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国際特許分類[C30B25/20]の内容

化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 反応ガスの化学反応による単結晶成長,例.化学蒸着による成長 (895) | エピタキシャル層成長 (890) | 基板によって特徴づけられたもの (405) | 基板がエピタキシャル層と同一物質であるもの (127)

国際特許分類[C30B25/20]に分類される特許

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【課題】製造工程の複雑化を防止し、炭化珪素基板の制約がなく、かつ基底面転位(BPD)をより確実に貫通刃状転位(TED)に転換できる炭化珪素ウェハの製造方法を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板1の一方面にSiイオンを注入し、又は電子線照射する第1工程と、炭化珪素基板1をアニール処理する第2工程と、炭化珪素基板1の一方面側をエピタキシャル成長させてエピタキシャル膜3を得を形成する第3工程とを備える。前記炭化珪素基板に注入されるイオンは、Siイオン、Cイオン、Hイオン、Heイオン、Pイオン、Alイオン、Bイオン及びNイオンからなる群から選択される少なくとも一種である。 (もっと読む)


【課題】{0001}面を除いて任意に特定される{hkil}面に対して面方位のばらつきが小さな主面を有するIII族窒化物結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本III族窒化物結晶の製造方法は、{0001}面を除いて任意に特定される{hkil}面に対して結晶片10の主面10m内に1mmピッチで配置された各点における面方位のずれが0.5°以下である複数の結晶片10を調製し、{hkil}面に対して複数の結晶片10の主面10mの全面10a内に1mmピッチで配置された各点における面方位のずれが0.5°以下になるようにかつ結晶片10の主面10mの少なくとも一部が露出するように複数の結晶片10を配置して、複数の結晶片10の主面10mの露出部分上に、第2のIII族窒化物結晶20を成長させるものである。 (もっと読む)


【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるSiCエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるSiC半導体素子を提供すること
【解決手段】4°以下のオフ角を有するSiC基板2と、SiC基板2の主面4に形成され、その表面10に0.5nm以上の高さのステップバンチング9が形成されたSiCエピタキシャル層3とを含むSiCエピタキシャルウエハ1において、ステップバンチング9の線密度を40cm−1以下にする。 (もっと読む)


【課題】半導体基板として利用可能な、直径が4インチ超のSiC結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の炭化珪素結晶の製造方法は、成長容器内に、種基板および炭化珪素結晶の原料を配置する工程と、昇華法により、種基板の表面に直径が4インチを超える炭化珪素結晶を成長させる工程と、を備える。上記成長させる工程において、成長容器内の圧力が所定の圧力から所定の変動割合で変動する。 (もっと読む)


【課題】積層欠陥の面密度が低減されたSiCエピタキシャルウェハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のSiCエピタキシャルウェハの製造方法は、オフ角を有するSiC単結晶基板の成長面に存在する基底面転位(BPD)のうち、SiC単結晶基板上に形成された、所定膜厚のSiCエピタキシャル膜において積層欠陥になる比率を決定する工程と、比率に基づいて、使用するSiC単結晶基板の成長面におけるBPDの面密度の上限を決定する工程と、上限以下のSiC単結晶基板を用いて、比率を決定する工程において用いたエピタキシャル膜の成長条件と同じ条件で、SiC単結晶基板上にSiCエピタキシャル膜を形成する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】高品質かつ高信頼性の素子を作製できるSiCエピタキシャルウエハ、およびそれを用いて得られるSiC半導体素子を提供すること
【解決手段】(0001)面に対して4°以下のオフ角θで傾斜したSi面が主面4とされたSiC基板2と、SiC基板2の主面4に形成されたSiCエピタキシャル層3とを含むSiCエピタキシャルウエハ1において、SiC基板2の主面4のオフ方向Dを、[11−20]軸方向および[01−10]軸方向に対して15°+/−10°の角度θで傾斜した方向にする。 (もっと読む)


【課題】結晶欠陥の少ない高品質なエピタキシャル膜を得ることが可能な単結晶炭化シリコン膜の製造方法及び単結晶炭化シリコン膜付き基板の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板11上に単結晶炭化シリコン膜14を形成する単結晶炭化シリコン膜14の製造方法であって、シリコン基板11の表面に炭化シリコン膜12を形成する第1の工程と、炭化シリコン膜12の表面にマスク材13を形成する第2の工程と、マスク材13に開口部13hを形成し、炭化シリコン膜12の一部を露出させる第3の工程と、原料ガスを含むガス雰囲気中でシリコン基板11を加熱し、炭化シリコン膜12を基点として単結晶炭化シリコンをエピタキシャル成長させ、炭化シリコン膜12及びマスク材13を覆う単結晶炭化シリコン膜14を形成する第4の工程と、を含み、原料ガスを含むガス雰囲気の圧力は、5.0×10−4Pa以上かつ0.5Pa以下である。 (もっと読む)


【課題】非極性面及び半極性面を主面とした結晶成長において、多結晶が発生することにより生じる、結晶の厚膜成長阻害を防ぐことを課題とする。
【解決手段】III族窒化物結晶からなり非極性面又は半極性面を主面とする下地基板上に、III族窒化物半導体結晶を成長させるIII族窒化物半導体結晶の製造方法において、前記主面からc軸方向に±90°傾斜した面をK面と定義したとき、該K面に対して特定の角度の面を有する側面を持った下地基板を用いることで多結晶発生の問題を解決する。 (もっと読む)


【課題】六角棒状GaN系半導体結晶の新規な製造方法を提供する。
【解決手段】GaN系半導体からなり、m面である表面を有する下地結晶10の前記表面上に、前記下地結晶10のc軸に沿って延びる複数のストライプ22を含むマスク20を形成する工程と、前記マスク22が形成された前記表面の上にGaN系半導体結晶30をエピタキシャル成長させる工程と、を含む六角棒状GaN系半導体結晶の製造方法において、GaN系半導体結晶30は下地結晶10の露出面15から成長し始め、マスク20と略同じ厚さのGaN系半導体結晶膜40がまず形成される。更にGaN系半導体結晶30を成長させ続けると、GaN系半導体結晶膜40の上に六角棒状GaN系半導体結晶30が形成される。 (もっと読む)


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