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国際特許分類[C30B29/16]の内容

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【課題】圧電体膜等に応用することができるように、高い電気抵抗率を維持しつつ極性分布割合を容易に制御可能であって、低コストで大面積の基材上に成膜されたウルツ鉱型結晶膜、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】基材面に対して垂直方向に二つ以上の粒子が充填および堆積し、上記粒子が互いに結合してなる結合層を含む膜構造を有するウルツ鉱型結晶膜であって、上記粒子は、アルカリ金属元素およびアルカリ土類金属元素からなる元素群のうちの少なくとも一つの元素がドープされているウルツ鉱型結晶構造を有する化合物を含んでいる。ウルツ鉱型結晶膜の製造方法は、ウルツ鉱型結晶を構成する元素種およびドープする金属種を含有する化学溶液を基材上に塗布する工程を含む方法である。 (もっと読む)


【課題】β−Ga結晶の双晶密度を許容値以下とすることが可能なβ−Ga結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法によるβ−Ga単結晶25の成長時における双晶密度が許容値以下となるように、許容値が小さいほど種結晶20の引き上げ方向に対するβ−Ga単結晶25の肩広げ角度θの目標値を大きく設定する第1ステップと、第1ステップで設定した目標値の肩広げ角度でβ−Ga単結晶25が成長するように結晶成長時における温度又は種結晶20の引き上げ速度を制御して、β−Ga結晶を成長させる第2ステップとを有する。 (もっと読む)


【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ga系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法を用いたβ−Ga系単結晶25の成長方法であって、種結晶20をGa系融液に接触させる工程と、種結晶20を引き上げ、ネッキング工程を行わずにβ−Ga系単結晶25を成長させる工程と、を含み、すべての方向においてβ−Ga系単結晶25の幅が種結晶20の幅の110%以下とする。 (もっと読む)


【課題】 透過率が高く、高濃度に3価のTbイオンを含む磁気光学素子用酸化テルビウム結晶を提供する。
【解決手段】 組成式(Tb1−a(式中、MはEr、Tm、Yb、Lu、Scから選択される一種以上の元素、0.01≦a<0.3)で示される結晶系が立方晶系の結晶体であって、1.06μmと532nmにおける3mm長さあたりの直線透過率がいずれも70%以上であることを特徴とする、磁気光学素子用透光性酸化テルビウム結晶であり、製法としては、水冷した容器1の中に結晶育成用の原料2を充填し、原料の中央部を高温に加熱融解するが、水冷容器に接する原料2の外側部分の外皮2aは溶融せず、スカル状に焼結緻密化して坩堝として作用させ、原料2を充分溶融してから高周波パワーを減らし、容器1を下げて底から冷却して結晶化させるスカルメルト法が好適であるが、フローティングゾーン法を採用することもできる。 (もっと読む)


【課題】還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下におけるドナー濃度の変化が抑えられたβ−Ga系基板の製造方法、及び還元雰囲気や不活性ガス雰囲気下において品質のばらつきの小さい高品質な結晶膜をエピタキシャル成長させることのできる結晶積層構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】IV族元素を含むβ−Ga系結晶からβ−Ga系基板を切り出す工程を含み、還元雰囲気及び不活性ガス雰囲気の少なくともいずれか一方を含む雰囲気下でのアニール処理が、前記β−Ga系基板を切り出す前の前記β−Ga系結晶、又は切り出された前記β−Ga系基板に施される、β−Ga系基板の製造方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】双晶化を効果的に抑えることのできるβ−Ga系単結晶の成長方法を提供する。
【解決手段】EFG(Edge-defined film-fed growth)法によるβ−Ga2O3系単結晶の製造において、β−Ga系単結晶をその(101)面に平行な方向に成長させ、(101)面内における<10−1>方向と成長方向とのなす角度φ(0°≦φ<90°)を90°未満とする。FZ(Floating Zone)法等の他の結晶成長方法を用いた場合であってもβ−Ga2O3系単結晶25の双晶化を効果的に抑えることができる。 (もっと読む)


【課題】サブマイクロオーダーやナノサイズを有している無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を、簡単な方法で合成し且つ回収する技術の開発が求められている。
【解決手段】プラズマを用いた低真空容器内で、分オーダーの短時間で直径がサブマイクロオーダーやナノオーダーの無機酸化物中空粒子、特には、球形金属酸化物単結晶中空サブマイクロ粒子や球形金属酸化物単結晶中空ナノ粒子を製造する。気相反応のみの反応プロセスによって、中空金属酸化物単結晶粒子の生成が可能であり、また、放電プラズマやガス流を制御することによって均質な粒径分布や空洞径/粒径の比の制御が可能になる。 (もっと読む)


【課題】チッピングやクラック、剥離等を無くした、酸化ガリウム基板の提供と、酸化ガリウム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】酸化ガリウム基板16の(100)に対して90±5度で交わり、かつ(100)を除く面で構成される主面15に対しても90±5度で交わり、さらに主面15の中心点を通る法線を回転軸として、回転角度にして±5度の誤差内で、主面15の周縁部に形成された第1のオリエンテーションフラット14を形成し、更に酸化ガリウム基板16の主面15の中心点を対称点にして第2のオリエンテーションフラット17を他方の主面周縁に形成し、酸化ガリウム基板16の直径をWD、第1のオリエンテーションフラット14と第2のオリエンテーションフラット17のそれぞれの直径方向における奥行きをOLと表したとき、OLを0.003×WD以上0.181×WD以下の範囲に設定して、酸化ガリウム基板16を作製する。 (もっと読む)


【課題】ホモエピタキシャル成長法を用いて伝導特性に優れたβ−Ga単結晶膜を形成することができるβ−Ga単結晶膜の製造方法を提供する。
【解決手段】分子線エピタキシー法により、Snを添加しながらβ−Ga結晶をβ−Ga基板2上、又は前記β−Ga基板上に形成されたβ−Ga系結晶層上にホモエピタキシャル成長させ、Sn添加β−Ga結晶膜を形成する工程と、第1の不活性雰囲気中で前記Sn添加β−Ga結晶膜に第1のアニール処理を施す工程とを含む方法により、Sn添加β−Ga単結晶膜を製造する。 (もっと読む)


【課題】二酸化炭素を効率よく還元することができる処理板及び処理方法を提供する。
【解決手段】二酸化炭素の処理板1は、基板2と、基板2上に形成され(111)面を表面とする酸化マグネシウムからなる処理膜3とを備える。処理膜3は二酸化炭素を吸着し、加熱により還元する属性を有している。基板2は、(111)面を主面とするチタン酸ストロンチウム、(0001)面を主面とするサファイア、又は(111)面を主面とするイットリア安定化ジルコニアのいずれか一つにより構成される。 (もっと読む)


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