【課題】 冷却過程において原料溶液を撹拌する機構を備えることによって原料溶液の温度を均質化し、これにより、大面積の基板上でも、その上に成長されるエピタキシャル層の膜厚が周辺と中央とで差が生じないようにした液相成長装置を提供することにある。
【解決手段】 基板ホルダ１を有するスライダー２と、原料溶液溜を形成する原料溶液ホルダ３を有する原料溶液ホルダ保持体１１とを、互いに対向させて相対的に摺動可能とし、所定の温度から冷却しながら原料溶液６又は７に基板５を接触させて、基板５上に半導体のエピタキシャル層を成長する液相成長装置において、上記原料溶液ホルダ３に、原料溶液を基板５に接触させた後の冷却過程において原料溶液６、７を撹拌する羽根９を原料溶液溜中に有する撹拌機構１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】坩堝内の加熱された単結晶原料が溶解している融液に種結晶を接触させ、前記融液から種結晶を引き上げることにより単結晶を成長させる液相エピタキシャル法によりバルク単結晶を効率よく製造する。
【解決手段】常伝導コイル５への交流電流の通電により誘起されるローレンツ力を融液４に作用させて融液の隆起と誘導加熱を行いながら、隆起した融液の頂点付近に種結晶７を接触させ、種結晶上に単結晶１５を成長させる。結晶成長開始前後および／または終了前後の非定常過程において結晶５または１５の近傍を補助加熱することにより結晶の熱流束量の急激な変化を防止して、亀裂のない良質な結晶を得る。補助加熱は、上昇させたコイル５または別のコイルによる誘導加熱、および／または治具１３の融液への浸漬により行われる。治具１３が融液に溶解可能であると、ヘテロエピタキシャル成長に必要な融液組成の調整機能も果たす。 （もっと読む）

Ｃｒ⁴⁺:Ｍｇ_2-xＭ_xＳｉ_1-yＡ_yＯ₄（式中、ＭはＭｇ²⁺よりも大きなイオン半径を有する4価のイオンであり、さらにＡはＳｉ⁴⁺よりも大きなイオン半径を有する2価のイオンである）の単結晶を含むのレーザー媒質。さらに、ａ）0≦ｘ＜２ 及び 0＜ｙ＜1；又はｂ）0＜ｘ＜２ 及び ｙ＝0 若しくは ｙ＝1（但し、ＭがＣａ²⁺で、ｘ＝1 である場合には、ｙは0ではない。）のどちらかである。当該レーザー媒質は、チューナブル近赤外線（ＮＩＲ）レーザーのようなレーザー素子で用いることができる。
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【課題】 基板上に成長させるエピタキシャル層の膜厚が周辺と中央とで差が生じないようにする。
【解決手段】 液相エピタキシャル成長装置は、基板ホルダとしてのスライダー２と溶液ホルダ８とを備え、スライダー２と溶液ホルダ８とを相対移動させて、スライダー２の基板載置部１に載置されるＧａＡｓ基板５の真上に、溶液ホルダ８の溶液溜３を位置させ、溶液溜３に収容した成長溶液６、７をＧａＡｓ基板５と接触させ、ＧａＡｓ基板５上にエピタキシャル層を成長させる。上記溶液溜３は、その溶液溜３の天井の高さが、ＧａＡｓ基板５の真上に溶液溜３を位置させたときに、ＧａＡｓ基板５の周辺の真上に位置する部分の高さをａとし、ＧａＡｓ基板５の中心の真上に位置する部分の高さをｂとしたとき、
１．５ａ≦ｂ≦３ａ
の関係式を満たすように構成されている。 （もっと読む）

【課題】 電気光学定数の高い電気光学薄膜素子を得る。
【解決手段】 Ｚカットの電気光学単結晶基板上に、面内方向の格子定数は前記基板と同じであるが、面直方向の格子定数は前記基板よりも大きいニオブ酸リチウム単結晶薄膜が成膜されている電気光学薄膜素子、あるいはＸカットの電気光学単結晶基板上に、面内方向の格子定数は前記基板と同じであるが、面直方向の格子定数は前記基板よりも小さいニオブ酸リチウム単結晶薄膜が成膜されている電気光学薄膜素子である。Ｚカット基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜との格子歪みは、＋０．１％以上、Ｘカット基板とニオブ酸リチウム単結晶薄膜との格子歪みは、−０．１％以下とすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 垂直磁場制御におけるファラデー回転角の急峻な変化を抑止できる光アッテネータ用磁性ガーネットおよびその製造方法を提供すること。
【解決手段】 一般式（Ｒ，Ｂｉ）₃（Ｆｅ，Ｍ）₅Ｏ₁₂（但し、ＲはＧｄ，Ｙｂの少なくとも１種、ＭはＡｌ，Ｇａの少なくとも１種）で表される組成を有し、Ｎｄ₃Ｇａ₅Ｏ₁₂単結晶上に液相エピタキシャル成長法により育成する厚膜単結晶の光アッテネータ用磁性ガーネットの製造方法であり、成長誘導磁気異方性に対して残留比率を１５〜３０％とする工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 冷却体表面に凝固析出して生成される析出板の自壊による破片を適正処理し、析出板の生産に対して悪影響を及ぼすことを防止する。
【解決手段】 溶解炉２４でシリコンを加熱して溶湯２３にし、析出板生成の原板である冷却体２５を、浸漬手段２６によって溶湯中へ浸漬し溶湯中から引上げてシリコンを冷却体の表面に凝固析出させてシート状シリコン２７を製造する。このシート状シリコンの製造に際し、冷却体が溶湯上方位置から離反する方向へ搬送される搬送経路途中に設けられる落下物受容手段２８が、冷却体から離脱して落下するシート状シリコンを受容し、落下物再投入手段２９が、落下物受容手段によって受容されたシート状シリコンを、溶解炉の坩堝３２内へ移動させる。 （もっと読む）

【課題】マイクロパイプ欠陥や界面欠陥等の発生が少ないとともに、幅広なテラスを有し表面の平坦度の高い、高品質、高性能な単結晶SiCの提供すること。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素基板の表面を改良するため、真空下で、約1200℃以上2300℃以下の温度で単結晶炭化ケイ素基板を加熱する。また、前記特長を有する単結晶炭化ケイ素基板と多結晶炭化ケイ素基板とを重ね、密閉容器内に設置して、高温熱処理を行うことによって、前記単結晶炭化ケイ素基板と前記多結晶炭化ケイ素基板との間に、熱処理中に極薄金属シリコン融液を介在させ、前記単結晶炭化ケイ素基板上に単結晶炭化ケイ素を液相エピタキシャル成長させる。好ましくは、前記加熱処理を、減圧下で約1600℃以上1800℃以下の範囲の所定の温度で行うことによって、成長する単結晶炭化ケイ素の表面の平坦度を制御する。 （もっと読む）

【目的】 絶縁体上に結晶性が単結晶ウエハー並に優れた単結晶層を有する半導体部材を提供すること、及び該部材を得るうえで、生産性、均一性、制御性、経済性の面においても優れた方法を提供すること。
【構成】 多孔質単結晶半導体領域上に非多孔質単結晶半導体領域を配した部材を形成し、前記非多孔質単結晶半導体領域の表面に、表面が絶縁性物質で構成された部材の表面を貼り合わせた後、前記多孔質単結晶半導体領域をエッチングにより除去することを特徴とする半導体部材の製造方法。 （もっと読む）