【課題】光学的用途に適した、改良されたスピネル材料ならびにそれらの改良された製造方法を提供する。
【解決手段】融液法により形成される単結晶スピネルブールであり、そのブールは非化学量論的な組成を有し、約２０％以上の収率で表される、減少した機械的応力もしくはひずみを有し、ここで収率は式Ｗi/（Ｗi＋Ｗf）×１００％であり、Ｗi＝ブールから加工処理された無傷ウェハの数、そしてＷf＝ブールにおける機械的内部応力もしくはひずみによる、ブールからの破壊されたウェハの数である、単結晶スピネルブール。前記単結晶スピネル非化学量論的組成を有し、波長範囲にわたって吸光率により表される透明性窓を有し、その波長範囲は通常、約４００ｎｍ〜約８００ｎｍに延び、透明性窓は波長範囲に沿って最大単一吸光率ピーク高さとして定義され、最大単一吸光率ピーク高さは０．３５cm−１以下である （もっと読む）

【課題】ホウ化物単結晶の成長工程において不純物を除去し、結晶性に優れたホウ化物単結晶を製造することができるホウ化物単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】ホウ化物単結晶の製造方法は、浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶またはホウ化物多結晶から成る棒状体を、水素ガスを含む不活性ガスからなる雰囲気ガス９中で作製し、次に棒状体を原料棒６として用いて浮遊帯域法により化学式ＸＢ_２（ＸはＺｒ，Ｔｉ，Ｃｒ，Ｈｆ及びＴａから選ばれる少なくとも１種である）で表されるホウ化物単結晶を製造する。 （もっと読む）

【課題】大面積の基板上に結晶性に優れたオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜を製膜することができるオキシカルコゲナイド系半導体単結晶薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜（Ａはランタノイド元素およびＹからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＭはＣｕおよびＣｄからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素、ＸはＳ、ＳｅおよびＴｅからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素）１２を製膜し、その表面の少なくとも一部をＡ、ＭおよびＸからなる群より選ばれた少なくとも１種類の元素を含む材料からなる粉末で覆い、この粉末に圧力を加えて圧粉体１７とした後、真空または不活性ガス雰囲気中でアニールすることによりこの非単結晶ＡＭＯＸ系薄膜１２を結晶化して単結晶ＡＭＯＸ系薄膜を製造する。 （もっと読む）

【課題】大径化の要求や、消費電力の低減の要求に十分に対応しながら、クラック等のない、良好な単結晶を育成することができる単結晶育成装置を提供する。
【解決手段】育成する単結晶１３の原料からなる原料棒２の、軸方向の、一定長の領域を、誘導加熱によって溶融させるための誘導コイル６を、前記単結晶１３の原料の融点Ｍ₀に対して、式(1)：
Ｍ₀＜Ｍ₁ (1)
を満足する融点Ｍ₁を有し、かつ抵抗率（２０℃）が１５μΩ・ｃｍ以下の材料によって形成した単結晶育成装置１である。 （もっと読む）

【課題】転位密度の小さい、良好なＧａＮ系半導体層を形成することができる、半導体層成長用基板と、それを用いた、特性に優れた半導体装置とを提供する。
【解決手段】半導体層成長用基板は、ＧａＮ系半導体層を成長させるための主面の、Ｘ線反射率法によるＸ線反射率曲線の半値幅を１００秒以下とし、かつ、前記主面に、原子ステップ構造を形成した。半導体装置は、前記半導体層成長用基板と、前記半導体層成長用基板の主面上にエピタキシャル成長させたＧａＮ系半導体層とを備える。 （もっと読む）

本発明は、新規水素化シリコンゲルマニウム化合物、それらの合成法、それらの成膜法、およびそれらの新規化合物を用いて作製された半導体構造を提供する。これらの化合物は、式：（ＳｉＨｎ１）ｘ（ＧｅＨｎ２）ｙによって定義される。式中、ｘは２，３または４であり；ｙは１，２または３であり；ｘ＋ｙは３，４または５であり；ｎ１は、化合物中の各Ｓｉ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；ｎ２は、化合物中の各Ｇｅ原子に関して独立に０，１，２または３であって原子価を満たし；但し、ｙが１のとき、ｎ２は０ではなく；さらに、ｘが３、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は２または３であり；さらに、ｘが２、かつ、ｙが１のとき、ｎ２は３である。
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【解決手段】単結晶ウエハ１の外周の角に面取り部１ａを設けている。この面取り部１ａと単結晶ウエハ１の主面１ｄとのなす角度ψが、容易破断面１ｅと主面１ｄとのなす角度θよりも小さくなるように加工されている。
【効果】面取り部１ａのカケ等の割れが容易破断面１ｅに沿って進む際、それが単結晶ウエハ１の外周に向かいやすくなるので、単結晶ウエハ１に大きなクラックが生じることを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】二ホウ化ジルコニウム単結晶よりも融点が低く、それ故、低コストで供給でき、且つ、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する新規な二ホウ化物単結晶を提供する。
【解決手段】 二ホウ化ジルコニウムと、所定の固溶度のＶ族二ホウ化物とからなる、固溶体単結晶である。Ｖ族二ホウ化物が二ホウ化ニオブである場合は、固溶度が５モル％から１２モル％の範囲で、また、Ｖ族二ホウ化物が二ホウ化タンタルである場合は、固溶度が５モル％から９モル％の範囲で、二ホウ化ジルコニウム単結晶と同等の格子定数と熱膨張係数を有する固溶体単結晶が得られる。 （もっと読む）

【課題】高温において十分な組織安定性を有し、これによって十分な高温強度を有して実用に足る（Ｃ４０／Ｃ１１ｂ）複相シリサイドの作製方法、並びにこの（Ｃ４０／Ｃ１１ｂ）複相シリサイドを提供する。
【解決手段】光学式浮遊帯域溶融法により（Ｍｏ_０．８５Ｎｂ_０．１５）Ｓｉ_２なる組成の多結晶状のバルク体１から、２．５ｍｍ／時間以下の結晶化速度で、平衡状態図におけるＣ４０の固相線上における液相濃度（Ｃ_ＬＥ）と固相濃度（Ｃ_Ｂ）との平衡状態が維持されるようにして凝固させ、Ｃ４０単相の結晶３を得る。次いで、この結晶３に対して非酸化性雰囲気で加熱処理を施すことにより、Ｃ４０相からＣ１１ｂ相を晶出させ、Ｃ４０相とＣ１１ｂ相とからなる（Ｃ４０／Ｃ１１ｂ）複相シリサイドを得る。 （もっと読む）

【課題】 窒化ガリウム系化合物半導体の成長性を大幅に改善することができる単結晶基板を提供すること。
【解決手段】 基板１の主面１ａ上にＺｒ_１−ｘＴｉ_ｘＢ_２（ただし、０＜ｘ≦１）から成る層である硼化ジルコニウム・チタン層２をエピタキシャル成長して新たな表面２ａを（０００１）面とした単結晶基板である。チタン（Ｔｉ）が介在することにより、基板１への硼化ジルコニウム・チタン層２の成長性および硼化ジルコニウム・チタン層２への窒化ガリウム系化合物半導体の成長性が改善される。 （もっと読む）