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国際特許分類[C30B19/02]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 液相エピタキシャル成長 (350) | 溶融溶媒を用いるもの,例.フラックス (162)

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【課題】有害性が大きいとされる鉛を実質的に含有せず、結晶特性に優れ、かつ、ファラデー回転子としたときの光透過性やファラデー回転能の劣化が見られないビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶であって、該ビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶は、組成式
(BiR)3−aM1Fe5−b−c−dAlPtM212
(R:ランタノイド金属及びYのうちから選択される一種または二種以上の元素、
M1:Ca及びSrから選択される一種または二種の元素、
M2:Ge及びSiから選択される一種または二種の元素、
0.01<a<0.1,0.15≦b+d≦0.6,0.01≦c≦0.04,a=c+d)
で表されるものであることを特徴とするビスマス置換希土類鉄ガーネット結晶。 (もっと読む)


【課題】工業的に安価な方法で、結晶成長速度を十分な速度で安定的にかつ継続的に保つことが可能な第13族窒化物結晶の製造法を提供する。
【解決手段】少なくともアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素と、第13族元素と窒素元素とを含む液相9中で、液相からアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を除去しながら第13族窒化物結晶を成長させる第13族窒化物結晶の製造方法であって、液相からアルカリ金属元素またはアルカリ土類金属元素を除去する速度が0.0020mg/h/cm以上である第13族窒化物結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】量産に用い得る厚さと面積を確保しながら、容易な生産方法でかけやわれの発生を抑制してオリエンテーションフラットを形成することを目的とする。
【解決手段】窒化ガリウム結晶体27から、ファセット15を有する硬質の立体構造物14を陵線等に平行に除去することで、欠けや割れの発生を抑制した窒化ガリウム基板を提供できる。しかも、ファセット15を有する硬質の立体構造物14の陵線等は特有の結晶方位を有し、かつ、明瞭であるので、立体構造物14の陵線等に平行に切断加工した窒化ガリウム結晶体27の切断線21をデバイス加工の基準線となるオリエンテーションフラットに用いることができる。 (もっと読む)


【課題】光線透過性の高いチタン酸ストロンチウム系単結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】原料中のSrとTiのモル比が1<[Sr/Ti]<1.3となるようにSrを添加したSrTiO−LaAlO系固溶体組成物を原料とし、アルミン酸ストロンチウムを溶媒として用いることで、Tiによる着色を低減させた透明な単結晶を育成することができ、この方法で育成した単結晶は光線を透過するため光通信用フィルタ、光集積回路基板、光学素子などの各種光学用途部材として利用可能である。 (もっと読む)


【課題】 常圧窒素環境下で新規の薄膜成長技術を確立し、該技術に基づいて高純度な窒化アルミニウム材料を製造する新規の製造方法を提供する。
【解決手段】 窒化アルミニウム製造方法は、常圧窒素雰囲気下で、窒化リチウムおよびアルミニウムから成る原料混合物を、第1図(a)に示す窒化リチウムおよびアルミニウムに関する二元系状態図における斜線領域内の組成および温度で少なくとも2時間保持する工程を含む。 (もっと読む)


【課題】ガリウム供給管の閉塞を防止することができる窒化ガリウム結晶製造装置のガリウム供給方法及び装置を提供する。
【解決手段】液体Na4とガリウム貯留槽11から供給される液体Ga5を、窒素ガス8の存在下で加圧、加熱して窒化ガリウム結晶を製造する窒化ガリウム結晶製造装置1において、耐圧容器2に、容器壁を貫通し先端開口部を反応容器3に向けて配置した供給管6を設ける。供給管6の上流側に水平管7を設け、その上流側に、キャリアガスの窒素ガス8を常時供給するキャリアガス供給手段9を接続する。水平管7の途中個所の下端側位置に、ガリウム供給ライン12の下流側端部に設けた立ち上がり管12aの上端部を連通接続する。ガリウム供給ライン12の立ち上がり管12aより水平管7へ供給する液体Ga5を、水平管7内の窒素ガス8の流れにより吹き飛ばし、この吹き飛ばされた液体Ga5を気流搬送して供給管6より反応容器3へ供給する。 (もっと読む)


【課題】実用的なサイズの結晶基板を切り出せる大型のバルク結晶を製造する。
【解決手段】窒化ガリウム結晶は、c軸の長さLが9mm以上であり、c軸と垂直な断面の結晶径dが100μm以上であり、c軸の長さLと、c軸と垂直な断面の結晶径dの比L/dが7以上であることを特徴とする。この長尺の針状結晶を肥大化させることにより体積の大きなバルク結晶を製造することが可能となり、実用的なサイズの結晶基板を切り出せる大型のバルク結晶を製造することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は、窒化物結晶製造方法と窒化物結晶製造装置に関するもので、結晶の品質向上を目的とするものである。
【解決手段】そしてこの目的を達成するために本発明は、準備工程と、その後の結晶育成工程とを有し、前記準備工程は、種基板と、結晶原料である金属ガリウムとナトリウムと、を坩堝に収納するとした第1の工程と、前記結晶育成工程は、前記坩堝を結晶成長容器内に配置し、この結晶成長容器を炉心管内に配置した状態で、この炉心管を加熱手段により所定の温度で加熱し、前記坩堝を原料ガス供給手段により所定の気圧の窒素雰囲気下にした状態で、前記種基板上に結晶を育成するとした第2の工程と、を設けた。 (もっと読む)


【課題】工業的に安価な方法で、成長表面に凹凸がなく良質の第13族金属窒化物結晶を製造する方法を提供する。
【解決手段】溶融塩中に窒素元素と第13族金属元素とを含む溶液において、シード上に第13族金属窒化物結晶を成長させる第13族金属窒化物結晶の製造方法であって、該シードの主面が半極性面である第13族金属窒化物結晶の製造方法。 (もっと読む)


【課題】高抵抗且つ低転位密度のZnドープ3B族窒化物結晶を提供する。
【解決手段】本発明のZnドープ3B族窒化物結晶は、比抵抗が1×102Ω・cm以上、3B族窒化物結晶中のZn濃度が1.0×1018atoms/cm3以上2×1019atoms/cm3以下、エッチピット密度が5×106/cm2以下のものである。この結晶は、液相法(Naフラックス法)により得ることができる。 (もっと読む)


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