国際特許分類[C30B29/06]の内容
化学;冶金 (1,075,549) | 結晶成長 (9,714) | 単結晶成長;そのための装置 (9,714) | 材料または形状によって特徴づけられた単結晶または特定構造を有する均質多結晶物質 (5,187) | 元素 (1,678) | シリコン (1,369)
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シリコン単結晶の評価方法およびシリコン単結晶の製造方法
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シリカ焼結体ルツボ及びシリカ焼結体ルツボの製造方法、並びに単結晶の引上げにおいて使用されるシリカ焼結体ルツボ
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多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコンブロック、多結晶シリコンウエハ、多結晶シリコン太陽電池、多結晶太陽電池モジュール
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円筒形ヒータおよびその製造方法
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多結晶シリコンインゴット製造装置、多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコンブロック、多結晶シリコンウエハ、多結晶シリコン太陽電池、多結晶太陽電池モジュール
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単結晶の製造方法
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シリカガラスルツボ及びその製造方法
【課題】長時間の高温条件下におけるシリコン単結晶の引き上げにおいてシリカガラスルツボの内表面にブラウンリングや開気泡の発生が抑制されるシリカガラスルツボ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、合成シリカ粉から形成される内面層と、天然シリカ粉から形成される外面層と、を備えるシリコン単結晶引き上げ用シリカガラスルツボであって、前記内面層は、ラマン法で測定した波長492cm-1のピーク強度D1と、波長606cm-1のピーク強度D2との強度比D1/D2が、1.8以上2.0以下の合成シリカ粉を熔融して形成されるシリカガラスルツボが提供される。
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金属精製塊の検査方法およびそれを含む高純度金属の製造方法
【課題】凝固偏析により金属融液から得られた精製塊中の不純物濃度を簡易にスクリーニングし得る金属精製塊の検査方法、それを含む高純度金属の製造方法およびその用途を提供することを課題とする。
【解決手段】不純物を含む金属融液に精製塊支持体を接触させ、次いで凝固偏析により前記精製塊支持体の表面に析出させた前記金属融液の金属精製塊に含まれる不純物濃度により規定される前記金属精製塊の良または不良を、前記金属精製塊外周面の表面状態に基づいて検査することを特徴とする金属精製塊の検査方法により、上記の課題を解決する。
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結晶シリコンインゴットの製造方法
【課題】インゴットの底部においてバルク欠陥密度が低く、シリコン粒子が小さい結晶シリコンインゴットの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、結晶シリコンインゴットの製造方法を提供する。本発明の方法では、核形成促進層2を利用して、複数のシリコン粒子34が前記核形成促進層2上にシリコン融液32から核形成するとともに、シリコン融液32を凝固させて結晶シリコンインゴットを得るまで垂直方向に成長するのを促進する。
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坩堝、多結晶シリコンインゴットの製造方法、多結晶シリコンインゴット、多結晶シリコンウエハ、多結晶シリコン太陽電池、多結晶太陽電池モジュール
【課題】ヒータが側方に配置された場合にインゴット割れおよび結晶欠陥の発生を抑制し、高品質な多結晶シリコンインゴットを低コストで製造する。
【解決手段】側方に配置されたヒータにより加熱されて溶融したシリコンを内部で凝固させて多結晶シリコンインゴットを生成させる坩堝であって、底面部において中央部21が周側部22より厚い。
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