【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Ｂｉと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、ＲＩＧ膜と略記する)が選択された場合、得られるＲＩＧ膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けＲＩＧ膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】ＲＩＧ膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてＲＩＧ膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が２００μｍ以上３５０μｍ以下、ＲＩＧ膜の膜厚が１００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をＴ(μｍ)、ＲＩＧ膜の膜厚をｔ(μｍ)としたとき、上記要件に加えて、下記(数１)を満たすことを特徴とする。
-２Ｔ＋７００（μｍ） ≦ ｔ ≦ -４Ｔ＋１５００（μｍ） （数１） （もっと読む）

【課題】、III 族金属窒化物単結晶の生産性が高く、製造が比較的に容易であり、種結晶膜のメルトバックを抑制できるようにすることである。
【解決手段】 成膜面２ｂと加工凹部８とが設けられている基板本体１に対して、成膜面２ｂおよび加工凹部８を被覆するようにIII 族金属窒化物単結晶の下地膜４Ａ、４Ｂ、５を成膜する。下地膜が、成膜面上の種結晶膜と、側壁面および加工凹部の底面を被覆する多結晶膜とを有する。次いで、下地膜上にフラックス法によってIII 族金属窒化物単結晶６を育成する。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶構造のｍ面の外周表面の少なくとも１面において、ｃ軸方向の一端部側の領域におけるＸ線ロッキングカーブの半値全幅が、他端部側の領域における前記半値全幅より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】転位密度が少なく高品質な１３族窒化物結晶基板に供することが可能であるバルク結晶を製造するための種結晶を提供することを目的とする。
【解決手段】本実施形態の窒化ガリウム結晶は、六方晶の窒化ガリウム結晶のｃ軸を横切る断面において、断面内側の第１領域と、前記第１領域の外周の少なくとも一部を覆う第２領域とを有し、前記第１領域の電子線または紫外光による発光スペクトルにおいて、窒化ガリウムのバンド端発光を含む第１ピークの強度が、前記第１ピークより長波長側の第２ピークの強度より小さく、前記第２領域の前記発光スペクトルにおいて、前記第１ピークの強度が前記第２ピークの強度より大きいことを特長とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、エピタキシャル構造体の製造方法に関する。
【解決手段】本発明のエピタキシャル構造体の製造方法は、少なくとも一つのエピタキシャル成長面を有する基板を提供する第一ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に複数の空隙を含むカーボンナノチューブ層を配置し、前記基板のエピタキシャル成長面の一部を前記カーボンナノチューブ層の複数の空隙によって露出させる第二ステップと、前記基板のエピタキシャル成長面に対して垂直する方向にエピタキシャル成長させ、前記カーボンナノチューブ層のカーボンナノチューブによって間隔された複数のエピタキシャル結晶粒からなる非連続なエピタキシャル層を形成する第三ステップと、前記カーボンナノチューブ層を除去する第四ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】挿入損失で０．６ｄＢを下回り、高い収率で製造可能なビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜（ＲＩＧ）と光アイソレータを提供する。
【解決手段】化学式Ｇｄ₃（ＳｃＧａ）₅Ｏ₁₂で示される非磁性ガーネット基板上に液相エピタキシャル成長法により育成されたビスマス置換型希土類鉄ガーネット結晶膜において、化学式Ｃｅ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示され、ｘとｙが１．２０≦ｘ≦１．５８、０．８０≦ｙ≦１．１９であることを特徴とする。化学式Ｃｅ_3-x-yＧｄ_xＢｉ_yＦｅ₅Ｏ₁₂で示される本発明のＲＩＧは、従来のＲＩＧと比較して挿入損失で０．６ｄＢを下回り、かつ、波長１μｍ程度の光吸収に起因した発熱量の低減が図れるため、加工用高出力レーザー装置の光アイソレータ用ファラデー回転子に使用するできる顕著な効果を有する。 （もっと読む）

【課題】安価な単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面に対応した回折ピークが観察される。表層のＸ線回折により観察される（１１１）結晶面のうち、配向角度が６７．５°以上であるものの占める割合が８０％以上である。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層の励起波長を５３２ｎｍとするラマン分光解析によって、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に由来のピークとして、Ｔ０ピーク及びＬ０ピーク以外のピークが観察される。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素に対応した回折ピークとして、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークが観察され、（１１１）結晶面に対応した１次回折ピークの回折強度の１０％以上の回折強度を有する他の１次回折ピークが観察されない。 （もっと読む）

【課題】安価な炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材を提供する。
【解決手段】単結晶炭化ケイ素液相エピタキシャル成長用シード材１２は、結晶多形が３Ｃである多結晶炭化ケイ素を含む表層を有する。表層のＸ線回折により、（１１１）結晶面、（２００）結晶面、（２２０）結晶面及び（３１１）結晶面の少なくとも一つに対応した１次回折ピークが観察される。少なくとも一つの１次回折ピークから算出される平均結晶子径が、７００Åより大きい。 （もっと読む）