説明

国際特許分類[C30B19/00]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 液相エピタキシャル成長 (350)

国際特許分類[C30B19/00]の下位に属する分類

国際特許分類[C30B19/00]に分類される特許

1 - 10 / 39


【課題】成長温度、成長に用いる雰囲気ガスによらず、溶液法によるSiC単結晶製造において気泡の巻き込みによるボイド欠陥を大幅に抑制しうる製造方法を提供する。
【解決手段】Si及びCを含む溶液中に、SiCの種結晶を浸漬し、溶液成長法によりSiCを析出・成長させるにあたり、該種結晶の成長面法線ベクトルと溶液表面の法線ベクトルとのなす角度を90°以下に保持して製造して結晶成長部分のボイド密度を1000個/cm以下としたSiC単結晶およびSiC単結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】熱電変換材料の単結晶を製造するに際し、結晶成長を継続させることができる熱電変換材料結晶成長装置を提供する。
【解決手段】結晶成長装置は、熱電変換材料を溶融させた溶液11が配置されるるつぼ10と、棒状の一端側の先端21における結晶支持点22に熱電変換材料の種結晶60が固定される結晶支持棒20と、種結晶60に成長する熱電変換材料の単結晶61を結晶支持棒20を介して冷却することにより溶液11の温度に対して単結晶61の結晶成長面62の温度を低下させる冷却手段40と、を備えている。そして、種結晶60を溶液11に浸し、冷却手段40によって単結晶61の結晶成長面62の熱を結晶支持棒20に引き出すことで結晶成長面62の温度と溶液11の温度との温度差を確保する。 (もっと読む)


【課題】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長速度を高くできる単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素エピタキシャル成長用フィード材11は、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の、励起波長を532nmとするラマン分光解析によって、結晶多形が3Cである多結晶炭化ケイ素に由来のL0ピークが観察され、L0ピークの972cm−1からのシフト量の絶対値が4cm−1未満である。 (もっと読む)


【課題】挿入損失で0.6dBを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Gd3(ScGa)5O12で示される非磁性ガーネット基板上に、液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜であって、化学式Gd3-x-yBixRyFe5O12(RはLa、Ce、Pr、Ndから選択される二種以上の希土類元素群、0<x、0<y)で示され、上記R、GdおよびBiの組成割合が、R-Gd-Bi三元系組成図上において、組成点A、B、C、Dを頂点とする四角形の内部に相当する数値範囲を有する。A:(R/0.15,Gd/1.66,Bi/1.19)、B:(R/0.92,Gd/0.89,Bi/1.19)、C:(R/1.31,Gd/0.89,Bi/0.80)、D:(R/0.32,Gd/1.88,Bi/0.80)。 (もっと読む)


【課題】製造された複数のn型SiC単結晶インゴット間の窒素濃度のばらつきを抑えることができるn型SiC単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施の形態におけるn型SiC単結晶の製造方法は、坩堝7が配置される領域を有するチャンバ1を備えた製造装置100を準備する工程と、坩堝7が配置される領域を加熱し、かつ、チャンバ1内のガスを真空排気する工程と、真空排気した後、希ガスと窒素ガスとを含有する混合ガスをチャンバ1内に充填する工程と、領域に配置された坩堝7に収納された原料を加熱により溶融して、シリコンと炭素とを含有するSiC溶液8を生成する工程と、混合ガス雰囲気下において、SiC種結晶をSiC溶液に浸漬して、SiC種結晶上にn型SiC単結晶を育成する工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】 大型化しても、比較的簡単な構成で、坩堝内の融液を均一に撹拌することができる結晶育成用坩堝を提供する。
【解決手段】 結晶育成用坩堝(5)は、結晶を育成する融液を収容するための坩堝本体(20)と、該坩堝本体(20)に取り付けられて、融液を撹拌する撹拌部材(21)とを有する。撹拌部材(21)は、坩堝本体(20)の内壁から該坩堝本体の内側に向かって突出する突出部(23)を有する。突出部(23)は、表面全体が融液に接触するように配置されている。 (もっと読む)


【課題】太陽電池セルの逆方向漏れ電流を低減することができ、太陽電池セルおよび太陽電池モジュールの歩留まりを向上して、製造コストを低減することができるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールを提供する。
【解決手段】融液から直接作製されるシリコンリボン、球状シリコンであって、シリコンリボン、球状シリコンの窒素濃度が5×1015atoms/cm3以上5×1017atoms/cm3以下であるシリコンリボン、球状シリコン、およびこれらの製造方法、ならびにこれらを用いた太陽電池セルおよび太陽電池モジュールである。 (もっと読む)


【課題】反応容器を挿通する攪拌用の駆動軸を設けても、融液の金属蒸気の漏出を防ぎつつ原料ガスを反応容器内に供給できる結晶成長装置の提供。
【解決手段】加熱加圧雰囲気下で窒素ガスとNa/Ga混合融液3とを反応させて該混合融液3に浸漬された種基板2上にGaN結晶を成長させる坩堝11と、坩堝11を挿通して設けられた駆動軸41を軸周りに回転させて混合融液3を攪拌する攪拌装置40と、を有する窒化ガリウム製造装置1であって、駆動軸41の挿通により坩堝11に形成される隙間をガス流路とし、該ガス流路から坩堝11内部に窒素ガスを供給する窒素ガス供給ポート17を有するという構成を採用する。 (もっと読む)


【課題】応力を低減したn型SiC単結晶を製造する方法、前記の方法によって得られる応力を低減したn型SiC単結晶およびその用途を提供する。
【解決手段】溶液法によるSiC単結晶の製造において、n型半導体とするためのドナー元素である窒素およびアルミニウムの濃度を各々[N]および[Al]で表わしたときに、窒素とアルミニウムとの濃度比を、1≦[N]/[Al]≦50として融液に添加し、SiC種結晶を浸漬することにより、n型SiC単結晶を成長させる。 (もっと読む)


半導体材料の物品の作製方法は半導体材料の固体層がその外表面上に既に形成されている中実鋳型を溶融半導体材料の融液から引き出す工程を含む。引出し中に固体層を覆って形成される半導体材料の固体被覆層において1つないしさらに多くの所望の属性を達成するために、温度、力及び相対引出し速度の内の1つないしさらに多くが引出し作業中に制御される。
(もっと読む)


1 - 10 / 39