【課題】ターンオン電界の低減、電流密度の向上、電子放出の均一化を達成できるナノワイヤ構造体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶基板上に、ＮｉまたはＰｔからなる触媒層を形成し、前記触媒層上でトリメチルガリウムおよびアンモニアをＣＶＤ法により８５０〜１０００℃の温度範囲で反応させ、径が５ｎｍ〜２００ｎｍ、長さが５μｍ〜５０μｍのワイヤ状の形態をした窒化ガリウムナノワイヤを形成する。 （もっと読む）

【課題】大型でかつ多結晶を含まないか含んでも極僅かな良質の酸化亜鉛単結晶の製造を可能とする気相輸送法による酸化亜鉛結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】真空封止された成長容器１０の長さ方向の一端側から他端側に亘り温度勾配を有し、かつ成長容器の高温部に原料部が、低温部に結晶析出部１５が配置されており、さらに成長容器の内部に、上記高温部と低温部との間を遮断し、かつ上記高温部より更に高温側の少なくとも一部に開口13を有する原料保持用石英管（仕切り空間）１４が設けられ、この仕切り空間内の上記高温部に対応する部位に、原料１１としてＺｎＯ焼結体と、輸送剤１２としてカーボンロッドを充填した原料部を配置する。仕切り空間の上記開口を介し原料部と結晶析出部間の気相輸送を行なわせることにより、上記成長容器の低温部に酸化亜鉛結晶を析出させる。 （もっと読む）

１つの態様によれば、本発明は、制御される微小構造体並びに結晶学的配向を有する多結晶膜を形成する方法を提供する。本方法は、特定の結晶方位の細長い粒子又は単結晶アイランドを形成する。特に、基板上で膜を処理する方法は、１つの好ましい結晶方位に主に向けられた結晶粒子を有する配向膜を提供する段階と、次いで、好ましい結晶方位に向けられた粒子の位置制御成長を可能にする順次横方向固化結晶化法を用いて微小構造体を生成する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】 成長点の位置制御を安定して行いつつ、格子定数の異なる基材上にナノレベルの結晶成長を行わせる。
【解決手段】 サンプルＳ上に金属針２３ａの先端を配置した後、金属針２３ａの先端を昇温させることにより、サンプルＳと金属との合金融液を生成し、合金融液が生成され状態で、気相状の有機金属化合物を合金融液に接触させることにより、触媒反応により合金融液中に元素の形で取り込ませ、合金融液中で有機金属化合物の構成元素の過飽和現象を生じさせて、合金融液とサンプルＳとの界面に過剰の元素を析出させることで、ワイヤ状の単結晶を成長させる。 （もっと読む）

【課題】 ＣＶＤ法によって強誘電体電極材料やＬＳＩ配線材料などに有用な第８属元素例えばルテニウムやイリジウム系の薄膜を製造するさいの好適な原料化合物を得て，その操作性よく良品質の該薄膜を製造する。
【解決手段】 周期律表第８族元素と２，２，６−トリメチル−３，５−ヘプタンジオンまたは２，６−ジメチル−３，５−ヘプタンジオンからなるβ−ジケトン系有機金属錯体を原料化合物として化学的気相蒸着法により基材上に第８族元素または該元素を含む化合物を析出させることからなる第８族元素類の成膜法。 （もっと読む）