せしめて溶質を形成する工程と、この形成された溶質を前記溶媒中に形成される温度差と前記溶質の濃度差に基づき前記溶媒(A) 中を移動せしめて、前記溶質の成長層を前記基板(S) の表面に形成せしめる工程とを含んでいる。 (もっと読む)


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