【課題】複数の単結晶基板を有する炭化珪素基板であって、かつ単結晶基板間の隙間が十分に充填されているものを提供する。
【解決手段】複数の単結晶基板１１ａ，１２ａ，１３ａの各々に接合されたベース層３０を有する複合基板が形成される。複数の単結晶基板１１ａ，１２ａ，１３ａは、ベース層３０上において互いに離されていることによって、互いに隣り合う複数の単結晶基板１１ａ，１２ａ，１３ａの各々の端面によって構成された側壁と、ベース層で構成された底面とを有する溝部ＴＲａを形成している。溝部ＴＲａに対向するように、炭化珪素からなる原料部２９が配置される。原料部２９から昇華させた炭化珪素を底面上において再結晶させることによって、溝部ＴＲａが充填される。 （もっと読む）

【課題】 下地基板の上にドットマスクやストライプマスクを付けて窒化ガリウム結晶をエピタキシャル成長させる際に、露呈部で成長が始まりマスクの上の成長が始まらないので、マスク端から立ち上がるファセットができる。マスクの上は結晶欠陥集合領域Ｈができるが、これはｃ軸方位が反転した単結晶である反転領域Ｊであることが望ましい。マスク上に必ず反転領域Ｊを生成するようにすること。
【解決手段】 反転領域Ｊができるためにはファセットに方位の反転した極性反転結晶が発生することが必要である。成長温度や成長速度を適切な範囲とすることで、ファセットを埋め込まないようにして気相法で窒化ガリウムを成長させる。 （もっと読む）

【課題】単結晶の基板に含まれる転位が、基板上の成長層へ伝播することを抑えることができ、また成長層での新たな転位の発生を抑制することができる単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の表面にアルカリエッチングによってエッチピットを形成する工程と、前記エッチピットを形成した表面に、熱酸化処理により酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜上に保護膜を形成する工程と、前記エッチピット外部の保護膜及び酸化膜を除去する工程と、前記保護膜を形成した面に、単結晶を成長させる工程と、を有する単結晶の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】高品質の窒化ガリウム基板を製造するための窒化ガリウム結晶成長方法を提供する。
【解決手段】（１）ストライプマスクＭを下地基板の上に設ける。（２）マスクの存在しない露呈部から窒化ガリウム結晶は成長を開始し、マスクの両側にファセットＦを形成する。（３）Ｃ軸が１８０゜反転した極性反転領域Ｊが形成される場合、予兆として、ファセットの傾斜面の途中に、ツメＱと呼ばれるゴツゴツとした突起が対向して発生する。このあと、（４）ツメＱが合体し、（５）これを種として同じ方位の結晶が縦方向に成長し、極性反転結晶Ｊからなる結晶欠陥集合領域Ｈを形成する。露呈部の上でファセットの下に成長した部分は初めは下地基板との間に多数の転位を持つが、ファセット成長によって転位が外側へ排除され、結晶欠陥集合領域Ｈに蓄積されるので次第に低転位となり、この隣接部分は単結晶となる。 （もっと読む）

【課題】 複雑な工程を必要とせず、高品質の３−５族窒化物半導体積層基板、３−５族窒化物半導体自立基板及び高性能の半導体素子を容易に得ること。
【解決手段】 下地基板１１上に無機粒子１３を用いて選択成長により形成された３−５族窒化物半導体結晶１４を備えて成る３−５族窒化物半導体積層基板１において、下地基板１１と無機粒子１３との間に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を設ける。下地基板１１の上に３−５族窒化物半導体結晶１４より結晶性の低い半導体層１２を形成し、半導体層１２上に無機粒子１３を形成してから選択成長によって３−５族窒化物半導体結晶１４を形成した後、半導体層１２において下地基板１１を分離することにより、３−５族窒化物半導体自立基板を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 １０^６ｃｍ^−２以下の低転位密度のＧａＮ単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 気相成長の成長表面が平面状態でなく、ファセット面が集合した三次元的な凹部のファセット構造を持つようにし、最後までファセット構造を持ったまま、成長の終了までファセット構造を埋め込まないで成長させることにより転位をファセット底部に集合させ、ファセット底部に続く線領域以外の部分の転位を低減するようにして得た単結晶窒化ガリウム。 （もっと読む）